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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

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国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]雷文生相转移掩模及其制备方法与制备半导体元件的方法-CN200510078931.4无效
发明人：赖义凯 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-06-17 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明的雷文生相转移掩模的制备方法首先形成一金属层于一基板上，再利用微影及蚀刻工艺形成多个开口于该金属层中。之后，利用旋转涂布工艺形成一高分子层于该基板上，并利用一电子束照射该高分子层的一预定区域以形成一相转移图案，再去除未被该电子束照射的高分子层。该高分子层可由氢硅酸盐、甲基硅酸盐或混成有机硅烷高分子构成，而去除未被该电子束照射的高分子层可利用一碱性溶液、醇类溶液或乙酸丙酯溶液进行显影工艺，其中该碱性溶液系选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液及四甲基氢氧化铵溶液构成的组。
雷文生相转移及其制备方法半导体元件

[发明专利]形成沟槽电容于衬底的方法及沟槽电容-CN200510118408.X无效
发明人：李岳川;董明圣 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽电容的形成方法及沟槽电容，该方法包括：去除一衬底的一部分以形成一沟槽于一衬底中；形成一埋入隔离层于衬底中；形成一沟槽电容的第一电极于衬底中，其至少位于沟槽较低的部分的周围区域；形成一沟槽电容的介电层；及形成一沟槽电容的第二电极于沟槽中。埋入隔离层与沟槽相交，并且具有一或多个缺口以提供埋入隔离层以上的第一衬底区以及埋入隔离层以下的第二衬底区之间的本体接触。
形成沟槽电容衬底方法

[发明专利]深沟槽的制备方法-CN200510068439.9无效
发明人：简荣吾;聂再强;陈汝政 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-04-28 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明的深沟槽的制备方法首先形成至少一沟槽于一半导体基板中，再形成一堆栈结构于该沟槽内，其中该堆栈结构包括至少一含氮层。之后，形成一含磷氧化层于该含氮层表面。在水蒸气环境中将该含磷氧化层转化为一可蚀刻含氮层的蚀刻液。去除该沟槽内的含磷氧化层，此时含氮层可有效地予以去除。
深沟制备方法

[发明专利]具有瓶状深沟槽电容的半导体元件及其制造方法-CN200510083343.X无效
发明人：陈锡杰;陈全基 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一具有一晶体管以及一储存电容的半导体元件。此晶体管包括形成于基底上的源极与漏极区。此储存电容耦合于该晶体管。此储存电容由一瓶状沟槽所构成，且具有形成于沟槽中的一外延硅层以形成源极与漏极区其中之一的至少一部分。该外延硅层可由部分基底进行选择性地成长于沟槽中，使外延硅层用以定义该沟槽的瓶状。
具有深沟电容半导体元件及其制造方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN200510072670.5有效
发明人：钟朝喜;简荣吾 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种集成电路的制造方法，该集成电路包括具有电荷储存节点的一存储器，电荷储存节点部分配置于半导体基底的沟槽中，存储器包括晶体管，其包括第一源极/漏极区，该第一源极/漏极区电性耦合于该电荷储存节点，第一源极/漏极区位于该沟槽内的一第一侧边但不位于一第二侧边，该制造方法包括：于半导体基底中形成沟槽；形成第一构件以阻隔沟槽的一部分，该部分邻接于沟槽的第二侧边；形成导体材料，导体材料至少提供电荷储存节点的一部分，电荷储存节点的该部分邻接于该第一源极/漏极区的一位置，导体材料通过第一构件与邻接于沟槽内的第二侧边的沟槽的一部分阻隔；以及形成晶体管。本发明还涉及一种集成电路。
集成电路及其制造方法

[发明专利]DDR2操作模式中附加延迟的高效率寄存器-CN200510089822.2有效
发明人：强艾伦佛埃;克莱格巴奈特 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-08-05 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：一种用于符合DDR2标准的集成电路存储器的附加延迟电路，其包括一个指定给各种附加延迟情况下的半正反寄存器。生成一个独特的时脉以控制寄存器串链中的每一位元。在寄存器串链中需要充分的寄存位元来支援指定的最高附加延迟。对于小于最大值的延迟设定，对指定给选择的延迟上的位元的时脉予以致能，因此数据在未给予时脉下传送。对于附加延迟为零的情况，提供一个独立的旁路。位址和指令资讯都由附加延迟延时串链进行延迟。一旦以适当数目的周期延迟，位址资讯会停留在该状态，直到需要一个新状态为止。一旦达到适当的延迟点，指令资讯保持有效一个周期。一个重置电路被提供以重置指令信号。
ddr2 操作模式附加延迟高效率寄存器

[发明专利]高深宽比结构的制备方法-CN200510052957.1无效
发明人：吕泓岳;张宏隆;李永凯;张智豪 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-03-02 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种高深宽比结构的制备方法，其中该高深宽比结构可为一沟槽或一导体。本发明在形成一第一屏蔽于一基板上之后，进行一第一蚀刻工艺，其部分移除未被该第一屏蔽覆盖的基板以形成至少一凹部。之后，形成一第二屏蔽于该第一屏蔽上，并进行一第二蚀刻工艺以将该凹部深入该基板之中。若该高深宽比结构为一设置于该基板中的导体，则该第一屏蔽与该第二屏蔽可由介电材料或其它金属材料构成。若该高深宽比结构为一设置于该基板中的沟槽，则该第一屏蔽与该第二屏蔽优选地由介电材料构成。
高深结构制备方法

