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[发明专利]经由物理气相沉积沉积非晶硅层或碳氧化硅层的方法-CN201780071488.9有效
发明人：伟民·郑;勇·曹;丹尼尔·李·迪尔;慧雄·戴;科伊·潘;克里斯托弗·恩加伊;汪荣军;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一些实施方式中，在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括以下步骤：(a)在物理气相沉积腔室的处理区域内由工艺气体形成等离子体，其中工艺气体包含惰性气体和含氢气体，以在物理气相沉积腔室的处理区域内从靶材的表面溅射硅；和(b)在基板上的第一层的顶部上沉积非晶硅层，其中调整含氢气体的流动速率以调节经沉积的非晶硅层的光学性质。
经由物理沉积非晶硅层氧化方法

[发明专利]用于处理基板的方法和设备-CN201680074710.6有效
发明人： 汪荣军;阿纳塔·K·苏比玛尼;慈航·清;唐先民 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文公开用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，工艺腔室包含：腔室主体，限定内部空间；基板支撑件，在内部空间内支撑基板；多个阴极，耦合至腔室主体并且具有对应的多个靶，多个靶被溅射至基板上；和屏蔽物，可旋转地耦合至腔室主体的上部并且具有至少一个孔以暴露多个靶中至少一个被溅射的靶，和设置于屏蔽物的背侧中的至少一个袋以容纳和覆盖多个靶中至少另一个不被溅射的靶，其中屏蔽物经配置以绕着处理腔室的中央轴旋转并且沿着处理腔室的中央轴线性移动。
用于处理方法设备

[发明专利]用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备-CN201780014454.6有效
发明人：晓东·王;李靖珠;张富宏;马丁·李·瑞克;基思·A·米勒;威廉·弗鲁赫特曼;汪荣军;阿道夫·米勒·艾伦;守印·张;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
用于物理沉积工艺控制离子分数方法设备

[发明专利]在物理气相沉积腔室中沉积的层中的电阻区(RA)控制-CN201980019611.1有效
发明人： 汪荣军;王晓东;杜超 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本文提供了将介电氧化物层沉积在PVD腔室中设置的或经由PVD腔室处理的一个或多个基板顶部的方法。在一些实施方式中，此种方法包括：在源材料处于第一磨蚀状态时并且在将第一量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第一基板上，以将介电氧化物层沉积到具有期望电阻区的第一基板上；以及随后在源材料处于第二磨蚀状态时并且在将第二量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第二基板上，其中第二量的RF功率低于第一量的RF功率达经计算以维持期望电阻区的预定量。
物理沉积腔室中中的电阻 ra 控制

[发明专利]用于在介电溅射期间减少工件中缺陷的等离子体腔室靶材-CN202180010623.5在审
发明人：王晓东;雷建新;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供用于用来减少介电溅射期间工件中的缺陷的等离子体腔室靶材的方法和设备。例如，介电溅射沉积靶材可以包括具有范围从约65μm到500μm的预定平均晶粒尺寸的介电化合物，其中该介电化合物是氧化镁或氧化铝中的至少一种。
用于溅射期间减少工件缺陷等离子体腔室靶材

[发明专利]用于处置氧化镁膜的方法-CN202180012161.0在审
发明人：王晓东;雷努·辉格;雷建新;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种形成磁阻随机存取存储器(MRAM)结构的隧道层的方法包括：通过利用射频(RF)功率溅射MgO靶材来形成第一氧化镁(MgO)层；将第一MgO层暴露给在大约10sccm至大约15sccm的流量下的氧气大约5秒至大约20秒；和通过利用RF功率溅射MgO靶材而在第一MgO层上形成第二MgO层。该方法可在处理腔室的定期维护之后执行，以增加隧道层的隧道磁阻(TMR)。
用于处置氧化镁方法

[发明专利]用于处理基板的方法与设备-CN202180008729.1在审
发明人：哈伯特·冲;陶荣;雷建新;汪荣军;基思·A·米勒;艾琳娜·H·威索克;龚则敬;陈新 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本案提供了用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法和设备。例如，用于处理基板的处理腔室可以包括腔室壁；溅射靶，该溅射靶设置在该内部空间的上部中；基座，该基座包含基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面以支撑在该溅射靶下方的基板；功率源，经配置激发(energize)溅射气体以用于在该内部空间中形成等离子体；处理套件，该处理套件围绕该溅射靶和该基板支撑件；和ACT和控制器，该ACT连接到该基座，该控制器经配置使用该ACT来调谐该基座以维持该内部空间中的该等离子体与该处理套件之间的预定电势差，其中该预定电势差是基于该ACT的总电容的百分比和与该处理腔室的接地路径相关的杂散电容。
用于处理方法设备

