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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]栅氧化层之制备方法-CN200610001049.4有效
发明人：陈中怡;朱志勋;周志文 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2006-01-17 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种栅氧化层制备方法首先形成至少两条沟槽于基板之中，这两条沟槽之间形成主动区域。之后，形成介电区块于该沟槽之中，该介电区块之上表面不对齐该基板之上表面。接着，进行掺杂工艺，将含氮掺质植入该主动区域之基板中，该主动区域中心处之基板内的含氮掺质浓度高于该主动区域边缘处。然后，进行热氧化工艺以形成栅氧化层于该主动区域之基板的上表面。通过该含氮掺质抑制热氧化反应速率，可避免该主动区域边缘处之栅氧化层厚度小于该主动区域中心处之栅氧化层厚度的情形发生。
氧化制备方法

[发明专利]分离式栅极快闪存储单元及其形成方法-CN200510125448.7有效
发明人：傅景鸿;廖宏魁;卢建中 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种分离式栅极快闪存储单元包括：一半导体衬底；第一绝缘层，置于该半导体衬底上；一浮动栅极，置于该第一绝缘层上，其中该浮动栅极具有第一宽度；第二绝缘层，置于该浮动栅极上；一控制栅极，置于该第二绝缘层上；一顶盖层，置于该控制栅极上，其中顶盖层、控制栅极以及第二绝缘层具有相同的第二宽度，其中该第二宽度小于该第一宽度；第三绝缘层，置于该控制栅极、该第二绝缘层、该浮动栅极、该第一绝缘层的侧壁、以及该半导体衬底上；以及一抹除栅极，置于该第三绝缘层上。由于浮动栅极形成一突出于控制栅极底部的突出部轮廓，藉此突出部轮廓增加的面积改变电荷分布以形成一尖端放电场，因此可增进浮动栅极至抹除栅极间的抹除效率。
分离栅极闪存单元及其形成方法

[发明专利]蚀刻方法及开口的形成方法-CN200510119310.6无效
发明人：林义雄;谢传贤;陈芊蓉;邱朝顺 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种蚀刻方法，可以防止在晶片上形成颗粒，首先于硅材料上形成图案化光致抗蚀剂层。接着，在蚀刻机台中，以图案化光致抗蚀剂层为掩模，利用溴化氢作为反应气体对硅材料进行一个蚀刻工艺。然后，以阶梯式降压的方式关闭蚀刻机台的射频电源，并在蚀刻机台中通入冲净气体进行冲净，同时对蚀刻机台进行抽气。本发明还公开了一种开口的形成方法。
蚀刻方法开口形成

[发明专利]相移式掩模及其制备方法与制备半导体元件的方法-CN200510119308.9无效
发明人：赖义凯 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种相移式掩模，其包含一基板以及多个设置于该基板上的相移图案，其中该相移图案由高分子材料构成且在一第一方向的间距小于该相移图案的宽度。优选地，该相移图案以阵列方式排列而构成多个线状图案，且该线状图案在一第二方向的间距等于该线状图案的宽度。本发明的相移式掩模的制备方法包含形成一高分子层于一基板上、改变多个预定区域内的高分子层的分子结构以及去除该预定区域以外的高分子层以形成多个相移图案等步骤。该高分子材料可为氢硅酸盐、甲基硅酸盐或混成有机硅烷高分子。
相移式掩模及其制备方法半导体元件

[发明专利]快闪存储器结构及其制备方法-CN200510118410.7无效
发明人：陈世芳;高建纲 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的快闪存储器结构包含一具有一V型凹槽的基板、一设置于该基板中的第一掺杂区、二个设置于该V型凹槽两侧的基板中的第二掺杂区、一设置于该基板表面的介电堆叠结构以及一设置于该V型凹槽上方的介电堆叠结构表面的导电层，其中介电堆叠结构具有多个捕捉位置夹置于其中。该V型凹槽的制备方法包含形成一屏蔽层于该基板表面、形成一开口于该屏蔽层中、蚀刻该开口下方的基板以形成该V型凹槽以及去除该屏蔽层。优选地该基板可为硅基板，该V型凹槽具有一斜面位于该硅基板的(111)结晶面，且该硅基板的(100)结晶面朝向下方。
闪存结构及其制备方法

[发明专利]动态随机存取存储器及制造方法-CN200510118409.4无效
发明人：陈昱企;周志文 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供一种动态随机存取存储器及其制作方法，省去了埋入式掺杂带窗的制作，以提高元件效能。动态随机存取存储器包括配置于衬底的第一沟渠中的沟渠式电容器、配置于衬底的第二沟渠中的导电层、一栅极结构与配置于栅极结构二侧的衬底表面上的导电层。第二沟渠的深度小于第一沟渠的深度，且第二沟渠底部与第一沟渠部分重叠。配置于第二沟渠中的导电层与沟渠式电容器的导电层电连接。栅极结构配置于衬底上。栅极结构一侧的导电层与配置于第二沟渠中的导电层电连接。
动态随机存取存储器制造方法

