“基思·A·米勒”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果39个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备-CN201780014454.6有效
发明人：晓东·王;李靖珠;张富宏;马丁·李·瑞克;基思·A·米勒;威廉·弗鲁赫特曼;汪荣军;阿道夫·米勒·艾伦;守印·张;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
用于物理沉积工艺控制离子分数方法设备

[外观设计]用于在物理气相沉积腔室中使用的准直器-CN202230446840.6有效
发明人：马丁·李·里克;基思·A·米勒;卢克·维安尼·瓦基;谢祥金;基索尔·库马尔·卡拉提帕拉比尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于在物理气相沉积腔室中使用的准直器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作用于物理气相沉积（PVD）腔室的准直器，例如在加工机械设备中使用的用于物理气相沉积腔室的准直器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
用于物理沉积腔室中使用准直器

[发明专利]高温及真空隔离处理微型环境-CN202180035474.8在审
发明人：尼廷·巴拉德瓦吉·萨蒂亚沃鲁;克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚;哈里·普拉萨特·兰登;斯里尼瓦萨·拉奥·耶德拉;拉克希米坎斯·克里希纳穆提·希拉哈蒂;托马斯·布里泽哲科;基思·A·米勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于基板处理的方法及设备以及包括移送腔室组件及多个处理组件的群集工具。移送腔室组件及处理组件可包括用于ALD、CVD、PVD、蚀刻、清洁、注入、加热、退火、及/或抛光工艺的处理平台。处理腔室容积使用其上设置有基板的支撑卡盘密封隔开移送腔室容积。升高支撑卡盘以使用波纹管组件及卡盘密封表面在处理腔室容积与移送腔室容积之间形成隔离密封。
高温真空隔离处理微型环境

[外观设计]用于在物理气相沉积腔室中使用的准直器-CN202230097861.1有效
发明人：马丁·李·里克;基思·A·米勒;张富宏;卢克·维安尼·瓦基;基索尔·库马尔·卡拉提帕拉比尔;谢祥金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于在物理气相沉积腔室中使用的准直器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作在工业制造领域中在物理气相沉积腔室中使用的准直器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
用于物理沉积腔室中使用准直器

[发明专利]隔绝环夹具及并入隔绝环夹具的物理气相沉积腔室-CN202180008852.3在审
发明人：伊利亚·拉维特斯凯;基思·A·米勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：此处提供用于物理气相沉积的装置。在某些实施例中，一种在物理气相沉积(PVD)腔室中使用的夹具，包括夹具主体及从夹具主体延伸的向外延伸的架子，其中向外延伸的架子包括夹持表面，配置成将隔绝环夹持至PVD腔室的腔室主体，其中向外延伸的架子的高度为夹具主体的高度的约百分之15至约百分之40，且其中夹具主体包括中心开口，配置成在中心开口中保持紧固件。
隔绝夹具并入物理沉积

[发明专利]用于物理气相沉积腔室的加热屏蔽-CN202180010383.9在审
发明人：伊利亚·拉维特斯凯;基思·A·米勒;吉留刚一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本文提供在处理腔室中使用的处理屏蔽的实施例。在一些实施例中，在处理腔室中使用的处理屏蔽包括主体，所述主体具有圆柱形状，其中所述主体包括上部分及下部分，所述上部分具有外唇部且所述下部分从所述上部分向下且径向向内延伸，其中所述外唇部包括容纳紧固件的多个开口、从所述外唇部的外表面径向向内延伸的多个对准插槽、及凹口下周边边缘，且其中所述外唇部的下表面包括多个沟槽。
用于物理沉积加热屏蔽

[发明专利]脉冲PVD功率的波形形状因子-CN202180009621.4在审
发明人：守印·张;基思·A·米勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：描述了用于控制等离子体处理的电源、波形函数发生器及方法。该电源或波形函数发生器包括用于执行该方法的部件，在该方法中，在等离子体处理期间确定波形形状变化指数，并评估该波形形状变化指数是否符合预定5容差。
脉冲 pvd 功率波形形状因子

[发明专利]用于钝化靶材的方法及设备-CN202180009899.1在审
发明人：杜超;陈新;基思·A·米勒;乔斯林甘·罗摩林甘;雷建新 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文提供了用于钝化靶材的方法和设备。例如，一种方法包含：a)将氧化气体供应到处理腔室的内部空间中；b)点燃氧化气体以形成等离子体并氧化靶材或靶材材料中的至少一者，所述靶材材料沉积在设置于处理腔室的内部空间中的处理配件上；和c)执行循环净化，包括：c1)向处理腔室中提供空气以与靶材或沉积在处理配件上的靶材材料中的至少一者反应；c2)在处理腔室内维持预定压力达预定时间，以产生由空气与靶材或沉积在处理配件上的靶材材料中的至少一者反应而引起的有毒副产物；和c3)排空处理腔室以去除有毒副产物。
用于钝化方法设备

