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[发明专利]一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法-CN202311000994.2在审
发明人：付融;陈钏;李君;王启东 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01D69/12 文献下载
摘要：本申请提供一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法，将多孔碳纳米管分散在表面活性剂溶液中，形成多孔碳纳米管悬浮液；使用网状结构的金属材料对多孔碳纳米管悬浮液进行过滤，得到多孔碳纳米管膜，在多孔碳纳米管膜中的多孔碳纳米管表面形成二氧化硅膜，得到第一多孔碳纳米管复合膜，对第一多孔碳纳米管复合膜进行疏水硅烷偶联剂修饰，得到第二多孔碳纳米管复合膜。由于无法直接在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，二氧化硅膜能够便于疏水硅烷偶联剂的生长，就可以在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，疏水硅烷偶联剂能够使复合膜呈现出超疏性的同时，还可以消除疏水修饰对膜的透气的影响，保证复合膜的高透气性。
一种多孔纳米复合及其制备方法

[发明专利]一种面向多值忆阻器阵列的写-校验电路及方法-CN202311141769.0在审
发明人：杨玉超;张权;闫龙皞;黄如;贺晓东;卜伟海 -专利权人：北京大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种面向多值忆阻器阵列的写‑校验电路及方法，属于微电子技术领域；本发明电路包括控制状态机、高电压通路和读出电路，通过写‑校验电路中控制状态机控制高电压通路和读出电路，实现对多值忆阻器阵列的写‑校验，写‑校验电路的读出电路中钳位放大器、钳位三极管和读出电阻组成的钳位电路使得可以读出具有更大开关比的器件的电导值，实现多值器件的精确读出；同时写‑校验方法中等待功能的引入，减少脉冲施加次数，降低弛豫时间对编程精度的影响，可以用更高的精度实现器件的编程。
一种面向多值忆阻器阵列校验电路方法

[发明专利]一种三维存储器阵列及其制备方法-CN202310921868.4在审
发明人：蔡一茂;孙经纬;王宗巍;鲍盛誉 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司;北京大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器阵列架构及其制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明提出的三维1T1R阵列中，每条源线SL由串联的一列晶体管组成，对应有一条字线WL连接到这一列晶体管的栅极，控制这一列晶体管的开关状态。本发明阵列工作时，被访问的器件所在一列晶体管开启，其余列的晶体管关闭；器件所在的SL和位线BL施加相应访问或操作电压，非选通的BL和SL电压保持一致，可以访问到阵列中的任意一个器件。相应的，同时选通多条BL或同时选通多条SL来实现并行访问。采用本发明可以将1T1R阵列的存储密度提升到和目前3D‑Nand Flash存储器相当的程度，远超过目前的1T1R阵列密度。
一种三维存储器阵列及其制备方法

[实用新型]一种氮化铝陶瓷浆体二级除铁装置-CN202321507426.7有效
发明人：宋自立;陶近翁;陶岳雨;贺婷婷 -专利权人：卡贝尼新材料科技（上海）有限公司;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B03C1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了陶瓷生产技术领域一种氮化铝陶瓷浆体二级除铁装置，包括搅拌桶、管道以及干燥塔，搅拌桶内设置多根强磁棒，不锈钢管上设置多个强磁铁块，搅拌桶通过管道连接干燥塔。本实用新型通过在搅拌桶内设置多根强磁棒对陶瓷浆料进行一级除铁处理，再通过在管道上设置多个强磁铁块对流经管道内的陶瓷浆料进行二级除铁处理，通过两级除铁处理对陶瓷浆料中的杂质铁粉清除更完善，且强磁铁块方便拆卸，清洗、安装也方便，适合工业化生产。
一种氮化陶瓷二级装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310766982.4有效
发明人：夏初晴;郑凯;苏悦阳;周亦康 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括若干器件区和包围每个器件区的切割道区，所述SOI衬底上还包括第一介质层；位于所述第一介质层表面的第二介质层以及位于所述第二介质层中的第一波导结构，部分第一波导结构位于所述切割道区，任意相邻器件区的光路通过所述切割道区的第一波导结构连通。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，通过设置于切割道区的第一波导结构实现全片光互连并且降低器件延迟和功耗。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种保护外壳-CN202320964284.0有效
发明人：毛鑫;刘敦宇;殷梓卿;张玉建 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01H13/04 文献下载
摘要：本申请提供一种保护外壳，用于安装在紧急按钮的外围，以保护紧急按钮，该保护外壳包括主体和从主体外部周边边缘向上延伸的第一挡板和第二挡板；其中，主体中心设有供紧急按钮通过的通孔，当保护外壳安装在紧急按钮的外围时，第一挡板和第二挡板分别位于紧急按钮的左方和右方。本申请实施例提供的保护外壳可以对紧急按钮进行较好的保护，符合人体工学设计，在保证紧急按钮在具有较好的防误触能力的同时能够满足易于触发的特点。
一种保护外壳

