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[发明专利]用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备-CN201780014454.6有效
发明人：晓东·王;李靖珠;张富宏;马丁·李·瑞克;基思·A·米勒;威廉·弗鲁赫特曼;汪荣军;阿道夫·米勒·艾伦;守印·张;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
用于物理沉积工艺控制离子分数方法设备

[发明专利]在脉冲式PVD中通过等离子体改性从晶片移除颗粒的方法-CN202080013665.X在审
发明人：哈伯特·冲;周磊;阿道夫·米勒·艾伦;瓦贝哈夫·索尼;基索尔·卡拉提帕拉比尔;凡妮莎·法恩;徐松文 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前，可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分，使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。
脉冲 pvd 通过等离子体改性晶片颗粒方法

[发明专利]用于预清洁导电互连结构的方法-CN201680057628.2有效
发明人：谢祥金;刘风全;大平·姚;亚历山大·詹森;李靖珠;阿道夫·米勒·艾伦;唐先民;张镁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C23G5/04 文献下载
摘要：本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于第一表面中的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的一部分，以使得设置于基板中的导电材料的一部分经由开口而暴露。
用于清洁导电互连结构方法

[发明专利]用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备-CN202011362647.0在审
发明人：晓东·王;李靖珠;张富宏;马丁·李·瑞克;基思·A·米勒;威廉·弗鲁赫特曼;汪荣军;阿道夫·米勒·艾伦;守印·张;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
用于物理沉积工艺控制离子分数方法设备

[发明专利]高密度、低应力非晶碳膜及其沉积方法和设备-CN201780050740.8有效
发明人：刘菁菁;华忠强;阿道夫·米勒·艾伦;迈克尔·W·斯托威尔;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;殷正操;巴尔加夫·西特拉;维加斯拉夫·巴巴扬;安德烈·哈莱比卡 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种沉积非晶碳膜包括至少95％碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳‑碳键的百分比超过30％，且此非晶碳膜的氢含量小于5％。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处理腔室。此方法进一步包括提供碳靶材，使得此磁场延伸通过此碳靶材朝向此工件。此方法进一步包括提供源气体至此处理腔室，和提供DC功率脉冲至在此处理腔室内由此源气体形成的等离子体。此DC功率脉冲被以40微秒或更小的脉冲供应，以至少4kHz的频率重复。
高密度应力非晶碳膜及其沉积方法设备

[发明专利]用于介电膜的高功率脉冲磁控溅射物理气相沉积的脉冲直流源及应用方法-CN201880070573.8在审
发明人：维加斯拉夫·巴巴扬;阿道夫·米勒·艾伦;巴加夫·西特拉;罗纳德·D·迪多尔;凡妮莎·法恩;华忠强;瓦贝哈夫·索尼;吴梦露 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：使用物理气相沉积处理形成介电膜层的设备和方法包括将溅射气体输送到位于处理腔室的处理区域中的基板，该处理腔室具有含电介质的溅射靶，输送能量脉冲到溅射气体产生溅射等离子体，溅射等离子体由能量脉冲所形成，能量脉冲具有在小于50kHz并且大于5kHz的频率下的在约800伏特和约2000伏特之间的平均电压和在约50安培和约300安培之间的平均电流，并且将溅射等离子体引导朝向含电介质的溅射靶以形成包含从含电介质的溅射靶溅射的电介质材料的电离物质，电离物质在基板上形成含电介质的膜。
用于介电膜功率脉冲磁控溅射物理沉积直流应用方法

[发明专利]通过靶使用期控制一或多个膜性质的自动电容调节器电流补偿-CN201680011100.1有效
发明人：葛振斌;维韦卡·古普塔;阿道夫·米勒·艾伦;瑞安·汉森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：在一些实施方式中，一种将含金属层沉积于设置在物理气相沉积(PVD)腔室中的基板上的方法，包括以下步骤：提供等离子体形成气体至该PVD腔室的处理区域；提供第一量的RF功率至与该基板相对设置的靶组件以在该PVD腔室的该处理区域内形成等离子体；溅射来自该靶组件的源材料以将含金属层沉积于该基板上，其中该源材料是在第一侵蚀状态；以及当该靶从该第一侵蚀状态侵蚀至第二侵蚀状态，溅射源材料以将该基板的表面处的离子能维持在预定范围内的同时，调节与基板支撑件耦接的自动电容调节器。
通过使用期控制多个膜性质自动电容调节器电流补偿

[发明专利]阻挡膜沉积及处理-CN201880027850.7在审
发明人：谢祥金;阿道夫·米勒·艾伦;唐先民;吉留刚一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在低压环境中将原子层沉积(ALD)处理与物理气相沉积(PVD)处理结合，以产生高质量的阻挡膜。使用ALD处理将初始阻挡膜沉积在基板上，并接着移动到PVD腔室以处理阻挡膜，以增加阻挡膜的密度和纯度，从而降低阻挡膜的电阻率。将双材料源溅射到基板上以提供掺杂，同时使用气体来蚀刻基板以释放氮气。至少一个材料源被定位为以锐角提供掺杂给基板的表面，同时供应DC功率和在第一RF功率频率下的RF功率。基板使用在第二RF功率频率下的RF功率而偏压。
阻挡膜基板掺杂物理气相沉积氮气原子层沉积低压环境蚀刻基板材料源电阻率双材料沉积溅射腔室锐角释放移动

