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[发明专利]JBS二极管结构及其制造方法-CN202011569080.4在审
发明人：曹群;郭小青 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种JBS二极管结构及其制造方法，所述JBS二极管结构包括：阴极背面金属层，N型衬底层，N型外延层，P型扩散层，金属接触层和金属阳极层；阴极背面金属层，N型衬底层和N型外延层自下而上依次设置；N型外延层远离N型衬底层的上表面内嵌有多个沟槽区域；多个沟槽区域沿第一方向分布；沟槽区域在第一方向的宽度沿第二方向连续增大；P型扩散层设置在多个沟槽区域的内壁；金属接触层位于N型外延层表面和P型扩散层表面；金属接触层与N型外延层形成肖特基接触；金属接触层与P型扩散层形成欧姆接触；金属阳极层覆盖在金属接触层远离N型衬底层的表面。本发明提供的JBS二极管可以在提高JBS二极管的关断速度的同时降低高温漏电流。
jbs 二极管结构及其制造方法

[发明专利]MOS功率器件及其制备方法-CN202011583392.0在审
发明人：秦博;吴海平 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及一种MOS功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域，其不仅不会影响MOS功率器件的特性，而且还会使MOS功率器件获得更快的信号传输速度，减小信号在传输过程的耗损。一种MOS功率器件，该MOS功率器件包括层叠在所述MOS功率器件的栅氧化层上的多层栅极，该多层栅极包括交替层叠的多晶硅层和金属层，其中，所述多层栅极的最底层是所述多晶硅层而且该最底层与所述栅氧化层相接触，所述多层栅极的最顶层是所述金属层。
mos 功率器件及其制备方法

[发明专利]驾驶员状态监测方法、装置、电子设备和可读存储介质-CN202011590223.X在审
发明人：邱欣周;刘国宁;郑茂铃 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H04N9/77 文献下载
摘要：本申请公开了一种驾驶员状态监测方法、装置、设备和可读存储介质，属于通信技术领域。该方法包括：获取初始驾驶员图像，若存在调节指令，则调节初始驾驶员图像中彩色通道信号的权重，得到目标驾驶员图像，在目标驾驶员图像中眼部区域的亮度符合设定条件的情况下，通过目标驾驶员图像中的彩色通道信号和红外通道信号，确定驾驶员的眼部状态，输出与眼部状态对应的提示信息。通过对彩色通道信号的权重进行调节，在眼部区域存在红外光遮挡如变色眼镜、太阳眼镜等的情况，无法检测眼部状态时，降低图像中彩色通道信号的权重，使图像中红外通道信号的比重增加，可以提高眼部区域的亮度，从而可以通过眼部状态对驾驶员状态进行检测和预警。
驾驶员状态监测方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]电容按键检测方法、芯片和电子设备-CN202011561557.4在审
发明人：李振刚;黄臣 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H03K17/975 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容按键检测方法、芯片和电子设备，用于减少电容按键的误判。其中，方法部分包括：获取第一检测值和第二检测值，其中，第一检测值为第一检测模块检测到的值，第二检测值为第二检测模块检测到的值，第一检测模块的检测端连接于电容按键的电极，第二检测模块的检测端为悬空状态；根据第一检测值和第二检测值判断电容按键是否被触摸。
电容按键检测方法芯片电子设备

[发明专利]图像去噪方法、装置、存储介质和电子设备-CN202011556389.X在审
发明人：毛水江;傅璟军 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种图像去噪方法、装置、存储介质和电子设备，属于图像处理领域，能够在把噪声去除干净的同时，非常好地保留图像的纹理细节。一种图像去噪方法，包括：获取待去噪图像阵列，该阵列中每个像素只包含一个颜色分量，在待去噪图像阵列的中心像素所在行列的隔行和/或隔列位置处存在着与中心像素相同颜色分量的中心像素隔行列像素，在紧邻中心像素的紧邻像素所在行列的隔行和/或隔列位置处存在着与紧邻像素相同颜色分量的紧邻像素隔行列像素；基于中心像素与中心像素隔行列像素的差值以及紧邻像素与紧邻像素隔行列像素的差值，确定各个中心像素隔行列像素所对应的局部纹理差异；基于局部纹理差异和中心像素隔行列像素进行去噪。
图像方法装置存储介质电子设备

