[发明专利]使用金属基前驱物的原子层沉积(ALD)工艺的N型金属氧化物半导体(NMOS)金属栅极材料的方法与设备在审
| 申请号： | 201980066546.8 | 申请日： | 2019-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN112823408A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 林永景;陈世忠;吉田尚美;董琳;吴立其;汪荣军;史蒂文·洪;卡拉·贝纳尔·拉莫斯;杨逸雄;唐薇;柳尚澔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 兹描述用于形成诸如NMOS栅电极之类的半导体结构的方法及设备。所述方法可包括以下步骤：于高k介电层的第一表面上方沉积第一覆盖层，该第一覆盖层具有第一表面；及于第一覆盖层的第一表面上方沉积至少一个金属层，该至少一个金属层具有第一表面，其中该至少一个金属层包括钛铝硅化物材料。一些方法包括以下步骤：通过使第一覆盖层接触金属氯化物，从第一覆盖层的第一表面去除氧化物层，所述金属氯化物的量足以去除氧化物层。一些用于沉积钛铝硅化物材料的方法由350至400摄氏度的温度下进行的原子层沉积工艺进行。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 金属 前驱 原子 沉积 ald 工艺 氧化物 半导体 nmos 栅极 材料 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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