“比亚迪半导体股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果323个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]镜头模组及车辆-CN202320222950.3有效
发明人：赵家俊;姜莉莉;贺晓旭 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H04N23/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镜头模组及车辆，属于摄像技术领域。该镜头模组包括：壳体、镜头、导电防尘壳、第一电路板以及芯片；壳体具有容纳腔，第一电路板位于容纳腔中，芯片设置在第一电路板的第一面，镜头安装于壳体，芯片朝向镜头；导电防尘壳位于容纳腔中，导电防尘壳具有光线通道，所述光线通道的两端分别与所述导电防尘件的外部空间连通，第一面上具有接地区域，导电防尘壳的第一端与接地区域接触，且导电防尘壳包围芯片，芯片位于光线通道中，光线通道朝向镜头，导电防尘壳的第二端与容纳腔的腔壁接触，导电防尘壳隔离芯片与容纳腔的腔壁。
镜头模组车辆

[实用新型]变流器-CN202223500755.7有效
发明人：韩俭;韩瑶川;高振彪;吴海平 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种变流器，包括：箱体，所述箱体上设置有散热流道；控制总成，所述控制总成设置于所述箱体内且和所述散热流道相对设置；水管接头，所述水管接头设置于所述箱体在长度方向的一侧且和所述散热流道连通；多个端子，多个所述端子设置于所述箱体在长度方向和/或宽度方向上的至少一侧且和所述控制总成电连接。将水管接头和多个端子设置在箱体的侧面，这样使得水管接头和多个端子不用占用箱体的上下表面，从而使得变流器的结构紧凑，在安装时不额外占用空间。
变流器

[发明专利]一种二极管及其制造方法-CN202111424740.4在审
发明人：曹群;吴海平 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于电气元件领域，特别涉及一种二极管及其制造方法，二极管包括依次层叠设置的第一电极层、漂移区、阴极区和第二电极层；所述漂移区内设置有隔离层，所述隔离层包括多个隔离区和多个隔离窗口，多个所述隔离区间隔设置，在相邻的两个所述隔离区之间形成所述隔离窗口，所述隔离区能够隔绝电子，以使得电子从所述隔离窗口处通过。本发明实施例中，通过隔离区起到限流的作用，形成阻挡结构，使得反向关断末期的电流只能从隔离窗口处通过，减缓电荷在反向抽取过程中的消失速度，在反向关断恢复过程中起到限流作用，使得反向恢复末期加长，进而提升了关断软度。
一种二极管及其制造方法

[发明专利]芯片及其数据存储方法-CN202111425864.4在审
发明人：周博 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本申请提出一种芯片及其数据存储方法，数据存储方法包括：接收并执行当前操作指令，并将当前操作指令所涉及的第一数据进行备份；收集预设时间段内的历史操作指令所涉及的第二数据，并将第二数据进行备份；对第一数据进行校验，根据校验结果判断是否输出备份的第一数据和第二数据。本技术方案实现了将导致芯片存储体数据异常变动的所有可能数据进行备份存储，使得了在存储体数据异常变动时，能够输出第一数据和第二数据作为参考数据用于异常分析，令导致存储体数据异常变动的触发事件可被追溯。
芯片及其数据存储方法

[发明专利]半导体功率器件及其制备方法和电子设备-CN202111406328.X在审
发明人：董莹锋 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体功率器件及其制备方法和电子设备，包括：提供衬底层；在衬底层的上表面生长具有第一预设厚度的基础介质层；在基础介质层上表面生成第二预设厚度的外延介质层；在外延介质层上方放置电极组件，并对电极组件持续施加电压至第一预设时间后停止，以使可移动离子在外延介质层聚集；去除包含可移动离子的外延介质层。本发明通过静电感应的方式在外延介质层上实现可移动离子的聚集，并去除外延介质层，从而去除了可移动离子，使得半导体功率器件的有效性得到极大改善。
半导体功率器件及其制备方法电子设备

[发明专利]功率器件元胞结构及其制备方法和功率器件-CN202111384986.3在审
发明人：黄宝伟;罗娜娜 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件元胞结构及其制备方法和功率器件，功率器件元胞结构包括：依次叠层设置的集电极、第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区、第一导电类型的注入区、第一绝缘层和发射极，第一绝缘层中开设有接触孔，发射极通过接触孔与注入区接触；栅槽结构，栅槽结构的顶部与第一绝缘层接触，栅槽结构贯穿注入区和阱区，栅槽结构的底部延伸到漂移区；栅槽结构的至少一侧形成有第二导电类型的发射区，发射区沿栅槽结构的顶部向栅槽结构的底部延伸。本发明实施例的功率器件元胞结构，能够缩短沟道长度，减小沟道电阻，降低正向导通压降。
功率器件结构及其制备方法