[发明专利]曝光方法-CN200510118117.0无效
发明人：林俊羽 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光方法，适用于一种偏轴照明系统。此方法是先提供一个具有第一图案与第二图案的光罩，并对此光罩进行分析以得到分别对应第一图案的第一光源强度分布与对应第二图案的第二光源强度分布。提供数个光束经过此光罩的第一图案而形成数个第一影像，以取得相对应的第一光源强度分布。接着，提供数个光束经过光罩的第二图案而形成数个第二影像，以取得相对应的第二光源强度分布。将光源调整为第一光源强度分布，以对此光罩的第一图案进行曝光。然后，将此偏轴照明系统的光源调整为第二光源强度分布，以对此光罩的第二图案进行曝光。
曝光方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN200510106792.1有效
发明人：简荣吾 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器，包括衬底、有源元件与深沟渠式电容器。衬底具有沟渠与深沟渠。有源元件设置于衬底上，此有源元件包括栅极结构与掺杂区。栅极结构设置衬底上，且填满沟渠。掺杂区设置于栅极的第一侧的衬底中。深沟渠式电容器设置于栅极的第二侧的该衬底的该深沟渠中，第二侧与第一侧相对，且深沟渠式电容器的上电极邻接沟渠底部。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]瓶型沟渠的形成方法-CN200510106791.7无效
发明人：陈全基;苏扬尧 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种瓶型沟渠(bottle－shaped trench)的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底。于该半导体衬底中形成一沟渠。在该沟渠中形成一离子注入掩模层，露出该沟渠的上部侧壁表面。对上部侧壁表面进行一抑制氧化的离子注入工艺。去除该离子注入掩模层，露出该沟渠的下部侧壁表面以及底部表面。进行一热氧化工艺，使沟渠的表面形成一氧化层，其中上部侧壁表面上的氧化层厚度远小于下部侧壁表面以及底部表面的氧化层厚度。并且移除氧化层，而形成该瓶型沟渠。
沟渠形成方法

[发明专利]存储单元的形成方法、高耦合率存储器及其形成方法-CN200510099523.7无效
发明人：钟志平;林俊男;陈中怡;廖宏魁 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-09-13 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种存储器，此存储器包含多个存储单元，这些存储单元包含基板、浅沟渠隔离、间隙壁、穿遂氧化层以及浮置栅。浅沟渠隔离位于基板中，用以定义有源区域。间隙壁位于浅沟渠隔离的侧壁上，且其高度高于浅沟渠隔离。穿遂氧化层、浮置栅层依序位于有源区域上。其中在浅沟渠隔离的侧壁形成间隙壁后，才蚀刻浅沟渠隔离，使间隙壁高于浅沟渠隔离。
存储单元形成方法耦合存储器及其

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200510084863.2有效
发明人：周志文;朱志勋 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-07-19 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件，包括栅极结构、源极区、漏极区与一对介电阻挡层。栅极结构设置于基底上。源极区与漏极区分别设置于栅极结构两侧的基底中，其中在栅极结构下方、且位于在源极区与漏极区之间有通道区。一对介电阻挡层分别设置于栅极结构下方的基底中，且位于源极区与漏极区之间。介电阻挡层可以减少纳米级元件的漏极引发阻挡降低效应。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]深沟槽的制备方法-CN200510083344.4无效
发明人：钟朝喜;简荣吾 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的深沟槽的制备方法包含形成至少一沟槽于一基板中、形成一含氮层于该沟槽的内壁、形成多个覆盖该含氮层的局部表面的晶粒、形成一含磷氧化层于该含氮层的表面以及将该含磷氧化层转化为一蚀刻液以去除未被该晶粒覆盖的含氮层。该含氮层可为一氮化硅层，而该含磷氧化层可为一硼磷硅玻璃层或一磷硅玻璃层。将该含磷氧化层转化为一蚀刻液的方法可将该基板放置于水蒸气环境中，该含磷氧化层将与水蒸气反应生成磷酸，其可蚀刻该含氮层。
深沟制备方法

[发明专利]集成电路记忆体及其操作方法-CN200610066187.0有效
发明人：强艾伦佛伊;史蒂夫伊顿;麦克莫瑞 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种用于集成电路记忆体的资料汇流排电路，包括用于将记忆体与I/O区块连接的每I/O垫4位元汇流排，但是仅将每I/O两位元用于写入，而每I/O垫4位元用于读取。在输入资料闪控讯号的每个下降边缘时，可经由汇流排传输后两个位元，故毋须精确地计数输入资料闪控脉冲。此外，该资料汇流排电路可相容于DDR1及DDR2操作模式。
集成电路记忆体及其操作方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法-CN200510078054.0无效
发明人：王廷熏 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器的制造方法，此方法先于基底中形成多个第一沟槽与第二沟槽，其中这些第二沟槽位于第一沟槽上面，且横越第一沟槽。然后，于第二沟槽的侧壁上依序形成电荷穿隧层与电荷储存层。接着，于第一沟槽中填入绝缘层。之后，于第二沟槽的侧壁形成电荷阻挡层，及于第二沟槽的底部形成栅介电层。继之，于第二沟槽中填入控制栅极层。然后，于控制栅极层两侧的基底中形成第一掺杂区。
挥发性存储器及其制造方法

[发明专利]用以研磨载具膜的砂纸-CN200510078930.X无效
发明人：连建平;蔡青峰;张冠夫 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-06-17 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： B24D11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种砂纸，用以研磨一载具膜，其中载具膜用于在化学机械研磨工艺中承载半导体晶片。此砂纸包含：一基底、多个研磨区与一中心保留区。其中，中心保留区位于基底上，且为平坦表面，而研磨区放射状地位于基底上。每一研磨区均包含一内保留区、一外保留区与一粗糙表面区，并通过内保留区、外保留区与粗糙表面区以调整载具膜的表面形状。
用以研磨载具膜砂纸

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