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[发明专利]相变化存储器写入的驱动方法与系统-CN200710086370.1无效
发明人：许世玄;林烈萩;江培嘉;王文翰 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化存储器写入的驱动方法，包括计数一相变化存储器的一存取次数以及当该存取次数大于一预定次数时，对该相变化存储器进行数据刷新操作。
相变存储器写入驱动方法系统

[发明专利]相变化存储器及其制造方法-CN200710084981.2无效
发明人：卓言 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明有关于一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包括：基底；第一电极层，形成于该基底之上；点状相变化柱形，成于该第一电极层之上；介电层形成于该第一电极层之上，并覆盖该点状相变化柱的侧面，露出该点状相变化柱的上表面；以及第二电极层，形成于该介电层与该点状相变化柱之上，其中该点状相变化柱的上表面的两维度均小于曝光极限。
相变存储器及其制造方法

[发明专利]相变化存储器-CN200710084989.9无效
发明人：卓言;陈达 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明有关于一种相变化存储器。该相变化存储器包含：第一电极与第二电极，其中该第一电极与第二电极由相变化材料所构成；以及电连结通路，形成于该第一电极与第二电极之间，使得该第一电极与第二电极通过该电连结通路达成电连结，其中该电连结通路包含相变化层及嵌入金属层，当电流由第一电极流通至该第二电极或由该第二电极流通至第一电极，皆通过该相变化层及嵌入金属层。
相变存储器

[发明专利]相变化存储器及其制造方法-CN200710084983.1无效
发明人：卓言;许宏辉 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明有关于一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包含：基底；第一电极层，形成于该基底之上；具有环状或条状相变化层，与第一电极电连结；以及，第二电极，形成于该相变化层上，并与该相变化层电连结，其中该第一电极与第二电极至少一者为相变化材料。
相变存储器及其制造方法

[发明专利]集成电路装置中调节和精确控制时钟占空因数的电路及方法-CN200710148128.2有效
发明人：约翰亥特利 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H03K5/156 文献下载
摘要：本发明提供一种在集成电路装置中调节和精确控制时钟占空因数(dutycycle)的电路和方法，其中电压控制反相器(inverter)仅使用N通道电流调节晶体管，而且藉由串联两个这样的反相器可使上升缘和下降缘都被调节。这些反相器的串联具有获得额外精确度的潜能。
集成电路装置调节精确控制时钟因数电路方法

[发明专利]相变存储装置及其制造方法-CN200710007248.0有效
发明人：陈维恕 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供相变存储装置包括：基板；第一电极层，形成于基板上；第一相变存储结构，形成于第一电极层上，且电连接至第一电极层；第二相变存储结构，形成于第一相变存储结构上，且电连接至第一相变存储结构，其中第一或第二相变存储结构包括：杯形加热电极，设置于第一介电层中；第一绝缘层，沿第一方向设置于第一介电层上，且部分覆盖于杯形加热电极；第二介电层，设置于第一绝缘层和第一介电层上；第一电极结构，沿第二方向设置于第二介电层中，且部分覆盖于第一绝缘层和杯形加热电极，其中上述第一电极结构具有一对相变材料间隙壁，设置于第一电极结构的一对侧壁上，且部分覆盖于杯形加热电极。本发明还涉及相变存储装置的制造方法。
相变存储装置及其制造方法

[发明专利]相变化存储器元件及其制造方法-CN200710147209.0有效
发明人：陈达 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变化存储器元件及其制造方法。该相变化存储器元件包含：晶体管；以及相变化材料层。其中，该相变化材料层与该晶体管的末端接触。具体地说，该晶体管可为场效晶体管或是双极结晶体管。
相变存储器元件及其制造方法

[发明专利]相位变化存储器的写入方法-CN200610172336.1无效
发明人：赵得胜;陈明忠;颜辰蒲;蔡铭进 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一相位变化存储器的写入方法，该相位变化存储器具有非结晶相与结晶相两种状态，该写入方法提供一阶梯型电流脉冲，包括对该相位变化存储器提供一第一结晶化电流脉冲以及对该相位变化存储器提供一第二结晶化电流脉冲，该第一结晶化电流脉冲具有一第一上升边缘、一第一下降边缘以及一第一电流峰值，且该第一电流峰值的维持时间为第一维持时间，该第二结晶化电流脉冲具有一第二电流峰值，该第二电流峰值接续该第一下降边缘，且其维持时间为第二维持时间。
相位变化存储器写入方法

[发明专利]相变存储元件及其制造方法-CN200610168698.3有效
发明人：陈颐承;陈达 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储元件。相变柱位于第一相变层上，第二相变层位于相变柱上，下电极电连接第一相变层，及上电极电连接第二相变层。
相变存储元件及其制造方法

