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[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111344792.0有效
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括晶圆本体、导电金属层、背金导电层和金属遮挡层，通过设置金属遮挡层，并在通孔的孔口处形成遮挡结构，能够在芯片焊接或者使用时有效地防止焊料进入到通孔内部，也避免了焊料扩散穿过背金导电层到达第一表面，保证了背金导电层的完整性，进而保证了器件的可靠性。同时，本发明避免了焊料侵蚀通孔侧壁的背金导电层，从而避免了焊料与背金导电层互溶导致的电阻增大现象，也避免了焊料和通孔侧壁基材热膨胀系数差异大导致的芯片机械性能变差的问题。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种晶体管小信号建模方法及装置-CN202110512954.0有效
发明人：杨天应;刘丽娟;刘石头 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管小信号建模方法及装置，该方法包括：制备晶体管对应的两个测试结构，两个测试结构分别为第一开路去嵌结构、第二开路去嵌结构；将第一开路去嵌结构和第二开路去嵌结构的S参数转化为Y参数，计算得到晶体管的第一寄生参数；对晶体管进行栅极正向偏置下的开态测试，计算得到模型第二寄生参数；其次对晶体管正常偏置下的S参数进行测试，并根据第一寄生参数、第二寄生参数，计算得到晶体管的本征参数；根据所述第一寄生参数、所述第二寄生参数及所述本征参数建立所述晶体管的小信号模型。本发明实施例能够有效提取晶体管栅极和漏极全部寄生电容，从而能够有效提高建模的精确度，有利于指导器件设计及性能提升。
一种晶体管信号建模方法装置

[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法-CN202111008141.4有效
发明人：杨天应 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件结构及其制造方法，包括：器件有源区，无源区焊盘，第一金属环路及第二金属环路；所述第一金属环路位于无源区焊盘和所述半导体器件边缘之间靠近所述半导体器件边缘一侧，并与源极焊盘电学连接；所述第二金属环路位于无源区焊盘和所述半导体器件边缘之间靠近无源区焊盘一侧，并存在若干断点。本发明提供了一种半导体器件结构及其制造方法，通过设置第一金属环路及第二金属环路能够提升器件在制造过程中及后续使用过程中抵抗静电损伤的能力。
一种半导体器件结构及其制造方法

[实用新型]一种半导体器件的试验夹具-CN202121579565.1有效
发明人：林楹镇;刘石头;付永佩;张胜峰 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件试验技术领域，公开了一种半导体器件的试验夹具，包括PCB板和设置于PCB板上的第一防自激电路和第二防自激电路；PCB板上设置有器件端口，器件端口包括器件栅极端口和器件漏极端口；PCB板上还设置有第一栅极端口、第一漏极端口、射频输入端口和射频输出端口；射频输入端口和第一栅极端口均通过第一防自激电路与器件栅极端口连接，射频输出端口和第一漏极端口均通过第二防自激电路与器件漏极端口连接。有益效果：当进行半导体器件的可靠性实验时，通过第一防自激电路和第二防自激电路克服半导体器件的自激问题。由电容、电阻组成的匹配电路，同时满足了器件性能测试要求，可直接使用该夹具进行半导体器件实验后性能测试。
一种半导体器件试验夹具

[发明专利]具有温度补偿功能的氮化镓器件-CN202111330207.1有效
发明人：杨天应 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种具有温度补偿功能的氮化镓器件，涉及半导体技术领域。该器件包括器件本体、滤波器、第一元器件和第二元器件；滤波器和第一元器件并联形成第一支路，第一支路连接于器件本体的栅极输入端，第二元器件的一端连接于栅极输入端与第一支路之间，第二元器件的另一端与器件本体的源极连接；，Vgdc为器件本体的输入电压，Rj为第二元器件的电阻，R为第一元器件的电阻，Vgs为器件本体的偏置电压，第一元器件的电阻和第二元器件的电阻中至少一个具有温度系数相关性。该器件能实现温度对功率放大器静态电流影响的自动补偿。
具有温度补偿功能氮化器件

