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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种农业种植灌溉用浇水设备-CN202010151859.8在审
发明人：王声锋;张曼 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： A01G25/09 文献下载
摘要：本发明涉及农业种植灌溉领域，具体涉及一种农业种植灌溉用浇水设备，包括主沟渠、侧沟渠和浇水组件，主沟渠一侧设置侧沟渠，侧沟渠上设置浇水组件；主沟渠横向设置，主沟渠为水泥沟渠，主沟渠一侧设置有三组侧沟渠，侧沟渠相互平行设置，侧沟渠与主沟渠相垂直设置，侧沟渠一侧与主沟渠相连通，侧沟渠之间设置种植区；种植区设置于主沟渠一侧并位于侧沟渠之间；本发明灌溉效率高，能针对不同种植区进行合理灌溉，节约了水资源，提高了种植区植物对水资源的利用率，种植区设置在主沟渠、侧沟渠之间，而浇水组件在侧沟渠上稳定移动，可以对不同宽幅的侧沟渠进行浇灌，可以调节浇水组件的往返次数从而对不同的植物种植区进行不同程度的灌溉。
一种农业种植灌溉浇水设备

[实用新型]一种水利工程用防渗沟渠-CN201921667491.X有效
发明人：高仲兵 -专利权人：高仲兵
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： E02B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水利工程用防渗沟渠，涉及水利工程技术领域，包括沟渠主体，所述沟渠主体的底部固定连接有沟渠底，所述沟渠主体的顶部固定连接有围挡，所述沟渠主体的内部设置有第一沟渠层，所述沟渠主体的内部设置有第二沟渠层，所述沟渠主体的内部设置有内埋膜，所述沟渠主体的一侧插接有支撑柱，所述沟渠底的顶部设置有外膜。该水利工程用防渗沟渠，通过沟渠主体、第一沟渠层、第二沟渠层和内埋膜的配合设置，能够使沟渠具有多重防渗措施，并且造价成本较低，解决了现有的防渗效果不理想造价高的情况；通过沟渠主体、沟渠底、第一沟渠层、第二沟渠层、支撑柱、外膜和圆角的配合设置，能够使沟渠的自身结构更加稳定，并且清淤比较方便，解决了现有的沟渠结构不够稳定清淤不便的情况。
一种水利工程防渗沟渠

[发明专利]形成沟渠电容的方法-CN200610083522.8有效
发明人：陈朝祺;侯全评 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一种形成沟渠电容的方法，是以下列制造步骤来揭示。在一半导体基材上形成沟渠，沉积第一沟渠介电层于此沟渠内，且第一沟渠介电层的高度并未达到此沟渠的全部高度。于第一沟渠介电层上并沿着此沟渠的内侧表面形成蚀刻终止层(Etch Stop Layer)。沉积第二沟渠介电层于蚀刻终止层上。去除第二沟渠介电层和蚀刻终止层，以暴露出第一沟渠介电层。于第一沟渠介电层上形成导电层，以使导电层、第一沟渠介电层和半导体基材作用为沟渠电容。
形成沟渠电容方法

[发明专利]一种用于制造沟渠电容器的方法-CN201110122855.8无效
发明人：费金华 -专利权人：吴江华诚复合材料科技有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造沟渠电容器的方法，其中包含于基板内形成沟渠。沟渠各壁都以实质上以均匀厚度覆盖于沟渠各侧壁的半导体材料衬隔开。将介电轴环形成于沟渠上边部分内的该半导体材料上方。去除沟渠底边部分内的半导体材料。形成节点介电层使轴环与沟渠底边部分上之各沟渠侧壁衬隔开。将沟渠填充以搀杂半导体材料，这类搀杂半导体材料提供了该沟渠电容器的电极。该沟渠的形成包含形成一种沟渠使得其沟渠下边部分的直径有效地至少等于大约该沟渠上边部分的直径。
一种用于制造沟渠电容器方法

[实用新型]一种污水处理集中排放沟渠结构-CN202023019245.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：杭州杜衡环保科技有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： E02B5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种污水处理集中排放沟渠结构，包括：主干沟渠、主干沟渠闸板阀、缓冲部、侧支沟渠、侧支沟渠闸板阀；所述主干沟渠闸板阀安装在主干沟渠内；所述侧支沟渠位于主干沟渠的一侧，且侧支沟渠与主干沟渠为一体式结构；所述缓冲部位于主干沟渠的另一侧，且缓冲部与主干沟渠为一体式结构；所述侧支沟渠闸板阀安装在侧支沟渠内；本实用新型通过对污水处理集中排放沟渠结构的改进，具有结构设计合理，增大汇流段的容量，同时起到较为有效的缓冲作用
一种污水处理集中排放沟渠结构