[实用新型]一种灭火器放置架-CN202320271117.8有效
发明人：马泽;周涛;李玥蓉 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A62C13/78 文献下载
摘要：本申请提供一种灭火器放置架，包括：底座，底座底部设有轮组；设置在底座上的托盘，托盘用于承载灭火器；连接在托盘和底座之间的升降机构，升降机构用于带动托盘相对于底座进行升降运动。通过将灭火器放置在本申请提供的灭火器放置架上，在整个灭火过程中，操作者无需将灭火器从托盘上取下并手提或肩抗灭火器进行灭火，即使力量较小的人员也能轻松完成灭火，整个过程简单便捷、省时省力。
一种灭火器放置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310896518.7在审
发明人：任烨;吴旭升 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面形成有第一外延层和第二外延层，所述半导体衬底包括若干交替分布的第一区域和第二区域；掩埋金属连接结构，位于所述第二区域的第一外延层和第二外延层中，所述掩埋金属连接结构的顶面尺寸小于所述掩埋金属连接结构的底面尺寸；穿硅通孔连接结构，位于第二区域的半导体衬底的第二表面贯穿所述半导体衬底并电连接所述掩埋金属连接结构的底面。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，增加了掩埋金属连接结构底部的尺寸，可以使得掩埋金属连接结构和穿硅通孔连接结构精准对接，提高器件可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种低资源消耗的面向忆阻器耐久性的磨损均衡方法-CN202311036241.7有效
发明人：杨玉超;张权;闫龙皞;黄如;贺晓东;卜伟海 -专利权人：北京大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种低资源消耗的面向忆阻器耐久性的磨损均衡方法，属于集成电路技术领域。本发明是将被频繁写入数据的存储空间块与未被频繁写入数据的存储空间块进行数据交换，使数据写入在整个存储空间上尽可能均匀，有助于缓解频繁读写带来的器件损坏的问题，提高RRAM阵列寿命。同时，该发明在不改变存储器整体架构的情况下，尽可能少的花费额外存储资源和算力，保证较低的面积与能量开销，具有广阔的应用前景。
一种资源消耗面向忆阻器耐久性磨损均衡方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN202310969273.6在审
发明人：吴旭升 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：本申请提供一种互连结构及其形成方法，该形成方法包括：提供前层结构和位于前层结构上的堆叠结构，该堆叠结构包括依次堆叠的第一导电阻挡材料层、导电连线材料层、第二导电阻挡材料层、通孔连线材料层以及第三导电阻挡材料层；在第三导电阻挡材料层上形成第二掩膜层；刻蚀堆叠结构至暴露前层结构，其中，与第二掩膜层和第三掩膜层位置对应的第一导电阻挡材料层、导电连线材料层和第二导电阻挡材料层被保留并分别形成第一导电阻挡层、导电连线和第二导电阻挡层；与第三掩膜层位置对应的第三导电阻挡材料层和通孔连线材料层被保留并分别形成通孔连线和第三导电阻挡层。本申请的互连结构及其形成方法可以提高互连结构的良率。
互连结构及其形成方法

