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[发明专利]一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法-CN202311000994.2在审
发明人：付融;陈钏;李君;王启东 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01D69/12 文献下载
摘要：本申请提供一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法，将多孔碳纳米管分散在表面活性剂溶液中，形成多孔碳纳米管悬浮液；使用网状结构的金属材料对多孔碳纳米管悬浮液进行过滤，得到多孔碳纳米管膜，在多孔碳纳米管膜中的多孔碳纳米管表面形成二氧化硅膜，得到第一多孔碳纳米管复合膜，对第一多孔碳纳米管复合膜进行疏水硅烷偶联剂修饰，得到第二多孔碳纳米管复合膜。由于无法直接在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，二氧化硅膜能够便于疏水硅烷偶联剂的生长，就可以在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，疏水硅烷偶联剂能够使复合膜呈现出超疏性的同时，还可以消除疏水修饰对膜的透气的影响，保证复合膜的高透气性。
一种多孔纳米复合及其制备方法

[发明专利]一种薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法-CN202311001464.X在审
发明人：付融;陈钏;李君;王启东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括：在第一衬底上形成沸腾腔结构。从第二衬底的第一表面刻蚀第二衬底，形成多个凹槽。从第二衬底的第二表面刻蚀第二衬底至凹槽，形成多个孔道。在第一表面形成纳米针状结构，利用表面疏水硅烷偶联剂修饰纳米针状结构，形成超疏纳米针状表面结构。超疏纳米针状表面结构和孔道构成超疏多孔硅膜结构，结合沸腾腔结构和超疏多孔硅膜结构，这样液体就可以在沸腾腔结构和超疏多孔硅膜结构之间形成液膜，并且利用超疏多孔硅膜结构实现气泡脱离液膜并且排出。通过制造超疏多孔硅膜结构包括的孔道以及超疏纳米针状表面结构，能够极大的提高气液分离效率。
一种薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法

[发明专利]一种扇出封装结构及其形成方法-CN202211581254.8在审
发明人：陈钏;付融;李君;王启东 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种扇出封装结构，其特征在于，包括：第一晶圆；第二晶圆，其具有空腔，并与所述第一晶圆阳极键合；芯片堆叠结构，其位于所述第二晶圆的空腔中，并通过键合层与所述第一晶圆连接。该扇出封装结构中的空腔深度均一，并且利用金属材质的键合层代替贴片胶，使得芯片背面的热阻低，且热阻分布均匀。本发明还涉及一种扇出封装结构的形成方法。
一种封装结构及其形成方法

[发明专利]冷却结构的异质集成封装结构及其形成方法-CN202211582222.X在审
发明人：陈钏;付融;王启东 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明涉及冷却结构的异质集成封装结构及其形成方法，其中双面冷却结构的异质集成封装结构包括：微流道转接板，其正面具有第一微流道；玻璃晶圆，其与所述微流道转接板的正面的两侧阳极键合，其中所述玻璃晶圆具有空腔，所述空腔与所述第一微流道连通；芯片堆叠结构，其与所述微流道转接板的正面的中部区域连接；微流道液冷板，其正面与所述芯片堆叠结构连接，且所述微流道液冷板的背面具有第二微流道，所述第二微流道与所述玻璃晶圆的空腔连通。通过玻璃晶圆实现上下流道的互通，可靠性高，玻璃晶圆耐腐蚀，不容易老化，降低了长期使用失效的风险。
冷却结构集成封装及其形成方法

[发明专利]一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法-CN202211228121.2在审
发明人：付融;陈钏;曹立强;王启东;李君;苏梅英 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括依次层叠设置的超亲纳米结构层、气液分离膜层和流道结构层，当半导体芯片的热量传输到超亲纳米结构层后，液膜开始沸腾并进行相变产生气泡，利用对液体具有超亲性的超亲微纳米结构层有效限制气泡和超亲微纳米结构层的表面的接触面积，减小气泡附着力，利用气液分离膜层的超疏水部分实现将气泡中的气体快速排出，防止液膜中的液体溢出，实现气液分离强化，利用气液分离膜层的超亲水部分限制气泡在气液分离膜层的吸附扩张，降低液膜补液阻力，进而避免液膜干涸断裂，本申请实施例提供的受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构能够满足半导体芯片的散热需求。
一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法

[发明专利]一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法-CN202211227301.9在审
发明人：付融;陈钏;曹立强;王启东;李君;苏梅英 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括依次层叠设置的流道层、超疏滤膜层和工质进出结构层，当半导体芯片的热量传输到流道层后，液膜开始沸腾并进行相变产生气泡，利用对液体具有超亲性的超亲微纳米结构实现对于沸腾气化核心的近位补液，并且有效限制气泡和超亲微纳米结构的表面的接触面积，减小气泡附着力，利用超疏滤膜层实现将气泡中的气体快速排出，并且同时防止液膜中的液体溢出，实现气液分离强化的目的，由此可见，本申请实施例提供的受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构能够满足半导体芯片的散热需求。
一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法

[发明专利]一种磁性纳米流体及其制备方法-CN201710371547.6有效
发明人：阎玉英;付融;石泳;王惜慧 -专利权人：宁波诺丁汉大学
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性纳米流体及其制备方法，属于磁性材料的技术领域。所述的磁性纳米粒子经过表面羧基化处理、胶体溶液溶剂转换和粒子表面羧酸去质子化处理而得到所述的磁性纳米流体，所述的磁性纳米流体的粒子团聚尺寸在55‑100nm范围内可调。本发明避免了皂剂使用和长时间超声处理，使粒子的胶体稳定性受控与流体的酸碱性，实现了对纳米粒子聚集行为的直接调控，得到的纳米流体具有胶体稳定时间长，剧烈震荡后无泡沫的优点。
流体磁性纳米制备磁性纳米粒子表面羧基化胶体稳定性超声处理磁性材料胶体溶液胶体稳定粒子表面粒子团聚纳米粒子纳米流体去质子化酸碱性溶剂可调受控皂剂羧酸粒子震荡转换调控

[发明专利]一种磁性二氧化硅复合粒子的制备方法-CN201110053886.2无效
发明人：杨文胜;付融;梁经纶;金秀梅;郑惟时 -专利权人：吉林大学
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：本发明的一种磁性二氧化硅复合粒子的制备方法属于磁性材料的技术领域。工艺过程包括：通过细乳化过程得到稳定分散在水相的磁性油滴，后经挥发油相得到磁性聚集体；再通过表面活性剂替换得到的吸附有亲硅表面活性剂的磁性聚集体；将前述的磁性聚集体加入到经过预水解的体系；经过二氧化硅物种的吸附及生长实现二氧化硅壳层的包覆。本发明通过亲硅表面活性剂的替换实现了二氧化硅对具有高磁核数量的磁性聚集体的直接包覆，制备方法简单快捷；所得的磁性二氧化硅复合粒子粒径均一；可通过调控磁性聚集体大小以及硅层生长的时间控制最终粒径和磁性物质含量。
一种磁性二氧化硅复合粒子制备方法

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