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202011538361.3在审
发明人：马荣利;卢江洁;邓紫红;陈湛;宋军 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；在半导体衬底中形成漂移区；在半导体衬底的第一表面上形成栅极介质层；在栅极介质层上形成栅电极；在漂移区内形成发射极区；至少部分去除发射极区之上的栅极介质层；在半导体衬底的第一表面上形成氧化层，氧化层至少覆盖栅电极的顶部和侧壁以及剩余的栅极介质层的顶部和侧壁；在发射极区中形成源漏区；在半导体衬底的第二表面内形成集电极区。本发明在离子注入形成源漏区之前形成至少覆盖栅电极的顶部和侧壁以及剩余的栅极介质层的顶部和侧壁的氧化层，可以修复栅极侧壁的氧化层形貌，提高其耐压能力，减少栅电极和发射极区之间的漏电问题。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]沟槽栅半导体器件及其制备方法-CN202011539995.0在审
发明人：卢汉汉;邱凯兵 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种沟槽栅半导体器件及其制备方法。所述沟槽栅半导体器件从下到上依次包括漏极金属区(122)、第一导电类型的衬底区(101)、第一导电类型的外延区(102)、有源区(100)和源极金属区(121)，其中，所述有源区(100)包括位于沟槽(106)底部的第二导电类型的屏蔽区(107)，且所述第二导电类型的屏蔽区(107)中设置有沟道。通过在沟槽栅半导体器件的沟槽底部的第二导电类型的屏蔽区中也形成沟道，能够增加导电通道，提高器件的沟道密度，从而有效降低沟槽栅半导体器件的导通电阻，同时屏蔽区中的沟道采用自对准工艺制备，精确控制了沟道的长度。
沟槽半导体器件及其制备方法

[发明专利]沟槽型半导体器件及其制造方法-CN202011519449.0在审
发明人：杨涛涛;邱凯兵 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及一种沟槽型半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底(101)、外延层(102)、阱区层(103)、势阱层(104)、势垒层(105)、绝缘栅介质层(106)、栅电极层(108)、层间介质ILD层(109)、源极层(110)和漏极层(111)。其中，所诉势阱层(104)和势垒层(105)的极化效应在交界面形成2DEG或2DHG。该沟槽型半导体器件利用异质结形成的2DEG或2DHG作为沟道载流子。势阱层和势垒层之间的界面平行于栅电极层指向漏极层的方向，使得沟槽结构尺寸更小，加上2DEG或2DHG高载流子迁移率的特点，从而提高了元胞功率密度，进一步降低了导通电阻。
沟槽半导体器件及其制造方法

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202011519989.9在审
发明人：曹群;郭小青 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本公开涉及一种快恢复二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，能够大大降低工艺门槛和价格成本，而且还能够形成更有效的局域寿命控制，提升快恢复二极管的关断软度性能。一种快恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面且与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结，其中，所述第二导电类型半导体层包括局域寿命控制区域和用于与所述第一导电类型半导体层形成所述PN结的区域，所述局域寿命控制区域为由晶格失配材料形成的区域。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]终端结构及其制造方法、半导体器件、电子装置-CN202011520108.5在审
发明人：钟树理;卢汉汉;吴海平;邱凯兵 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件和电子装置，所述终端结构包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；阱区，形成于所述衬底中，所述阱区具有第二导电类型，其中，所述阱区自所述衬底的第一表面向衬底内延伸预定深度；掺杂材料区，所述掺杂材料区设置于所述半导体器件的侧壁以内的部分阱区以及阱区下方的部分衬底中，其中，所述掺杂材料区中掺杂有非电活性离子；第一电极，所述第一电极位于所述衬底的第一表面；第二电极，所述第二电极位于所述衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置。本申请的方案，仅占用了较小的芯片面积，有利于降低器件成本，且提高了器件的耐压特性。
终端结构及其制造方法半导体器件电子装置