[发明专利]一种TOC测量装置及其控制方法-CN202310747556.6在审
发明人：何明林;王宸;邓诗云 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N27/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种TOC测量装置，包括连通管道、测量系统、控制系统，所述测量系统包括第一紫外反应器、第一传感器、第二传感器，所述第一紫外反应器设置在连通管道中，且被构造为发出第一紫外光，以对流经的液体进行氧化反应；所述第一传感器、第二传感器分别位于所述第一紫外反应器的上游、下游，且被构造为用于对进入第一紫外反应器之前的液体进行检测；所述控制系统被配置为基于第一传感器、第二传感器获得的数据确定液体中的TOC。本公开的TOC测量装置，相对于传统测量仪表中通过液体来测量TOC的方法相比，提高了测量的实时性，可快速获得液体的TOC。
一种 toc 测量装置及其控制方法

[发明专利]一种基于1T1R阵列寄生电容的编程方法-CN202310930704.8在审
发明人：王宗巍;郑子豪;蔡一茂;黄如 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司;北京大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于1T1R阵列寄生电容的编程方法，属于半导体集成电路的存储器技术领域。本发明通过在阵列的每条源线(SL)和位线(BL)末端都连接了一个开关管，提出两种工作模式：写入数据“1”时对寄生电容进行充电，写入数据“0”时寄生电容放电。采用本发明能够防止写入过程中阵列单元过编程的问题。且针对不同的工艺和器件对应的写入高电平不同，通过连接开关管的方式，实现了线路的寄生电容可调，能够适用于不同的工艺水准和器件标准。
一种基于 t1r 阵列寄生电容编程方法

[实用新型]一种温度控制装置-CN202321230797.5有效
发明人：于涵立;程远 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本申请提供一种温度控制装置，用于控制刻蚀设备的腔室内的温度，包括至少一个温度调节组件，温度调节组件包括：环形管道，环形管道设置在刻蚀设备的腔室的外表面上，环形管道上开设有入口和出口；至少一个温控组件，温控组件包括入口通道和出口通道，入口通道与入口连接，出口通道与出口连接；其中，入口通道用于通入冷却介质，入口通道内设置有用于将冷却介质加热到指定温度的加热结构。本申请实施例提供的温度控制装置能够对刻蚀设备的腔室内的温度具有较好的降温效果，保证刻蚀设备工作时腔室内的温度能够稳定在允许范围内。
一种温度控制装置

[实用新型]一种晶圆加热装置-CN202320424113.9有效
发明人：刘谋强;何军;崔澎 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B05D3/04 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆加热装置，所述晶圆加热装置包括：加热盘，用于放置并加热晶圆；加热盘盖，设置于所述加热盘上方，与所述加热盘完全贴合形成加热腔室，所述加热盘盖的侧部顶部均匀设置有若干进气口，所述加热盘盖的上表面中心设置有排气管。本申请提供一种晶圆加热装置，将进气口设置于加热盘侧部顶部，增加气流与晶圆之间的距离，可以提高晶圆表面温度均匀性。
一种加热装置

[发明专利]质量检测的局部密度对比抽检方法及装置、介质-CN202211415201.9在审
发明人：王焕钢;王心;吴国游;刘元心 -专利权人：清华大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本公开公开了质量检测的局部密度对比抽检方法及装置、介质，包括以下步骤：S1、对采集到的半导体生产刻蚀过程的批次数据进行特征提取；S2、对特征提取后的数据进行数据标准化；S3、对标准化后的特征数据进行特征选择；S4、将特征选择后的数据进行聚类，得到每个类的中心样本；S5、将特征选择后的数据进行评分，采用局部密度对比算法计算每个样本的离群分数，将离群分数由大到小进行排序，得到离群分数排序表；S6、对样本进行抽检，抽取步骤S4中得到的中心样本和步骤S5中得到的排序表中离群分数最高的k个样本进行质量检测。本公开数据分析过程简单高效，采用的抽检方法有针对性地抽取最能够代表各个类的中心样本和最离群的可疑样本。
质量检测局部密度对比抽检方法装置介质

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