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111336210.4有效
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的半导体器件包括基底结构，基底结构具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上设有功能结构，第二表面上设有条形凹槽，条形凹槽的延伸方向具有第一端部和第二端部，第一端部在第二表面的投影位于第二表面的内部，第二端部在第二表面的投影位于第二表面的边缘，条形凹槽的深度由第一端部向第二端部逐渐增加。本发明提供的半导体器件，通过条形凹槽使第二表面和焊料表面之间的气泡自动排出，制造工艺简单、成本较低，封装后第二表面与焊料之间的空洞减少、变小，保证了封装的可靠性。同时，焊料填充在条形凹槽中，也可以提高半导体器件焊接的力学稳定性。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202111399766.8有效
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件具有相对的第一表面和第二表面，通过在半导体圆片的第一表面设置正面金属层，在半导体圆片的第二表面设置贯通至正面金属层的通孔，在通孔的侧壁和第二表面设置有背面金属层，背面金属层通过通孔与正面金属层实现电学连接，焊料阻挡层设置在背面金属层的表面，并容置在通孔内，且焊料阻挡层受限于通孔的孔口，以阻挡进入通孔的焊料与背面金属层直接接触，从而避免了焊料侵入背面金属层和正面金属层，提升了芯片的可靠性和性能。同时，焊料阻挡层受限于通孔的孔口，使得焊料阻挡层不会增加通孔的接地串联电阻，不会影响芯片的性能。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种二级放大电路与电子设备-CN202111519455.0有效
发明人：张孟文 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种二级放大电路与电子设备，涉及放大电路技术领域。该二级放大电路包括第一级放大器、第二级主放大器、第二级副放大器、初始化模块、补偿模块、主反馈模块以及副反馈模块，第一级放大器分别与初始化模块、补偿模块、主反馈模块以及副反馈模块电连接，第二级主放大器分别与初始化模块、补偿模块以及主反馈模块电连接，且第二级主放大器与主反馈模块与输出端连接，第二级副放大器分别与初始化模块、补偿模块以及副反馈模块电连接，第二级主放大器与主反馈模块组成主电路，第二级副放大器与副反馈模块组成副电路。本申请具有提升了电路建立速度以及消除了回踢噪声影响的优点。
一种二级放大电路电子设备

[实用新型]逻辑电平控制电路-CN202122354158.7有效
发明人：侯兴江;朱贤能;邢利敏 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种逻辑电平控制电路，涉及集成电路领域。包括：主通路单元、反馈控制单元、反向单元、偏置单元、第一限流单元、第二限流单元、第三限流单元、第四限流单元以及负载单元；所述主通路单元分别与所述第一限流单元、所述第二限流单元、所述第三限流单元、所述第四限流单元以及所述负载单元连接；所述反馈控制单元分别与所述第三限流单元以及所述主通路单元连接，用于控制输入电平的电平值；所述反向单元分别与所述负载单元以及所述第四限流单元连接，用于对电平信号反向；所述偏置单元分别与所述第一限流单元以及所述负载单元连接，用于为所述主通路单元提供偏置。通过控制主通路单元的偏置电压，达到降低电路阈值电压以及迟滞的效果。
逻辑电平控制电路

[实用新型]功率放大电路、射频处理芯片及电子设备-CN202122325858.3有效
发明人：匡中;刘石头;杨天应 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：本申请提供一种功率放大电路、射频处理芯片及电子设备，涉及电工电子技术领域。该功率放大电路包括：功分器、第一检波器、第一运算放大器、第一差分放大器、第二差分放大器、模拟衰减器、第一放大器、第二检波器、第二运算放大器、耦合器；其中，第一差分放大器的输出端电连接第二差分放大器的第一输入端，第二差分放大器的第二输入端用于输入预设参考电压，第二差分放大器的输出端电连接模拟衰减器的控制端，以使得模拟衰减器基于第二差分放大器输出的电压差进行调节，使得第一差分放大器输出的电压差等于预设参考电压。实现了对输入射频信号的指定增益放大进行快速调整的功能。
功率放大电路射频处理芯片电子设备