[发明专利]用于RF腔室的改进阳极-阴极比例的设备-CN202180008382.0在审
发明人：克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚;基思·A·米勒;斯里尼瓦萨·拉奥·耶德拉;强德拉塞卡·肯查帕;马丁·李·瑞克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供了用于在等离子体处理腔室中使用的处理套件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于在处理腔室中使用的处理套件包括：环形主体，该环形主体具有上部部分和从上部部分向下并径向向内延伸的下部部分，其中环形主体包括内表面，该内表面具有向下延伸的第一区段、从第一区段径向向外延伸的第二区段、从第二区段向下延伸的第三区段、从第三区段径向向外延伸的第四区段、从第四区段向下延伸的第五区段、从第五区段径向向内延伸的第六区段、从第六区段向下延伸的第七区段、及从第七区段径向向内延伸的第八区段。
用于 rf 改进阳极阴极比例设备

[发明专利]具有自保持低摩擦垫的PVD靶-CN202180008691.8在审
发明人：伊利亚·拉维特斯凯;基思·A·米勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本文提供了用于在基板处理腔室中使用的靶组件的实施方式。在一些实施方式中，靶组件包括板，所述板包括第一侧，所述第一侧具有中心部分及支撑部分；靶，所述靶设置在所述中心部分上；多个凹槽，所述多个凹槽形成在所述支撑部分中；以及多个自保持低摩擦垫，所述多个自保持低摩擦垫部分地设置在所述多个凹槽中，其中所述多个低摩擦垫中的每个低摩擦垫包括实心主体部分及自保持杆，所述自保持杆从所述实心主体部分的底部向外延伸，其中所述自保持杆包括设置在所述第一通孔部分中的第一杆部分及设置在所述第二通孔部分中的第二杆部分。
具有保持摩擦 pvd

[发明专利]用于处理基板的方法与设备-CN202180008729.1在审
发明人：哈伯特·冲;陶荣;雷建新;汪荣军;基思·A·米勒;艾琳娜·H·威索克;龚则敬;陈新 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本案提供了用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法和设备。例如，用于处理基板的处理腔室可以包括腔室壁；溅射靶，该溅射靶设置在该内部空间的上部中；基座，该基座包含基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面以支撑在该溅射靶下方的基板；功率源，经配置激发(energize)溅射气体以用于在该内部空间中形成等离子体；处理套件，该处理套件围绕该溅射靶和该基板支撑件；和ACT和控制器，该ACT连接到该基座，该控制器经配置使用该ACT来调谐该基座以维持该内部空间中的该等离子体与该处理套件之间的预定电势差，其中该预定电势差是基于该ACT的总电容的百分比和与该处理腔室的接地路径相关的杂散电容。
用于处理方法设备

[发明专利]用于在物理气相沉积腔室中的准直器-CN201780077366.0有效
发明人：吉留刚一;基思·A·米勒;哈米德·塔瓦索利;安德鲁·腾科 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本文提供了准直器和包括所述准直器的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，在基板处理腔室中使用的准直器包括：环；适配器，围绕该环且具有内部环形壁；和多个辐条，从该内部环形壁延伸且在该准直器的中心轴处相交。
用于物理沉积中的准直器

[发明专利]用于增强等离子体控制的EM源-CN202080049329.0在审
发明人：亚历山大·詹森;基思·A·米勒;普拉沙斯·科斯努;马丁·瑞克;大卫·冈瑟;艾米莉·斯库利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：公开用于在PVD沉积工艺期间控制等离子体分布的设备和方法。一些实施方式在沉积期间利用放置在靶上方的EM线圈来控制等离子体分布。
用于增强等离子体控制 em

[发明专利]用于物理气相沉积(PVD)处理系统的靶材冷却-CN201811141373.5有效
发明人：马丁·李·莱克;基思·A·米勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本文提供用于使用在基板处理系统中的靶材组件。在一些实施例中，用于使用在基板处理系统中的一种靶材组件可包括：源材料，所述源材料将沉积于基板上；第一背板，所述第一背板被配置成用来将所述源材料支撑在所述第一背板的正面上，使得所述源材料的前表面与所述基板(当基板存在时)相对；第二背板，所述第二背板耦接至所述第一背板的背面；以及多组通道，所述多组通道设置在所述第一背板与所述第二背板之间。这些通道允许冷却剂能被供给得更靠近热源(靶材面)，由此促进从所述靶材更有效地移除热。从所述靶材更有效地移除热会导致靶材具有较小的热梯度，且因此具有较少的机械弯曲/变形。
用于物理沉积 pvd 处理系统冷却

[外观设计]用于基板处理腔室的工艺屏蔽物-CN202030555981.2有效
发明人：伊利亚·拉维特斯凯;基思·A·米勒;吉留刚一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于基板处理腔室的工艺屏蔽物。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作在半导体加工机械设备中使用的用于基板处理腔室的工艺屏蔽物。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
用于处理工艺屏蔽

1
2
3
下一页»
尾页
共 39 条