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[实用新型]一种发光二极管光源的封装结构-CN202121757697.9有效
发明人：杨海涛;童小东 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管光源的封装结构，涉及大功率电力电子技术领域，包括金属管壳，金属管壳内设置有衬底，衬底上设有多个并联的电路结构，每个电路结构包括多个发光二极管芯片和与发光二极管芯片对应连接的多个焊盘，金属管壳具有出光口，发光二极管芯片朝向金属管壳的出光口。发光二极管芯片具有体积小、能量转换效率高、便于根据需求调整发光二极管芯片数量的特点，多个并联电路结构使得衬底上集成大量的发光二极管芯片，提高了整体的功率，发光二极管光源的封装结构后期形成的光斑质量更好；并且由于发光二极管芯片具有体积小的特点，通过集成大量的发光二极管芯片，方便应用于大功率的使用环境中。
一种发光二极管光源封装结构

[发明专利]一种数字预失真方法及装置-CN202110274948.6有效
发明人：杨天应;刘石头;张胜峰 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种数字预失真方法及装置，该方法包括：获取功率放大器中晶体管的当前结温对晶体管在时间t内的非线性函数关系；将功率放大器的输出端信号耦合出第一输出信号和第二输出信号，将第一输出信号转换成数字信号，并根据数字信号建立功率放大器的非线性模型；根据功率放大器的第二输出信号计算晶体管的当前结温，并根据当前结温以及非线性函数关系，建立功率放大器的当前热功耗对功率放大器在时间t内的非线性函数，并更新非线性模型然后对功率放大器进行预失真处理。本发明实施例能够全面对功率放大器的记忆效应，尤其是功率放大器的热记忆效应进行矫正，有利于提高对功率放大器的非线性矫正效果，进而能够有效提高预失真的效果。
一种数字失真方法装置

[实用新型]一种射频功率放大器-CN202121475894.1有效
发明人：周勇;唐东杰;龚全熙;金冬 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本实用新型涉及射频技术领域，公开了一种射频功率放大器，包括功率放大电路和偏置电路；所述功率放大电路包括顺序连接的输入匹配单元、第一放大器、中间匹配单元、第二放大器和输出匹配单元，所述中间匹配单元和输出匹配单元均设置有可调电容；所述偏置电路分别和第一放大器、第二放大器连接。有益效果为：中间匹配单元和输出匹配单元均设置了可调电容，通过改变电压调节可调电容的电容值，可使匹配单元从一个频段切换到另一个频段。因此采用本实用新型的功率放大器可以使用更少的功率放大器支持宽频带，有效节省了PCB面积。
一种射频功率放大器

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111168049.4在审
发明人：杨天应 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底和半导体层，半导体层上划分有两个相间隔的有源区，以及位于有源区外围的无源区，在有源区设置有第一源极、漏极和栅极，在无源区设置有源极焊盘、漏极焊盘和栅极焊盘，漏极焊盘与漏极连接，栅极焊盘与栅极连接；在两个有源区上连接设置有第二源极，第二源极包括第一金属部、第二金属部和第三金属部，第一金属部和第三金属部分别连接于两个有源区，第二金属部位于两个有源区之间的无源区；源极焊盘分别与第一源极和第二源极连接，源极焊盘与第二源极共用第二金属部，得到预制器件结构。该半导体器件能够改善因源极测试焊盘设置在芯片边缘而导致的探针分布复杂的问题。
一种半导体器件及其制备方法

[实用新型]光纤光开关-CN202121974168.4有效
发明人：杨海涛 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种光纤光开关，涉及光纤通信技术领域。该光纤光开关包括分光光纤盒、多个分光光纤、多个散射镜以及多个芯片，多个分光光纤和多个散射镜一一对应，多个散射镜和多个芯片一一对应；光束入射至分光光纤盒，分光光纤盒将入射的光束分束后分别通过多个分光光纤一一对应入射至多个散射镜，散射镜用于将光束扩束后一一对应入射至多个芯片。该光纤光开关能够满足驱动系统中开关快速控制的要求。
光纤开关