[实用新型]一种便于检修的送电缆沟混凝土浇筑结构-CN202320003438.X有效
发明人：盛利锋;宋莘浩;虞华锋 -专利权人：山东昆润控股集团有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于检修的送电缆沟混凝土浇筑结构，涉及送电缆沟技术领域，包括沟渠底，沟渠底的两侧设置有沟渠侧壁，且沟渠侧壁的上端间隔开设多个配合坡面，两侧沟渠侧壁的上端之间插设有沟渠盖板，且沟渠盖板的两侧固定连接有配合凸块，配合凸块与配合坡面相匹配，通过设置的沟渠底和沟渠侧壁，送电线缆能够在送电缆沟内布设，通过沟渠盖板在两侧沟渠侧壁的上端插设形成封盖，通过设置的配合凸块和配合坡面，使得沟渠盖板能够沿着沟渠盖板朝向一侧拉动，将沟渠盖板沿着配合坡面的坡面提升，从而将沟渠盖板封堵的送电缆沟上方放开，便于检修，操作简单，使用方便，无需翻起沟渠盖板，大大降低了检修的工作强度。
一种便于检修送电混凝土浇筑结构

[发明专利]一种具有生物降解功能的农田水利排灌沟渠-CN201910859402.X在审
发明人：陈延延;温育岁;刘木辉;梁洁锋;余懿 -专利权人：广东祥实建设有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： E02B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有生物降解功能的农田水利排灌沟渠，包括V字沟渠板、沟渠盖板和沟渠种植板，所述V字沟渠板的板体两端设有凹槽，所述沟渠盖板的板体两端设有凸块，所述凹槽与凸块对应匹配，所述沟渠盖板盖装于V字沟渠板上，并使凸块嵌入凹槽内固定；所述沟渠种植板设于V字沟渠板内的两端，沟渠种植板由基板和种植盆组成。上述具有生物降解功能的农田水利排灌沟渠，具有结构简单、安装方便、自净效果好的优点。
沟渠种植板凸块农田水利排灌生物降解功能板体两端盖板安装方便嵌入凹槽盖板盖内固定种植盆基板自净匹配

[发明专利]一种基于稻区面源污染防控的田沟面积配比方法及系统-CN202211694142.3在审
发明人：翟丽梅;华玲玲;刘宏斌;张富林 -专利权人：中国农业科学院农业资源与农业区划研究所
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06Q10/0631 文献下载
摘要：所述基于稻区面源污染防控的田沟面积配比方法包括：获取设定时间段内当前稻田的稻田数据、当前田埂的田埂数据和当前沟渠的沟渠数据；基于所述稻田数据和所述沟渠数据计算所述当前沟渠的水量数据；基于所述沟渠数据计算所述当前沟渠的沟渠容载量；基于所述水量数据计算所述当前沟渠的沟渠水力负荷；根据所述沟渠水力负荷和所述沟渠容载量确定是否对所述当前沟渠的沟渠面积进行调整。本发明通过对沟渠面积进行调整，从而确定适宜田沟面积配比，充分发挥稻区内沟渠的生态净化功能，防控稻田氮磷流失。
一种基于稻区面源污染面积配比方法系统

[实用新型]一种边坡防护结构-CN202021663124.5有效
发明人：刘建忠;胡志勇 -专利权人：安徽兴浩建设有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： E02D17/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种边坡防护结构，其包括防护装置；防护装置包括沿坡顶长度方向设置的上沟渠、沿坡底长度方向设置的下沟渠、连接上沟渠一端和下沟渠一端的第一沟渠和连接上沟渠另一端和下沟渠另一端的第二沟渠；第一沟渠和第二沟渠沿坡面的倾斜方向设置；上沟渠、下沟渠、第一沟渠和第二沟渠围设成防护架，防护架内设有多个第一导水渠和多个第二导水渠；第一导水渠朝向第一沟渠倾斜设置，第二导水渠朝向第二沟渠倾斜设置；第一导水渠和第二导水渠交错并相导通；第一导水渠和第二导水渠靠近坡顶的侧壁开设有导水孔；第一导水渠和第二导水渠的端部与防护架连通；坡底设有与下沟渠底部连通的排水沟。
一种防护结构

[实用新型]排水沟渠-CN201921468821.2有效
发明人：潘树军 -专利权人：北京泰悦科创科技有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： E01C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及道路排水系统技术领域，尤其是涉及一种排水沟渠，排水沟渠包括：包括沟渠主体，沟渠主体至少包括：第一沟渠构件和第二沟渠构件，第一沟渠构件上设置有延伸连接部，延伸连接部形成开口，延伸连接部与第二沟渠构件的一端适配连接，使得第二沟渠构件沿着延伸连接部的开口的朝向方向延伸，从而改变排水沟渠的连接延长方向。本申请提供的排水沟渠在改变铺设方向时，不需要专用转向接头或者专用工具，通过适配的连接端即可将两个沟渠构件进行连接，节约成本、操作简单。
排水沟渠