[发明专利]用于原位沉积监测的方法及设备-CN202180008904.7在审
发明人：王晓东;迈克尔·查尔斯·库特尼;瓦鲁扬·查卡里安;雷建新;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：原位监测挡盘上的沉积的方法及设备。在一些实施方式中，设备可包括：处理腔室，具有内部处理空间；外壳，设置在内部处理空间外部，其中外壳在挡盘不在内部处理空间中使用时接纳挡盘；挡盘臂，从外壳到内部处理空间来回移动挡盘；和至少一个传感器，整合到外壳中。至少一个传感器被构造成用以确定在内部处理空间中粘涂处理之后沉积在挡盘上的材料的至少一种膜性质。
用于原位沉积监测方法设备

[实用新型]工艺配件、多阴极处理腔室和工艺配件部件-CN202120006281.7有效
发明人：吴寒冰;阿南塔·K·萨布拉曼尼;阿希什·歌尔;迪帕克·贾达夫;汪荣军;程志康 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：公开用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件、多阴极处理腔室和用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件部件。工艺配件包括以下中的一个或多个：锥形屏蔽物、可旋转的屏蔽物、护罩、内部沉积环、外部沉积环或盖环。在一些实施方式中，工艺配件包括：可旋转的屏蔽物，可旋转的屏蔽物具有底座、锥形部分和套环部分，锥形部分从底座向下且向外延伸，套环部分从锥形部分向外延伸；内部沉积环，具有腿部分、平直部分、第一凹部与第一唇部，平直部分从腿部分向内延伸，第一凹部从平直部分向内延伸，第一唇部从第一凹部的最内区段向上延伸；和外部沉积环，具有套环部分、上平直部分、第二凹部与第二唇部，上平直部分在套环部分上方且从套环部分向内延伸，第二凹部从上平直部分向内延伸，第二唇部从第二凹部向上延伸。
工艺配件阴极处理部件

[发明专利]用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法-CN202111107385.8在审
发明人：薛林;安在洙;M·帕卡拉;程志康;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。
用于形成 mram 应用使用具有期望结晶度结构方法

[发明专利]电子名片的管理方法及装置-CN201811425334.8有效
发明人：康上明学;汪荣军;刘禹彤;张成宇;熊倩子;马航;牛洁;罗锋 -专利权人：钉钉控股（开曼）有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H04M1/27457 文献下载
摘要：本说明书一个或多个实施例提供一种电子名片的管理方法及装置，该方法可以包括：获取电子名片；确定所述电子名片被获取时对应的场景信息；将所述电子名片与对应的场景信息进行关联。
电子名片管理方法装置

[发明专利]用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法-CN201610554216.1有效
发明人：薛林;安在洙;M·帕卡拉;程志康;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。
用于形成 mram 应用使用具有期望结晶度结构方法

[发明专利]使用金属基前驱物的原子层沉积(ALD)工艺的N型金属氧化物半导体(NMOS)金属栅极材料的方法与设备-CN201980066546.8在审
发明人：林永景;陈世忠;吉田尚美;董琳;吴立其;汪荣军;史蒂文·洪;卡拉·贝纳尔·拉莫斯;杨逸雄;唐薇;柳尚澔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：兹描述用于形成诸如NMOS栅电极之类的半导体结构的方法及设备。所述方法可包括以下步骤：于高k介电层的第一表面上方沉积第一覆盖层，该第一覆盖层具有第一表面；及于第一覆盖层的第一表面上方沉积至少一个金属层，该至少一个金属层具有第一表面，其中该至少一个金属层包括钛铝硅化物材料。一些方法包括以下步骤：通过使第一覆盖层接触金属氯化物，从第一覆盖层的第一表面去除氧化物层，所述金属氯化物的量足以去除氧化物层。一些用于沉积钛铝硅化物材料的方法由350至400摄氏度的温度下进行的原子层沉积工艺进行。
使用金属前驱原子沉积 ald 工艺氧化物半导体 nmos 栅极材料方法设备

[发明专利]内容分享方法及装置-CN201910954054.4在审
发明人：康上明学;汪荣军;吴星和 -专利权人：钉钉控股（开曼）有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H04L12/18 文献下载
摘要：本说明书一个或多个实施例提供一种内容分享方法及装置，该方法可以包括：服务器接收分享方用户发起的内容分享请求，所述内容分享请求用于将所述分享方用户提交的待分享内容在所述分享方用户所处的特定组织内进行分享；所述服务器将所述待分享内容发布至所述特定组织，使所述待分享内容被呈现于与所述特定组织相关的内容分享界面。
内容分享方法装置

[发明专利]用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备-CN202011362647.0在审
发明人：晓东·王;李靖珠;张富宏;马丁·李·瑞克;基思·A·米勒;威廉·弗鲁赫特曼;汪荣军;阿道夫·米勒·艾伦;守印·张;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
用于物理沉积工艺控制离子分数方法设备

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