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202011520153.0在审
发明人：曹群;郭小青 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本公开涉及一种快恢复二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，能够大大降低工艺门槛和价格成本，而且还能够形成更有效的局域寿命控制，提升快恢复二极管的关断软度性能。一种快恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层的上表面存在晶格失配；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面，且与所述第一导电类型半导体层的上表面同形，而且，所述第二导电类型半导体层与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]摄像机模组、摄像机模组控制方法及监控系统-CN202011533750.7在审
发明人：郭显兵;徐旺源;余涛;郑茂铃 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司;广东比亚迪节能科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种摄像机模组、摄像机模组控制方法及监控系统。该摄像机模组包括壳体、电致变色玻璃、可调制发光件及处理器；电致变色玻璃设置于壳体的开口处，可调制发光件、处理器均位于壳体中，可调制发光件的发光面朝向电致变色玻璃，可调制发光件、电致变色玻璃均与处理器电连接；其中，处理器用于获取光源信息，并根据光源信息控制可调制发光件的发光状态和电致变色玻璃的颜色。在本申请实施例中，可以避免摄像机模组外部空间的其他光线对摄像机模组造成炫光效果，提高摄像机模组采集的图像的质量。
摄像机模组控制方法监控系统

[发明专利]像素结构及其制造方法、图像传感器-CN201811026644.2有效
发明人：谢勇;郭先清;刘坤 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种像素结构及其制造方法、图像传感器。所述像素结构包括光电二极管，所述光电二极管上依次沉积有栅氧化层(19)和传输管栅极(13)，在所述栅氧化层(19)上、所述光电二极管靠近所述传输管栅极(13)的一侧还沉积有附加多晶硅(15)，并且从所述附加多晶硅(15)引出电极。这样，该电极加高电压时可以在光电二极管内该附加多晶硅的下方寄生出一个电容。在曝光的时候，电子优先储存到该电容中，使得电子的转移时间减小，从而降低图像拖影。
像素结构及其制造方法图像传感器

[发明专利]开关电源和应用于反激式开关电源的采样保持方法与电路-CN201910173106.4有效
发明人：王文情;蒋幸福 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种开关电源和应用于反激式开关电源的采样保持方法与电路，能够不影响到开关电源的输出负载调整率以及输出恒压精度。该方法包括：利用第一采样支路和第二采样支路交替对所述反激式开关电源的前一时间周期内的消磁时间信号进行采样，其中，所述第一采样支路利用所述第一采样支路中的第一储能元件的充电时间来对所述消磁时间信号进行采样，所述第二采样支路利用所述第二采样支路中的第二储能元件的充电时间来对所述消磁时间信号进行采样；以及交替对所述第一采样支路和所述第二采样支路中的储能元件进行放电，并在放电电压达到输出反馈电压采样开始触发电压时开始产生输出反馈电压采样窄脉冲。
开关电源应用于反激式采样保持方法电路

[发明专利]功率模块的散热模组、负载控制器及车辆-CN201910242571.9有效
发明人：方林霞;吴海平 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请提供一种IGBT功率模块的散热模组、负载控制器及车辆，散热模组包括：至少一个IGBT功率模块、散热器扁管以及固定支架，散热器扁管包括第一散热器扁管和第二散热器扁管，IGBT功率模块位于第一散热器扁管和第二散热器扁管之间，固定支架包括压紧装置和支撑板，压紧装置使第一散热器扁管、IGBT功率模块以及第二散热器扁管固定在支撑板上，通过设置固定支架固定IGBT功率模块和散热器扁管，固定支架中的压紧装置使相邻散热器扁管对IGBT功率模块的夹紧力处于合适力度，并使散热器扁管与IGBT功率模块相对固定在支撑板上，避免了电容卡扣的可靠性薄弱的问题，同时解决功率模块由于重力和外力作用偏离理想位置的问题。
功率模块散热模组负载控制器车辆