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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]闸阀板拆卸装置及闸阀-CN202222346626.0有效
发明人：范峰;李豪棕;何云;周志鹏;李岳川;龚剑;李建平;舒晓静 -专利权人：国家石油天然气管网集团有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： F16K3/12 文献下载
摘要：本实用新型属于石油输送技术领域并提供一种闸阀板拆卸装置及闸阀，闸阀板拆卸装置包括内压板、拉杆和压紧组件，内压板能够伸入闸阀的阀腔通道内并用于卡接阀芯的卡接槽，拉杆能够伸入闸阀的阀腔通道并与内压板连接，压紧组件能够向拉杆施加向外的拉力。本实用新型所提供的闸阀板拆卸装置通过将内压板卡接在阀芯的卡接槽上，然后再通过拉杆和压紧组件向外拉内压板，从而减少阀芯和阀板之间的压紧力和摩擦力，进而达到方便抽取阀板的目的。
闸阀拆卸装置

[实用新型]具有过滤网的调节阀-CN202222368493.7有效
发明人：范峰;何云;李豪棕;舒晓静;龚剑;李岳川;李建平;周志鹏;刘璐 -专利权人：国家石油天然气管网集团有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： F16K47/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有过滤网的调节阀，具有过滤网的调节阀包括调节阀本体和过滤装置，调节阀本体的阀芯背离有杆腔的一侧设置有安装部，过滤装置包括过滤网、第一紧固件和两个过滤支撑环，过滤支撑环围合形成有过滤通道，过滤网置于两个过滤支撑环之间并通过过滤通道外露，第一紧固件穿设于两个过滤支撑环上，以将过滤网夹紧，过滤支撑环通过安装部安装于阀芯背离有杆腔的一侧，则在过滤装置通过安装部安装于阀芯背离有杆腔的一侧后，过滤装置中的过滤网可以淤积的杂质进行过滤，以避免杂质进入有杆腔对阀芯密封面及密封部件带来不可逆的损伤，提高调节阀的可靠性，降低输送风险。
具有过滤网调节

[发明专利]一种变口径3D打印挤出头及其使用方法-CN202210545903.2有效
发明人：卢倚天;万嘉溢;赵志青;李岳川;虞敏;邝哲源;卢听雨 -专利权人：南昌大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B29C64/209 文献下载
摘要：本发明公开了一种变口径3D打印挤出头及其使用方法，包括温控变径型挤出机构、进料导向组件、进料驱动组件和进料预紧组件。本发明属于3D打印技术领域，具体是指一种变口径3D打印挤出头及其使用方法；本发明基于液态水银热胀冷缩的特性，创造性地提出了温控变径型挤出机构，在不需要停机更换挤出头的情况下，仅仅通过改变加热块的温度即可实现对挤出直径的连续调控，通过同步改变进料速度补偿料丝的受热量的波动，从而保证料丝本体的融化温度和挤出温度基本不变。
一种口径打印出头及其使用方法

[发明专利]半导体布置及其形成方法-CN201910923380.9有效
发明人： 李岳川;陈嘉展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种半导体布置。半导体布置包括位于衬底上方的第一导电元件和位于衬底上方的第二导电元件。介电区位于衬底的顶面上方并且位于第一导电元件和第二导电元件之间。导电结构在第一导电元件、第二导电元件和介电区上方。本发明的实施例还涉及形成半导体布置的方法。
半导体布置及其形成方法

[发明专利]半导体装置、影像感测器及其形成方法-CN202110756491.2在审
发明人： 李岳川;黄仕贤;陈嘉展;陈步芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供用于有效吸集杂质的半导体装置及其形成方法。在一些实施例中，半导体装置包括：基板；像素区，设置于基板中；隔离区，设置于基板中且邻近像素区内，其中隔离区包含晶种区，晶种区包含第一半导体材料；以及异质层，位于晶种区上，其异质层包含第二半导体材料，第二半导体材料具有与第一半导体材料不同的晶格常数。
半导体装置影像感测器及其形成方法

[发明专利]形成图像传感器装置的方法-CN201710650714.0有效
发明人： 李岳川;陈嘉展;林荣义;林稔杰;李志煌;陈达欣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图像传感器装置的方法。所述方法包括：(a)使所述衬底的一部分凹陷，从而形成第一浅沟槽；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分；(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽；(d)移除所述间隔壁层；(e)在所述第一浅沟槽的所述侧壁之上形成第二氧化物层；(f)在所述衬底中形成环绕所述第一浅沟槽的第二衬层；以及(g)以第二隔离材料填充所述第一浅沟槽，从而在所述衬底中形成第一浅沟槽隔离特征。
形成图像传感器装置方法

[发明专利]具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器-CN201611038820.5有效
发明人： 李岳川;陈嘉展;施俊吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。硅锗层邻接于硅层。光检测器布置在所述硅锗层中。晶体管，布置在所述硅层上，同时源/漏区埋置在所述硅层的表面内且电连接至所述光检测器。本发明的实施例还提供了用于制造CMOS图像传感器的方法。
具有互补金属氧化物半导体 cmos 图像传感器