[实用新型]可调功率分配器、集成电路及电子设备-CN202121725924.X有效
发明人：金冬;周勇;唐东杰;龚全熙 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H03H7/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可调功率分配器、集成电路及电子设备，涉及通信技术领域。可调功率分配器包括功分第一端、功分第二端与功分第三端、电感及可调电容；电感的第一端与可调电容的第一端连接，电感与可调电容的连接点与功分第一端连接，电感的第二端与功分第二端连接，可调电容的第二端与功分第三端连接；功分第一端用于接入信号，经过功率分配后由功分第二端及功分第三端输出；可调电容用于通过调整电容值以调节功分第二端和功分第三端输出信号的功率占比。本申请采用可调电容，在成片之后依然可以对可调电容的容值进行调整，进而可以实现调节功率分配比，降低相关芯片的调试难度，提高芯片设计效率。
可调功率分配器集成电路电子设备

[实用新型]一种封装焊线夹具-CN202121699537.3有效
发明人：杨元杰;王加大;朱占全 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：一种封装焊线夹具，涉及芯片封装技术领域，包括热板，热板上具有容纳槽，容纳槽呈矩形结构，沿容纳槽的至少一个侧边朝向远离容纳槽的方向延伸有容置槽，容纳槽与容置槽配合形成承载区域，承载区域用于容置电路板。该封装焊线夹具能够兼顾至少两款大小不一的电路板的实际需求，以保证焊线工艺顺利完成。
一种封装夹具

[发明专利]一种半导体器件及制备方法-CN202111351345.8在审
发明人：杨天应 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在衬底上形成半导体叠层，半导体叠层包括源极区域、漏极区域和栅极区域；在半导体叠层的栅极区域形成P型层；在半导体叠层的源极区域和漏极区域分别形成源极欧姆金属和漏极欧姆金属；在半导体叠层的栅极区域形成与P型层接触的栅极金属。通过P型层能够辅助栅帽对电场进行有效调制，进而有效降低Cgd和Cgs，实现电场调制与Cgd和Cgs之间的平衡。当P型层位于栅下，可以有效的屏蔽沟道处来自漏极的电势线，同时，由于P型层的设置，还可以扩大栅下的耗尽区，从而缓解栅周围的电场峰值，提高器件的耐压。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111351375.9在审
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本发明的半导体器件，包括衬底，以及设置于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和位于有源区外围的无源区；有源区包括:源极、栅极、漏极，无源区设置有栅极焊盘、漏极焊盘和温度监控焊盘，栅极与栅极焊盘连接，漏极与漏极焊盘连接，还包括设置在温度监控焊盘和源极之间的温度传感器，温度监控焊盘用于连接温度监控电路。本发明提供的半导体器件及其制备方法，能够使得温度传感器的温度变化与半导体器件结温同步，实现准确的温度监控。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN202111052909.8有效
发明人：林坤;杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、位于衬底上的半导体叠层、位于半导体叠层上且间隔排布的源极欧姆金属和漏极欧姆金属、与源极欧姆金属接触连接的源极互连金属、与漏极欧姆金属接触连接的漏极互连金属、位于源极互连金属与漏极互连金属之间且与半导体叠层接触连接的栅极金属，以及位于半导体叠层上且与源极互连金属形成金属互连的源场板；其中，源场板位于源极互连金属和漏极互连金属之间，源场板至漏极欧姆金属的距离小于源场板至漏极互连金属的距离。该半导体器件能够在不额外增加器件面积的条件下减小源极和漏极之间的寄生电容，从而提高器件的漏极效率。
半导体器件