[实用新型]一种抗电磁干扰的实验装置-CN202121660218.1有效
发明人：李伟 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G01R1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及屏蔽电磁干扰的技术领域，公开了一种抗电磁干扰的实验装置，包括试验台和中空的导电箱体，试验台放置于箱体内，且试验台上设有用于测量试验样品温度的测温单元，箱体连接有用于接地的第一导线，箱体的内侧面设有吸波结构，箱体内设有用于与试验样品电连接的滤波电路盒，箱体安装有输入输出接线头，输入输出接线头与滤波电路盒电连接。本实用新型的实验装置，可屏蔽干扰信号，保护人身安全，且便携可靠，使用方便。
一种电磁干扰实验装置

[实用新型]一种HTRB设备-CN202120964013.6有效
发明人：林楹镇 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件测试技术领域，公开了一种HTRB设备，包括本体，所述本体从上到下依次分层设置有烤箱、控制箱和电源箱；所述烤箱、控制箱和电源箱的长度和宽度相同；所述控制箱上设置有显示屏、设备开关、电源插座和应急开关；所述电源箱内设置若干对用于承载电源板的滑轨。本实用新型通过三层的结构设计将烤箱、控制箱和电源箱集成在了一起，大大降低了HTRB设备的占地空间，使HTRB设备更加适合实验室的环境。
一种 htrb 设备

[发明专利]一种放大电路与电子设备-CN202111519535.6在审
发明人：张孟文 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本申请提供了一种放大电路与电子设备，涉及放大电路技术领域。该放大电路包括第一放大单元、初始化单元、补偿单元、第二放大单元以及反馈单元，初始化单元分别与第一放大单元的上拉输出端、下拉输出端、第二放大单元以及补偿单元电连接，第二放大单元、补偿单元以及反馈单元相互电连接，且反馈单元还与第一放大单元电连接；其中，初始化单元用于为补偿单元提供不为零的初始电压，以缩短放大电路的建立时间，并防止放大电路出现过冲。本申请提供的放大电路与电子设备具有提升了电路建立速度且防止了过冲出现的优点。
一种放大电路电子设备

[实用新型]一种射频低噪声放大器芯片测试系统-CN202121518841.3有效
发明人：段源鸿;黄富华;苏玉;谭游杰 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片测试技术领域，公开了一种射频低噪声放大器芯片测试系统，包括：第一射频开关模组，所述第一射频开关模组的第一侧与噪声源、信号发生器和网络分析仪的第一端口连接，所述第一射频开关模组的第二侧和第二射频开关模组的第二侧连接；所述第二射频开关模组的第一侧与频谱仪和网络分析仪的第二端口连接；所述第一射频开关模组和第二开关模组均包括两个相连的射频开关。有益效果：本测试系统能够在S参数、OIP3、P1db以及噪声系数(NF)测试中任意切换，通过一个测试系统完成多个测试，将测试人员从仪器连接和仪器校验中解放出来，提高测试效率，降低测试成本。
一种射频低噪声放大器芯片测试系统

[发明专利]内匹配电路和射频GaN HEMT器件-CN202111053783.6在审
发明人：刘石头;杨天应;付永佩 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种内匹配电路和GaN HEMT器件，包括电容模块和电感模块，电感模块由金线或微带线构成，所述金线或微带线用于连接射频GaN HEMT器件的电容模块、GaN芯片、栅极引脚和漏极引脚。本发明通过采用微带线代替金线，降低了内匹配电路对绑线机台的依赖性，提高了器件批次间一致性，保障了电路的稳定性和可靠性，降低了成本。
匹配电路射频 gan hemt 器件