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[发明专利]一种晶体管外延结构及防止晶体管TGV刻蚀过度的方法-CN202310868663.4在审
发明人：张雪;冯猛;周韧林;杨焕荣;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管外延结构及防止晶体管TGV刻蚀过度的方法，晶体管外延结构包括：依次设置的硅衬底、隔离薄膜、外延层、以及贯穿所述外延层和所述隔离薄膜的玻璃通孔，所述玻璃通孔通过TGV刻蚀得到，所述TGV刻蚀采用当刻蚀至所述隔离薄膜时，将剩余刻蚀时间缩短至预设的薄膜刻蚀时间的方式进行，所述薄膜刻蚀时间为依据隔离薄膜的刻蚀速率得到的时间。本发明中的晶体管外延结构能够较好地避免晶体管TGV刻蚀过度或过量，使得硅衬底表面台面高低基本一致，降低器件间电流泄露的可能性。
一种晶体管外延结构防止 tgv 刻蚀过度方法

[发明专利]晶圆及晶圆的制备方法-CN202310869048.5在审
发明人：周韧林;杨焕荣;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆及晶圆的制备方法，属于半导体技术领域，包括：在衬底上向上外延沉积有至少一氮化铝层、至少一氮化铝镓层和至少一氮化镓层；在沉积至少一层氮化铝镓层时，控制氮化铝镓层中氮化铝的占比，以使得晶圆的翘曲度的绝对值小于预设值。本发明通过控制氮化铝镓层中的氮化铝的占比，以控制在降温处理过程中产生的张应力，进而降低晶圆的翘曲度，降低后续加工工艺的复杂度，可有效克服翘曲度过高导致晶圆生成裂纹甚至破片的问题。
制备方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN202310828871.1在审
发明人：周韧林;杨焕荣;张雪;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件的制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上形成外延层；在外延层上形成第一掩膜层，第一掩膜层中镂空设置有凹陷区域；在无H原子的环境下，在第一掩膜层上覆盖p型氮化物层；p型氮化物层与外延层接触形成栅极；去除位于第一掩膜层非凹陷区域上部的p型氮化物层以及第一掩膜层。通过上述方式，降低了p型氮化物层的氢元素含量，提高p型氮化物层的空穴浓度和迁移率，且无需采用刻蚀工艺即可制备栅极，避免出现刻蚀损伤，提高了半导体器件的性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置结构和其制造方法-CN202080003350.7有效
发明人： 吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本揭露提供了半导体装置结构和其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一层、第二层、第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层。所述第一层安置在所述衬底上并与所述衬底接触。所述第一层包含AlX1Ga(1‑X1)N，其中0.5≦X11。所述第二层安置在所述第一层上并与所述第一层接触。所述第二层包含Al、Ga和N。所述第一氮化物半导体层在所述第二层上。所述第二氮化物半导体层在所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。
半导体装置结构制造方法

[发明专利]用于III族氮化物半导体的具有不连续铝含量的外延层-CN202080006330.5有效
发明人： 吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底(10)；III族氮化物过渡层堆叠(11)，其安置于所述衬底(10)上，所述III族氮化物过渡层堆叠(11)维持与所述衬底(10)的外延关系；第一III族氮化物层(121)，其安置于所述III族氮化物过渡层堆叠(11)上；和第二III族氮化物层(122)，其安置于所述第一III族氮化物层(121)上，所述第二III族氮化物层(122)具有大于所述第一III族氮化物层(121)的带隙能量的带隙能量，其中所述III族氮化物过渡层堆叠(11)包括第一过渡层(111)、所述第一过渡层(111)上的第二过渡层(112)以及所述第二过渡层(112)上的第三过渡层(113)，且其中所述第二过渡层(112)在所述第一过渡层(111)、第二过渡层(112)和第三过渡层(113)当中具有最小铝摩尔比。本发明还涉及形成此类半导体器件的方法。根据本发明的所述半导体器件有利地在所述第一III族氮化物层(121)中具有小于或等于1×109cm‑2的位错密度。
用于 iii 氮化物半导体具有连续含量外延