[发明专利]在标靶生命期的期间维持低非均匀性的方法和设备-CN201580043811.2有效
发明人：威廉·约翰森;张富宏;阿道夫·米勒·艾伦;刘宇一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本文提供在标靶生命期的期间维持低非均匀性的改良方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，一种在物理气相沉积腔室中处理基板的方法包括：配置基板在基板支座顶上，所述基板支座具有围绕所述基板支座的盖环，使得所述基板的上表面被定位在所述盖环的上表面上方的第一距离处；从标靶溅射源材料，所述标靶与所述基板支座相对设置，以在保持所述第一距离的同时在所述基板顶上沉积膜；和在该标靶之生命期的期间，相对于所述盖环降低所述基板支座并从所述标靶溅射所述源材料，以在后续的基板顶上沉积膜。
生命期间维持均匀方法设备

[发明专利]用于高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)的功率输送-CN201780064294.6在审
发明人：维加斯拉夫·巴巴扬;阿道夫·米勒·艾伦;迈克尔·斯托威尔;华忠强;卡尔·R·约翰逊;凡妮莎·法恩;刘菁菁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：一种用于产生和输送用于处理腔室的脉冲高电压信号的系统，包括：远程设置的高电压源、脉冲发生器、第一屏蔽缆线和第二屏蔽缆线，所述远程设置的高电压源产生高电压信号，所述脉冲发生器比所述高电压源相对更靠近所述处理腔室而设置，所述第一屏蔽缆线将高电压信号从远程设置的高电压源输送至脉冲发生器来加以脉冲，所述第二屏蔽缆线将脉冲高电压信号从脉冲发生器输送至处理腔室。一种用于产生和输送脉冲高电压信号到处理腔室的方法，包括以下步骤：在远离处理腔室的位置处产生高电压信号，将高电压信号输送到相对更靠近处理腔室的位置来加以脉冲，对所输送的高电压信号加以脉冲，和将脉冲高电压信号输送到处理腔室。
处理腔室高电压信号脉冲发生器脉冲高电压高电压源屏蔽缆线远程设置脉冲高功率脉冲磁控溅射功率输送信号输送位置处

[发明专利]用于高脉冲磁控溅射的同步控制器-CN201811095643.3在审
发明人：维亚斯拉夫·巴巴扬;华钟强;吴梦露;阿道夫·米勒·艾伦;巴尔加夫·西特拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本文呈现的实施方式涉及用于在半导体处理系统中处理基板的方法和设备。所述方法开始于将耦接在脉冲RF偏压发生器与HiPIMS发生器之间的脉冲同步控制器初始化。通过脉冲同步控制器将第一时序信号发送至脉冲RF偏压发生器和HiPIMS发生器。基于第一时序信号向溅射靶和设置在基板支撑件中的RF电极供电。基于时序信号的结束而使所述靶和电极断电。通过脉冲同步控制器发送第二时序信号至脉冲RF偏压发生器，响应于第二时序信号，在不向靶供电的情况下，电极被供电和断电。
时序信号脉冲同步控制器偏压发生器脉冲发生器电极供电断电半导体处理系统发送方法和设备基板支撑件同步控制器处理基板磁控溅射初始化高脉冲溅射靶耦接响应

[发明专利]具有高沉积环及沉积环夹具的处理配件-CN201811141495.4在审
发明人：威廉·约翰森;希兰库玛·萨万戴亚;阿道夫·米勒·艾伦;王新;帕拉沙特·帕布 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
环形带沉积环内唇基板支撑件配件向上延伸内表面上表面外唇夹具处理腔室通道设置中央开口基板内缘配置搁置支撑

[发明专利]具有高沉积环及沉积环夹具的处理配件-CN201680037325.4在审
发明人：威廉·约翰森;希兰库玛·萨万戴亚;阿道夫·米勒·艾伦;王新;帕拉沙特·帕布 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
具有沉积夹具处理配件

[发明专利]用于HDD位元图案化介质图案转印的图案强化-CN201710960274.9在审
发明人：罗曼·古科;史蒂文·韦尔韦贝克;亚历山大·康托斯;阿道夫·米勒·艾伦;凯文·莫雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：描述了一种用于在基板上形成具有磁特性图案的磁性层的方法和装置。所述方法包括使用金属氮化物硬模层来通过等离子体暴露图案化所述磁性层。所述金属氮化物层是使用纳米压印图案化工艺用氧化硅图案负性材料来图案化的。使用含卤素和氧的远程等离子体来使图案在金属氮化物中，并且在等离子体暴露之后使用腐蚀性的湿式剥离工艺去除所述图案。所有的处理都在低温下进行，以避免热损伤磁性材料。
用于 hdd 位元图案介质强化

[发明专利]处理配件屏蔽和具有处理配件屏蔽的物理气相沉积腔室-CN201380021330.2有效
发明人：穆罕默德·拉希德;阿道夫·米勒·艾伦;王建奇 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本文提供处理配件屏蔽和包括处理配件屏蔽的物理气相沉积(PVD)腔室的实施方式。在一些实施方式中，用于在物理气相沉积处理中沉积第一材料的处理配件屏蔽可包括环形主体和蚀刻终止涂层，所述环形主体界定由主体围绕的开口，其中所述环形主体由第一材料制造，所述蚀刻终止涂层形成在环形主体的面向开口的表面上，所述蚀刻终止涂层由不同于第一材料的第二材料制造，相对于第一材料，所述第二材料具有高的蚀刻选择性。
处理配件屏蔽具有物理沉积

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