[发明专利]相变存储装置及其制造方法-CN200610166764.3无效
发明人：陈维恕 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2006-12-14 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储装置，包括：基板，其包括叠层结构，上述叠层结构包括多个绝缘层和多个导电层，其中任两层相邻的上述导电层被上述多个绝缘层的其中之一隔开；第一电极结构，形成于上述叠层结构上，且上述第一电极结构具有第一侧壁和第二侧壁；多个加热电极，设置于多个上述导电层上，且邻接于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁；以及一对相变材料间隙壁，设置于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁上，且覆盖于上述多个加热电极上。
相变存储装置及其制造方法

[发明专利]栅氧化层的制备方法-CN200610153108.X无效
发明人：赖素贞;吴政德 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明的栅氧化层的制备方法首先形成具有至少一个开口的屏蔽层于半导体基板之上，再形成沟渠于该开口下方的半导体基板中，其中该沟渠环绕主动区域。其次，扩大该开口的宽度以局部暴露该沟渠侧边的半导体基板(即主动区域边缘)，再进行掺杂工艺以将含氮掺质植入该开口下方的半导体基板中。之后，将该屏蔽层去除以暴露该主动区域的半导体基板，再进行热处理工艺以形成栅氧化层于该主动区域的半导体基板的上表面。该含氮掺质可抑制该半导体基板的热氧化反应速率，因而降低该开口下方的半导体基板表面的栅氧化层厚度，以大幅改进栅氧化层厚度的均匀度，提高栅极的效率。
氧化制备方法

[发明专利]沟渠式电容器结构的制备方法-CN200610149403.8无效
发明人：赖素贞;廖宏魁 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明的沟渠式电容器结构的制备方法首先形成至少一沟渠于一衬底中，再形成一埋入式下电极于该沟渠的下部外缘。其次，形成一覆盖该沟渠内侧壁的介电层，并进行多次沉积工艺以形成多层多晶硅层于该沟渠内，其中该多次沉积工艺之间通入一含导电掺杂剂的气体至该沟渠，使得该导电掺杂剂得以扩散进入该多晶硅层。之后，利用平坦化工艺及非等向性干蚀刻工艺局部去除该沟渠上部的多晶硅层而构成一上电极于沟渠的下部，并形成一环状绝缘层于该沟渠上部内壁，再利用该环状绝缘层为掺杂掩模进行一掺杂工艺以将导电掺杂剂注入该上电极。
沟渠电容器结构制备方法

[发明专利]降低导电层与掩模层间应力的方法以及制造栅极的方法-CN200610136061.6无效
发明人：杨宗勋;吴孝哲;陈丰钧;潘建勋 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：一种降低导电层与掩模层间的应力的方法，包含于该导电层上方形成该掩模层之前，进行一含氮气体的等离子体处理以改质一导电层与一掩模层接触的表面的步骤。该方法可用于栅极的制造，此栅极制造方法包含下列步骤：提供一衬底；以及于衬底上依序沉积一氧化层、一导电层、及一掩模层，以形成一栅极堆叠结构。其中，于沉积掩模层之前，进行一含氮的气体的等离子体处理以改质导电层表面。本发明还提供一种制造栅极的方法。
降低导电掩模层间应力方法以及制造栅极

[发明专利]相变化存储器及其制造方法-CN200610154300.0有效
发明人：许宏辉 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包括：基底；具有第一开口的第一介电层形成在该基底之上；第一电极形成在该第一开口内并填满该第一开口；柱状第二介电层直接形成在该第一电极之上；第一导电层形成在该柱状第二介电层的侧壁上，并与该第一电极电连接；第三介电层完全覆盖该第一电极及包覆该第一导电层的侧壁，并露出该第一导电层的上表面；相变层形成在该第三介电层之上并与该第一导电层之的表面直接接触；第四介电层形成在该第三介电层和该相变层之上，其中该第四介电层具有第二开口露出该相变层的上表面；第二导电层形成在该第二开口内并填满该第二开口，并与该相变层电连接；并且第二电极与该第二导电层电连接。
相变存储器及其制造方法

[发明专利]内存结构及其制备方法-CN200610127787.3有效
发明人：简荣吾;萧家顺 -专利权人： 茂德科技股份有限公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种内存结构包含半导体基板、设置于该半导体基板中的主动区、多个设置于该半导体基板中的掺杂区、电连接位线及该多个掺杂区之一的第一导电插塞以及电连接电容器及另一掺杂区的第二导电插塞。该第一导电插塞包含设置于该主动区域内的第一区块及设置于该主动区域的第一侧边的第二区块，且该位线连接该第一导电插塞的第二区块。该第二导电插塞包含设置于该主动区域内的第三区块及设置于该主动区域的第二侧边的第四区块，且该电容器连接于该第二导电插塞的第四区块。
内存结构及其制备方法