[发明专利]一种半导体器件及制备方法-CN202110991978.9有效
发明人：杨天应 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：通过先在第一介质层上形成底层源场板，使得底层源场板位于栅极金属和漏极金属之间，且底层源场板在衬底的正投影与栅极金属在衬底的正投影不相交；然后在底层源场板上形成第二介质层；在第二介质层上制作与底层源场板连接的互连结构。通过第二介质层以及与底层源场板连接的互连结构，能够有效降低栅源之间的寄生电容，同时，由于底层源场板与栅极金属之间的第一介质层的厚度并未发生变化，因此，也可以保证底层源场板的电场调制作用，从而能够在源场板调制作用和降低栅源之间Cgs之间达到较好的平衡。
一种半导体器件制备方法

[实用新型]一种功率放大器-CN202121790130.1有效
发明人：唐东杰;周勇;金冬;王聪聪 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本申请提供一种功率放大器，涉及通信技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的电极；依次设置于电极上的第一金属层和第二金属层，第一金属层包括基极互连金属层和发射极互连金属层，第二金属层包括集电极互连金属层和辅助互连金属层；第一发射极和第二发射极通过发射极互连金属层连接，辅助互连金属层与发射极互连金属层连接，如此，在实现第一发射极和第二发射极的连接中，增加了第二金属层的辅助互连金属层，使得第一发射极和第二发射极的互连金属的厚度增大，从而有效提高功率放大器的发射极的过电流能力，也即能够有效提高功率放大器的输出功率，从而提高器件性能，使得器件有着更优的表现。
一种功率放大器

[实用新型]一种振荡电路与振荡芯片-CN202121715794.1有效
发明人：胡郁蓬;童小东;邢利敏 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H03B28/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种振荡电路与振荡芯片，涉及射频技术领域。该振荡电路包括第一RTD振荡模块与第二RTD振荡模块，第一RTD振荡模块包括第一稳定电阻，第二RTD振荡模块包括第二稳定电阻；其中，第一RTD振荡模块与第二RTD振荡模块并联，以提升第一稳定电阻与第二稳定电阻的阻值。本申请实施例提供的振荡电路与振荡芯片具有高振荡输出功率下，不易出现稳定电阻的阻值较小引起电路短路的优点。
一种振荡电路芯片

[实用新型]一种具有散热通道的冷却结构和激光二极管封装结构-CN202121723954.7有效
发明人：杨海涛;童小东 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请提供一种具有散热通道的冷却结构和激光二极管封装结构，涉及半导体封装器件技术领域，包括多个层叠设置的金属散热片，相邻两层金属散热片之间设有绝缘片，绝缘片在第一方向的一侧内收以在相邻两层金属散热片之间形成有夹持空间，夹持空间用于夹设芯片，同层的绝缘片和芯片沿第一方向并排设置，芯片和金属散热片与绝缘片之间还形成有散热通道，第一方向和层叠方向垂直。芯片的两侧分别有金属散热片，能对芯片两侧同时散热，且散热通道能进一步提高对芯片的散热能力，提高整体的散热效果，芯片在封装过程中的散热效率高，散热效果好，层叠结构和散热通道配合的方式对芯片进行高效散热，还能降低散热材料的成本，结构的集成化、紧凑程度高。
一种具有散热通道冷却结构激光二极管封装

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111297050.7在审
发明人：杨天应 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上形成半导体叠层；在半导体叠层上形成源极欧姆金属和漏极欧姆金属；在半导体叠层上形成覆盖源极欧姆金属和漏极欧姆金属的种子金属层；在种子金属层上形成光刻胶层，在光刻胶层上形成第一窗口；在第一窗口内沉积Au层；烘烤光刻胶层使光刻胶层收缩，以在Au层和光刻胶层之间形成缝隙；在缝隙和Au层上形成金属阻挡层；去除光刻胶层和露出的种子金属层；在源极欧姆金属和漏极欧姆金属上分别形成源极互连金属和漏极互连金属且在金属阻挡层上形成源场板；源场板与金属阻挡层之间形成有介质层。该制备方法能够避免Au向介质层内部的扩散。
半导体器件及其制备方法