[实用新型]一种多功能生态梯级排水沟-CN202023073387.3有效
发明人：单保庆;周烁磊;刘冬;张超;尹然 -专利权人：北京乾和水环境与水生态监测科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： E03F3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能生态梯级排水沟，包括依次设置的一级沟渠、二级沟渠、三级沟渠和四级沟渠，所述一级沟渠与所述二级沟渠通过第一过滤组件相分隔，所述二级沟渠与所述三级沟渠通过第二过滤组件相分隔，所述三级沟渠与所述四级沟渠通过第三过滤组件相分隔，所述二级沟渠内填充有砾石，所述三级沟渠内填充有细沙，所述四级沟渠连通有排水管。
一种多功能生态梯级排水沟

[实用新型]一种水利灌溉预制沟渠-CN202122521288.5有效
发明人：黄成军;李涛;张顺武;马献林;孙媛媛;胡士军;吴守义 -专利权人：湖北楚峰水电工程有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： E02B13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种水利灌溉预制沟渠，属水利灌溉设施技术领域。它由盖板和多个预制沟渠单元构成，多个预制沟渠单元之间通过衔接结构相互连接，预制沟渠单元上活动安装有盖板，盖板与预制沟渠单元之间呈错位设置。通过在预制沟渠单元上活动安装盖板，盖板可供生产人员行走，避免在灌溉沟渠的两侧与农田之间设置渠肩，有效减小灌溉沟渠的占地面积，同时能防止作物残渣、杂草和泥土在灌溉沟渠内逐渐形成沉积；解决了现有灌溉沟渠占用农田的种植面积，降低农田土地的使用效率，由于灌溉沟渠为敞口状，灌溉沟渠内的作物残渣、杂草和泥土逐渐形成沉积导致灌溉沟渠内的液流量降低的问题。
一种水利灌溉预制沟渠

[发明专利]一种盐碱地土壤改良系统及其制备方法-CN201510191566.1在审
发明人：夏江宝;王贵霞;赵西梅;陈印平;赵自国 -专利权人：滨州学院
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： A01B79/02 文献下载
摘要：本发明属于土壤改良技术领域，具体公开了一种盐碱地土壤改良系统，包括盐碱地、及盐碱地一侧依次设置的第一沟渠、第二沟渠和第三沟渠，另一侧依次设置第四沟渠、第五沟渠和第六沟渠，及第一沟渠和第二沟渠中间设置的第一过滤层、第二沟渠和第三沟渠中间设置第二过滤层，及第四沟渠和第五沟渠中间设置的第三过滤层、第五沟渠和第六沟渠中间设置第四过滤层，及用于喷灌的抽水装置。本发明的改良方法有益效果在于：1、改良系统构造简单、易管理操作；2、利用阶梯状的沟渠和过滤层，将淡水中带出的盐碱成分进行有效的过滤，再将过滤水循环使用，一方面阶梯状的沟渠过滤效率高、效果优，另一方面淡水循环使用节约水资源且全程无污染现象
一种盐碱地土壤改良系统及其制备方法

[发明专利]一种盐碱地土壤改良系统及其改良方法-CN201410288746.7有效
发明人：缪春晓;马晓红 -专利权人：江苏东珠景观股份有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： A01B77/00 文献下载
摘要：本发明属于土壤改良技术领域，具体公开了一种盐碱地土壤改良系统，包括盐碱地、及盐碱地一侧依次设置的第一沟渠、第二沟渠和第三沟渠，另一侧依次设置第四沟渠、第五沟渠和第六沟渠，及第一沟渠和第二沟渠中间设置的第一过滤层、第二沟渠和第三沟渠中间设置第二过滤层，及第四沟渠和第五沟渠中间设置的第三过滤层、第五沟渠和第六沟渠中间设置第四过滤层，及用于喷灌的抽水装置。本发明的改良方法有益效果在于：1、改良系统构造简单、易管理操作；2、利用阶梯状的沟渠和过滤层，将淡水中带出的盐碱成分进行有效的过滤，再将过滤水循环使用，一方面阶梯状的沟渠过滤效率高、效果优，另一方面淡水循环使用节约水资源且全程无污染现象
一种盐碱地土壤改良系统及其改良方法

[发明专利]形成单边埋入导电带的方法-CN201210128697.1无效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：首先，提供一基底，基底中包含有深沟渠，且深沟渠内设置有沟渠电容。在深沟渠内形成导电层，导电层覆盖在沟渠电容上。接着在导电层上形成衬垫层，并在衬垫层上形成牺牲层。以氧化掩膜层为掩膜，以在深沟渠中形成浅沟渠。在浅沟渠靠近基底的一侧形成侧沟渠。最后，在浅沟渠以及侧沟渠中形成隔离层，使得导电层形成单边埋入导电带。
形成单边埋入导电方法

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