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[发明专利]相变化存储器-CN200710108889.5无效
发明人：刘应励 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种相变化存储器，该相变化存储器包含第一电极与第二电极、第一相变化材料层形成于该第一电极与第二电极之间，使得该第一电极与该第二电极通过该第一相变化材料层达成电性连结、以及碳掺杂的氧化物介电层包覆该第一相变化材料层的侧壁。
相变存储器

[发明专利]反及闸型快闪记忆体晶胞阵列及其制造方法-CN200710110702.5无效
发明人：潘建尉;张守宇;曾增文;傅景鸿;锺志平 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是有关于一种反及闸型快闪记忆体晶胞阵列及其制造方法。该反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其包括：一基板，其包括一主动区；复数个排成一列的晶胞，位于上述主动区上；一第一阻障层，覆盖上述复数个晶胞和围绕上述列的各末端的上述主动区；一第一氧化物，沉积于上述复数个晶胞之间的一间隙中，且填充上述间隙；一氧化物间隙壁，形成于位于上述列的各末端的上述晶胞的侧壁上；一多晶硅间隙壁，形成于上述氧化物间隙壁上，上述多晶硅间隙壁是做为驱动上述列晶胞的一选择栅极。
闸型快闪记忆体晶胞阵列及其制造方法

[发明专利]相变化存储装置及其制造方法-CN200710104503.3无效
发明人：陈达;卓言;许宏辉;叶吉田;蔡铭进 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变化存储装置及其制造方法，该相变化存储装置包括：第一电极，设置于第一介电层内；第二介电层，设置于该第一介电层与该第一电极之上；相变化材料层，设置于该第二介电层内并电连接该第一电极；第三介电层，设置于该第二介电层之上；第二电极，设置于该第三介电层内并电连接该相变化材料层；以及至少一空室(gap)，设置于该第一介电层与该第二介电层之内，以至少隔离部分的该相变化材料层与其邻近的该第一介电层或该第二介电层。
相变存储装置及其制造方法

[发明专利]相变化存储器装置及其制造方法-CN200710105193.7无效
发明人：陈颐承;陈志伟;许宏辉;李乾铭 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化存储器装置及其制造方法。上述相变化存储器装置包括：加热构件具有导电部与相对高电阻的加热部；以及相变化存储层与该加热构件堆叠；其中该相对高电阻的加热部包括金属硅氮化物部分。
相变存储器装置及其制造方法

[发明专利]相变存储装置及其制造方法-CN200710103933.3有效
发明人：林永发;王德纯 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种降低加热电极与相变材料层间接触面积的方法，包括下列步骤：提供第一介电层，其内埋设有加热电极，该加热电极具有高出该第一介电层表面的露出部，该加热电极具有第一直径；施行氧化程序，以在该加热电极所露出的该露出部的顶面与侧壁上形成氧化物层，并缩减该露出部的尺寸至第二直径，该第二直径小于该第一直径；移除部分的该氧化物层，以露出该加热电极的该露出部的顶面并在该露出部的侧壁上留下氧化物间隔物；以及在该加热电极的该露出部上形成相变材料层，该相变材料层至少接触该露出部与该氧化物间隔物的顶面。
相变存储装置及其制造方法

[发明专利]相变化存储器-CN200710196280.8有效
发明人：陈达;蔡铭进 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变化存储器，该相变化存储器包含复合材料层包含介电材料及低热传导材料；贯孔形成于该复合材料层；以及相变化材料形成于至少一部分的该贯孔内。
相变存储器

[发明专利]存储器装置的制造方法和相变化层的蚀刻方法-CN200710102125.5无效
发明人：陈颐承 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种存储器装置的制造方法。首先，提供基底，形成介电层于基底上。其后，形成掺杂锡的相变化层于介电层上，形成图案化掩模层于掺杂锡的相变化层上。接下来，以图案化掩模层为掩模，并用以氟为基础且添加氯的蚀刻剂蚀刻掺杂锡的相变化层，以图案化掺杂锡的相变化层。然后，形成电极，电连接图案化的相变化层。
存储器装置制造方法相变蚀刻

[发明专利]补偿电路与具有该补偿电路的存储器-CN200710100841.X无效
发明人：许世玄;林烈萩;江培嘉 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种补偿电路，适用在串联式操作组件，包括写入驱动电路、距离检测电路、操作组件以及辅助驱动电路。该写入驱动电路，提供写入电流至写入路径(writing path)。该距离检测电路，耦接该写入路径，检测该写入电流流经的路径长度，并输出控制信号。该操作组件，耦接该写入路径。该辅助驱动电路，根据该控制信号，用以提供辅助电流至该写入路径。
补偿电路具有存储器