[发明专利]无应力浅沟渠隔离结构的形成方法-CN200510003656.X无效
发明人：邱文斌 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-01-07 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种形成无应力浅沟渠隔离(shallow trenchisolation，STI)结构的方法，于浅沟渠隔离结构的沟渠表面沉积一非晶硅层，并以高温氧化的方式将非晶硅层氧化为二氧化硅层，以作为沟渠的衬底氧化层。此种衬底氧化层整体的厚度皆会一致，利用此特性可避免因厚度不一致所产生的应力，进而防止半导体元件间的漏电流现象。
应力沟渠隔离结构形成方法

[发明专利]堆叠式电容器及其制备方法-CN200410090481.6无效
发明人：吴孝哲 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-11-10 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有指叉电极的堆叠式电容器及其制备方法。本发明的堆叠式电容器包含一下指叉电极、一上指叉电极以及一设置于该下指叉电极及该上指叉电极之间的介电材料。该下指叉电极与上指叉电极各包含一体部以及多个电气连接于该体部的指部。该介电材料可为氮化硅或二氧化硅，该下指叉电极与该上指叉电极的指部是由不同导电材料构成。优选地，该下指叉电极的指部可由氮化钛构成，该上指叉电极的指部是由多晶硅构成，且该下指叉电极与上指叉电极的体部是由氮化钛构成。
堆叠电容器及其制备方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN200410089774.2无效
发明人：巫勇贤 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-11-04 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提出一种动态随机存取存储器及其制造方法，其具有碳化硅区及碳锗化硅掺杂区。该方法包括：提供衬底，该衬底具有一顶面与至少一深沟渠于衬底中，其中顶面上已覆盖有一图案化的掩模层，且深沟渠内已填充有一覆盖层覆盖深沟渠底部与侧壁下部分；于深沟渠的侧壁上部分的衬底中离子注入碳掺杂物以及锗掺杂物，以于深沟渠顶部侧壁的衬底中形成碳掺杂区及碳锗掺杂区，碳锗掺杂区位于碳掺杂区上方；形成一顶盖层覆盖深沟渠的侧壁上部分；以及进行至少一热工艺。由于碳化硅区能提供较高能带隙可减少漏电流，可减少下电极的深度，进一步增加存储单元对位线的电容比。另一方面，碳化硅区可减少结漏电流的现象。因此可有效延长数据保存时间。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]动态随机存取存储单元和其阵列、及该阵列的制造方法-CN200410089997.9有效
发明人：王廷熏 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-10-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及动态随机存取存储单元和其阵列、及该阵列的制造方法。该动态随机存取存储单元，包括基底上的半导体柱、半导体柱的侧壁下部分的电容器以及半导体柱的侧壁上部分的垂直晶体管。其中，电容器包括在半导体柱的侧壁下部分的第一平板、在第一平板周围且当作上电极的第二平板、在第二平板周围的第三平板以及将第二平板与第一及第三平板分离的介电层。其中，上述的第三平板电连接第一平板以形成下电极。此外，本发明基于动态随机存取存储单元，另提出动态随机存取存储器阵列及其制造方法。
动态随机存取存储单元阵列制造方法

[发明专利]非挥发性存储器的制造方法-CN200410089995.X无效
发明人：巫勇贤 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-10-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器的制造方法，以提高穿隧氧化层的品质，避免漏电流的情况发生。此方法先提供一衬底，且于衬底上依序形成穿隧氧化层、保护层以及半导体硅化物层。接着，氧化半导体硅化物层以形成氧化硅层，并使半导体硅化物层的半导体成分累积于氧化硅层与穿隧氧化层交界处。然后，进行热工艺，使半导体成分形成多个半导体纳米结晶。之后，进行氮化工艺，使环绕在这些半导体纳米结晶周围的部分氧化硅层转变成氮氧化硅。继之，于氧化硅层上形成栅极，以及于栅极两侧的衬底中形成源极/漏极区。
挥发性存储器制造方法

[发明专利]自我对准非挥发性存储器及其制造方法-CN200410086969.1无效
发明人：张益馨 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-10-20 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器，其包括一具有堆栈层的基底。在该堆栈层上覆盖有一牺牲层(sacrificial layer)，在此牺牲层上则形成第一开口。在第一开口的一侧壁上先形成第一间隙壁。接着以此第一间隙壁为掩模，蚀刻该堆栈层以形成第二开口。形成一隔离层以部分覆盖第一与第二开口。接着于其上覆盖一导电层，再以该部分的导电层作为第二掩模，以蚀刻该堆栈层而形成栅极结构。
自我对准挥发性存储器及其制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器的结构-CN200410088174.4有效
发明人：洪瑞源;简荣吾 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器结构，将基材上各存储晶胞单元的有源区单独排列，且同时设计深沟槽图案为一棋盘式排列，其中，各相邻深沟槽图案之间皆维持一固定间距。利用长型位线接触插塞的设置，以电连接对角相邻的每两个存储单元的有源区，其中，每一长型位线接触插塞上还设置有一接触窗口，以连接位线，进而使对角相邻的存储单元可由同一位线所控制。
动态随机存取存储器结构

[发明专利]用以决定对叠补偿参数的系统及方法-CN200410088161.7无效
发明人：李永尧 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用以决定对叠补偿参数的系统，其适用于连续处理多产品批次的曝光机台。其包括机台执行记录库、对叠数据库、及对叠控制装置。其中该机台执行记录库用以存储该曝光机台连续处理产品批次的记录，其中被处理的每一产品批次对应于一产品的一层次，其至少包含目前批次及先前批次的记录。该对叠数据库存储该目前批次及该先前批次对应产品的对叠补偿数据的历史记录，该对叠控制装置依据该历史记录决定目前批次的对叠补偿参数设定值。
用以决定补偿参数系统方法

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