[发明专利]半导体器件结构和其制造方法-CN202080005485.7有效
发明人：黃敬源;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供半导体器件结构和其制造方法。所述半导体器件结构包含衬底、所述衬底上的半导体层以及安置在所述衬底上且被所述半导体层覆盖的图案化电介质层。所述图案化电介质层经配置以防止所述半导体层中的成分扩散到所述衬底中。所述半导体器件结构还包含所述半导体层上的第一氮化物半导体层和所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。
半导体器件结构制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180000640.0有效
发明人：周以伦;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层和碳氮化物半导体层。第一氮化物半导体层在衬底上方。第二氮化物半导体层形成在第一氮化物半导体层上，并且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。碳氮化物半导体层位于衬底和第一氮化物半导体层之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]发光二极管-CN201010176086.5无效
发明人： 吴芃逸;黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括：一衬底，一缓冲层位于所述衬底上，一N型半导体层位于缓冲层上，一发光层位于N型半导体层上，一P型半导体层位于发光层上，一透明导电层位于P型半导体层上，一P型电极位于透明导电层上，以及一N型电极位于N型半导体层上，所述P型电极包括一第一P型电极以及一透明的第二P型电极。与现有技术相比，本发明发光二极管中的第二P型电极具有透光的特点，可使发光二极管发出的光线透过，因此大大提高发光二极管的发光效率。
发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201010123344.3无效
发明人：黄世晟;凃博闵;吴芃逸 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明揭示一发光二极管及其制造方法。该方法包含提供一基材；形成一缓冲层于此基材上；形成一氮化镓层于前述缓冲层上；低温形成一粗化层于前述氮化镓层上；形成一磊晶层于前述粗化层上，其中磊晶层材料之折射率大于粗化层材料之折射率。其方法主要为提高发光二极管之出光率及改善磊晶质量，且在同一个MOCVD反应器中即可完成。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200910220973.5无效
发明人：林文禹;黄世晟;凃博闵;吴芃逸 -专利权人：展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明揭露一种制造发光二极管的方法，此方法包括以下步骤。提供一基材；形成一光学层于此基材上；施加约1000℃至约1500℃的热处理，使光学层的一表面产生多数不规则孔洞；形成一第一半导体层于光学层上，其中第一半导体层材料的折射率大于光学层材料的折射率；形成一活性层于第一半导体层上；以及形成一第二半导体层于活性层上。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN200910208519.8无效
发明人： 吴芃逸;黄世晟;涂博闵;林文禹;洪梓健 -专利权人：展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种制作发光二极管的方法，首先提供一基板，随后于所述基板上形成一凸出图案层，且所述凸出图案层暴露出部分所述基板而形成复数个裸露区域，接下来于所述等裸露区域内分别形成一独立的岛状半导体叠层。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]提高光萃取效率的半导体光电结构及其制造方法-CN200910158208.5无效
发明人：黄世晟;涂博闵;吴芃逸;林文禹;马志邦;洪梓健;沈佳辉 -专利权人：展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明为一种提高光萃取效率的半导体光电结构及其制造方法，该半导体光电结构包含：一基板，一缓冲层位于前述基板上，其中前述缓冲层具有一连续性的孔洞图案于前述缓冲层与前述基板之间，一半导体层位于前述缓冲层上，其中前述半导体层包含：一n型导通层位于前述缓冲层上，一发光层位于前述n型导通层上，一p型导通层位于前述发光层上，一透明导电层位于前述半导体层上，一p型电极位于前述透明导电层上，以及一n型电极位于前述n型导通层上。发光层下方形成连续性的孔洞，用以反射发光层发射的光，提高出光面的光强度以及亮度。另外，本发明可减少外延的缺陷密度，提高外延品质。
提高萃取效率半导体光电结构及其制造方法

[发明专利]分离基板与半导体层的方法-CN200910130868.2无效
发明人：涂博闵;黄世晟;叶颖超;林文禹;吴芃逸;马志邦;洪梓健;沈佳辉 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明为一种分离基板与半导体层的方法，其特征为形成一图案化二氧化硅层于暂时基板与半导体层之间，再以二次湿式蚀刻的方式从图案化二氧化硅层将暂时基板分离。本发明用化学湿式蚀刻的方式去除暂时基板可以避免半导体层因激光剥离方法(Laser Lift Off；LLO)而破坏结构。另外，化学湿式蚀刻的方式可以让制造工艺步骤更简单，技术成本降低。在垂直半导体元件上，由于制造工艺形成的不规则表面更增加元件的发光效益。另外，在制造工艺中使用湿式蚀刻也可增加批次放大，降低制造工艺的成本。
分离半导体方法

[发明专利]倒装芯片式半导体光电元件的结构及其制造方法-CN200910119833.9在审
发明人：郭子毅;陈隆欣;曾文良;黄世晟;涂博闵;叶颖超;林文禹;吴芃逸;詹世雄 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明为一种倒装芯片式半导体光电元件的结构及其制造方法，该制造方法包括：首先形成一牺牲层于一外延基板上；形成一半导体发光结构于所述牺牲层上；蚀刻所述半导体发光结构；以倒装芯片方式将半导体光电裸片固定于封装基板后，再以剥离技术(Lift Off)将外延基板分离。该倒装芯片式半导体光电元件的制造方法工艺简单，利用该制造方法制造的半导体光电元件发光率高、散热性好。
倒装芯片半导体光电元件结构及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN200910119595.1有效
发明人：林文禹;黄世晟;涂博闵;叶颖超;吴芃逸;詹世雄;杨顺贵;黄嘉宏 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2009-03-17 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包含一基板、一N型导电的半导体层、一P型导电的半导体层、一活性层(active region)以及双重应变补偿层(strain-compensating layer)，其中双重应变补偿层位于N型导电的半导体层与活性区之间，以增加电子与空穴的复合几率。
一种发光二极管及其制造方法

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