[发明专利]相变化存储装置及其制造方法-CN200710096096.6无效
发明人：黄振明 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-04-13 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变化存储装置及其制造方法。该相变化存储装置包括：基底；介电层，设置于该基底之上；相变化材料层，埋设于该介电层中；以及第一导电电极，埋设于该介电层内，并沿垂直于该介电层的顶面的方向延伸穿透该相变化材料层。
相变存储装置及其制造方法

[发明专利]动态随机存取记忆体的制作方法-CN200710090480.5无效
发明人：李政哲;张道宜;林宗德 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明是有关于一种动态随机存取内存的制作方法，其首先是提供基底。接着，在基底上形成多个晶体管。然后，在晶体管之间形成第一与第二着陆垫接触窗。继之，在基底上形成第一介电层，并在第一介电层中形成暴露出第一着陆垫接触窗的第一开口。随后，在第一介电层上形成阻障层。之后，在第一开口中形成位线接触窗，以及在第一介电层上形成位线。然后，在位线的侧壁上形成衬层。接着，在基底上形成干式蚀刻速率实质上等于衬层的干式蚀刻速率且湿式蚀刻速率大于衬层的湿式蚀刻速率的第二介电层。之后，在第二与第一介电层中形成储存节点接触窗。本发明可避免位于位线下方阻障层材料穿过储存节点接触窗的间隙壁导致位线与储存节点接触窗间产生短路，非常适于实用。
动态随机存取记忆体制作方法

[发明专利]电容器的制作方法-CN200710090479.2无效
发明人：李政哲;庄慧伶;叶星吾 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是有关一种电容器的制作方法，该方法是先提供基底。然后，在基底上依序形成经掺杂的第一介电层以及未经掺杂的第二介电层。之后，在第一介电层以及第二介电层中形成设有多个沟渠。接着，对相邻两沟渠之间的最大间隔处进行离子注入工艺，以在沟渠的上部的部分第二介电层中形成注入区域。然后，进行湿式蚀刻工艺，以移除位于注入区域的部分第二介电层以及位于沟渠底部的部分第一介电层。接着，在沟渠的表面依序形成设有第一导体层以及电容介电层。之后，在沟渠中形成第二导体层。本发明能增加电容器的下电极的表面积，而可增加电容值。另外本发明可同时扩大沟渠上部以及底部的宽度使电容器的电容值增加，并可避免相邻电容器之间短路的情形发生，非常适于实用。
电容器制作方法

[发明专利]相变化存储器的写入方法与系统-CN200710091441.7无效
发明人：陈明忠;赵得胜;颜辰蒲 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化存储器的写入方法，包括：对相变化存储器提供第一写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大于第一温度；以及对该相变化存储器提供第二写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大体上维持在第二温度。
相变存储器写入方法系统

[发明专利]位线上电容器及其下电极的制造方法-CN200710087776.1无效
发明人：林宗德;李政哲 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种位线上电容器的制造方法，包括先提供一个基底，再于基底上形成多条字线。然后，形成分别位于字线之间的多个接地插塞接触窗，再分别在接地插塞接触窗上形成多个第一接触窗。之后，同时于部分第一接触窗上形成多个第二接触窗以及形成分别连接部分第一接触窗的多条位线，然后再于基底表面形成一层内层介电层，以覆盖位线与第二接触窗。随后，在内层介电层中形成多个电容器。上述方法能够达成简化工艺的功效。
线上电容器及其电极制造方法

[发明专利]存储器元件及其制造方法-CN200710087797.3无效
发明人：俞笃豪 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种存储器元件。一柱形结构包括一第一电极层、一位于第一电极上的介电层及一位于介电层上的第二电极层。一相变化层包覆柱形结构的四周围。一下电极电性连接柱形结构的第一电极层。一上电极电性连接柱形结构的第二电极层。
存储器元件及其制造方法

[发明专利]相变存储装置-CN200710088419.7无效
发明人：陈达;许宏辉;叶吉田;蔡铭进 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变存储装置，其包括：第一电极；第二电极；以及相变材料层，设置于该第一与第二电极之间。上述相变材料层包括：第一部，连结于该第一电极，具有第一宽度；第二部，连结于该第二电极，具有第二宽度；第三部，连结该第一部与该第二部，具有第三宽度；以及第四部，分别连结该第三部之一侧边，该第四部具有鳍状外形以及第四宽度，其中该第三宽度为固定宽度，而该第一宽度与该第二宽度为非固定宽度，该第一宽度与该第二宽度分别自该第一电极与该第二电极往该相变材料层的该第三部处渐减。
相变存储装置