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN201811122586.3有效
发明人： 李岳川;陈嘉展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明涉及具有光电探测器的集成芯片及其形成方法，其中，光电探测器布置在具有第一掺杂类型的半导体衬底内。在由半导体衬底的内表面限定的沟槽内设置一种或多种介电材料。在沟槽内且在横向位于一种或多种介电材料与光电探测器之间的位置处布置掺杂外延材料。掺杂外延材料具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]集成电路封装件及其形成方法-CN201810580009.2有效
发明人： 李岳川;陈嘉展;刘璟衡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：提供了一种用于形成集成电路(IC)封装件的方法。在一些实施例中，形成包括划线、第一IC管芯、第二IC管芯和钝化层的半导体工件。所述划线分离第一和第二IC管芯，并且钝化层覆盖第一和第二IC管芯。第一IC管芯包括电路和电耦合到电路的焊盘结构。焊盘结构包括第一焊盘、第二焊盘和桥。桥在划线内并将第一焊盘连接到第二焊盘。钝化层被图案化以暴露第一焊盘而不暴露第二焊盘，并且通过第一焊盘在电路上实施测试。沿着划线切割半导体工件以使第一和第二IC管芯个体化，并且移除桥。还提供了一种集成电路封装件。
集成电路封装及其形成方法

[发明专利]包括像素单元的光传感器装置-CN201711173518.5在审
发明人：陈嘉展;李岳川;李志煌;陈达欣;黄仕贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光传感器装置及其制造方法。所述光传感器装置包括至少一个像素单元。所述至少一个像素单元包括由半导体材料形成的衬底且包括第一光传感器区及第二光传感器区。第一光传感器区设置在所述衬底中且包含第一导电类型的第一掺杂剂。第二光传感器区设置在所述第一光传感器区上方且包含第二导电类型的第二掺杂剂。所述第二光传感器区中可具有从外边缘往中心部分增大的掺杂剂浓度。
光传感器光传感器装置像素单元掺杂剂衬底半导体材料第一导电类型导电类型外边缘增大的制造

[发明专利]用于改进接合的接合焊盘结构-CN201710255926.9在审
发明人：陈嘉展;李岳川 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及集成电路(IC)的一种接合焊盘结构。在一个实施例中，接合结构包括接合焊盘和设置在接合焊盘下面的中间金属层。中间金属层具有第一面和第二面。第一通孔层与中间金属层的第一面接触。第一通孔层具有第一通孔图案。接合结构还包括与中间金属层的第二面接触的第二通孔层。第二通孔层具有不同于第一通孔图案的第二通孔图案。本发明实施例涉及用于改进接合的接合焊盘结构。
用于改进接合盘结

[发明专利]影像感测器-CN201610728869.7在审
发明人： 李岳川;陈嘉展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种具有反射器的背面照射(Backside Illuminated；BSI)影像感测器是被提供。像素感测器是配置于半导体基材的底侧上，且此像素感测器包含光侦测器，其中此光侦测器配置于半导体基材内。内连接结构是配置于半导体基材和像素感测器下，且内连接结构包含内连接层和接触窗。其中，此接触窗是由内连接层延伸至像素感测器。反射器是配置于光侦测器下，且介于内连接层和光侦测器之间。反射器是配置以朝光侦测器反射入射辐射线。
影像感测器

[发明专利]测试线结构以及用于执行晶圆验收测试的方法-CN201610784060.6在审
发明人： 李岳川;陈嘉展;金秉颉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了晶圆上的测试线结构。第一测试焊盘形成在晶圆的划线。第二测试焊盘形成在划线中。待测晶体管形成在划线中并且连接在第一测试焊盘与第二测试焊盘之间。器件形成在划线中并且连接在第一测试焊盘与待测晶体管之间。第三测试焊盘形成在划线中并且连接在器件与待测晶体管之间。当向第一测试焊盘施加第一电压时，经由第二测试焊盘或第一测试焊盘测量流经待测晶体管的电流，其中根据来自第三测试焊盘的第二电压来确定第一电压。本发明还提供了一种用于执行晶圆验收测试的方法。
测试结构以及用于执行验收方法

[发明专利]一种纳米级抗菌抗病毒避孕套-CN200610036660.0无效
发明人：关燕清;彭长连;李岳川 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2006-07-25 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： A61F6/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种避孕套，公开了一种纳米级抗菌抗病毒避孕套。本发明将干扰素接枝在避孕套上，这比将干扰素涂抹在避孕套上具有更好的杀菌效果。干扰素接枝固定在避孕套后，在一个小时内的杀菌活性由游离干扰素的2.1％提高到6.3％，显示出3倍的杀菌活性。从而赋予避孕套这一重要的节育工具更多的功能，甚至协助治疗妇科炎症，而妇科炎症包括宫颈炎的病因复杂，过去认为与理化刺激、损伤或细菌、衣原体、原虫感染有关，近年来大量临床研究资料发现，约有30％～40％的患者体内HSV及HPV检测阳性。干扰素能抑制细菌的生长，也可以抑制病毒在宿主细胞内复制并且作用范围广泛。
一种纳米抗菌抗病毒避孕套

[发明专利]形成沟槽电容于衬底的方法及沟槽电容-CN200510118408.X无效
发明人： 李岳川;董明圣 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽电容的形成方法及沟槽电容，该方法包括：去除一衬底的一部分以形成一沟槽于一衬底中；形成一埋入隔离层于衬底中；形成一沟槽电容的第一电极于衬底中，其至少位于沟槽较低的部分的周围区域；形成一沟槽电容的介电层；及形成一沟槽电容的第二电极于沟槽中。埋入隔离层与沟槽相交，并且具有一或多个缺口以提供埋入隔离层以上的第一衬底区以及埋入隔离层以下的第二衬底区之间的本体接触。
形成沟槽电容衬底方法

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