[发明专利]模数转换电路和芯片、驱动装置、电气设备和车辆及设备-CN202111398341.5在审
发明人：王文情;陈强强;蒋幸福 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种模数转换电路和芯片、电机驱动装置、电气设备和车辆及设备，其中，模数转换电路包括模拟信号采样模块、时钟信号产生模块和触发器，模拟信号采样模块用于获取模拟信号并生成模拟采样信号；时钟信号产生模块用于产生时钟信号；触发器的第一输入端与模拟信号采样模块的输出端连接，触发器的第二输入端与时钟信号产生模块的输出端连接，触发器的输出端与模拟信号采样模块的开关控制端连接，触发器用于根据时钟信号和模拟采样信号控制输出信号的占空比以生成数字脉冲信号。本发明实施例的模数转换电路，对于模拟信号的采集范围更宽，电路适用范围广。电机驱动装置、电气设备和车辆以及设备的性能更加稳定。
转换电路芯片驱动装置电气设备车辆设备

[实用新型]功率模块、控制器和车辆-CN202222569910.4有效
发明人：杨钦耀;程思航;杨胜松;吴彦;王一虎 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率模块、控制器和车辆，所述功率模块包括：功率芯片；温度传感器；第一基板，所述第一基板上设置有所述功率芯片；第二基板，所述第二基板贴设于所述第一基板上且与所述功率芯片间隔设置，所述第二基板上设置有所述温度传感器。如此，形成“功率芯片‑第一基板‑第二基板‑温度传感器”的传热路径，可以有效降低温度传感器的自身应力，在热的作用下，不会产生翘曲、裂纹等问题，进而降低温度传感器的损坏风险，并且，功率芯片的热源与温度传感器之间的传热路径较短，可以使温度传感器对结温的响应及时，有效的监控功率芯片结温，防止过温异常发生。
功率模块控制器车辆

[发明专利]半导体功率模块、电机控制器和车辆-CN202111342962.1在审
发明人：周宇琦;刘春江;张建利 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率模块、电机控制器和车辆，半导体功率模块包括：衬底，衬底具有彼此正交的第一方向和第二方向；间隔设置在衬底上且沿衬底的第一方向依次排布的第一导电区、第二导电区、第三导电区和第四导电区，第一导电区、第二导电区、第三导电区和第四导电区均沿衬底的第二方向延伸，其中，第一导电区和第三导电区用于接入直流电信号，第四导电区用于输出交流电信号；第一功率芯片和第二功率芯片，第一功率芯片分别与第一导电区和第二导电区连接，第二功率芯片分别与第二导电区、第三导电区和第四导电区连接。采用该半导体功率模块可以降低整个模块的杂散电感，提高模块的散热性。
半导体功率模块电机控制器车辆

[发明专利]半导体功率模块、电机控制器以及车辆-CN202111342964.0在审
发明人：周宇琦;刘春江;张建利 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率模块、电机控制器以及车辆，所述半导体功率模块，包括：衬底；设置在衬底上的第一导电区、第二导电区、第三导电区和第四导电区，第一导电区和第二导电区沿衬底的第一方向延伸且沿衬底的第二方向排布，第三导电区和第四导电区位于第一导电区和第二导电区之间且沿第一方向排布，其中，第一导电区、第二导电区和第三导电区用于接入直流电信号，第四导电区用于输出交流电信号；第一功率芯片、第二功率芯片和第三功率芯片。采用该半导体功率模块可以降低模块的电感，提高模块的散热性。
半导体功率模块电机控制器以及车辆

[发明专利]集成级联器件及其制备方法-CN201811368406.X有效
发明人：刘东庆 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供了包括SiC JFET和Si MOSFET的集成级联器件及其制备方法。包括SiC JFET和Si MOSFET的集成级联器件包括：第一外延层包括基底和设置在基底的上表面的中间部分的凸台；第二外延层设置在所述基底的上方，且位于凸台左右方向上相对的两侧；隔离氧化层设置在第一外延层和第二外延层之间；其中，Si MOSFET漏极区和Si MOSFET源极区均从第二外延层的上表面向第二外延层中延伸，SiC JFET栅极区和SiC JFET源极区均从凸台的上表面向第一外延层中延伸。工艺比较容易实现，可实施性强，且连接性好，即使出现断路等问题，在生产过程中也比较容易发现和检修。
集成级联器件及其制备方法

[外观设计]电流传感器-CN202230863146.4有效
发明人：曹天刚;杨伟;张兴明;王耀民 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电流传感器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于电流传感器。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
电流传感器

[实用新型]功率模块及其控制器、车辆-CN202223179289.7有效
发明人：程玲;杨胜松;李凡文;吴彦 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率模块及其控制器、车辆，功率模块包括：间隔设置在衬底上且沿第一方向排布的第一导电区、第二导电区和第三导电区，第一导电区、第二导电区和第三导电区沿第二方向延伸，第一导电区的一侧设有第一信号区，第二导电区内设有第二信号区；多个第一功率芯片彼此间隔地设在第一导电区内且分别与第一导电区、第一信号区和第二导电区电连接；多个第二功率芯片彼此间隔地设在第二导电区且分别与第二导电区、第二信号区和第三导电区电连接。根据本实用新型的功率模块，提高了衬底的面积利用率，且提高半桥功率模块的电流传输能力、功率密度和散热效率。
功率模块及其控制器车辆

[发明专利]芯片存储体异常处理系统、方法及存储介质-CN202111276597.9在审
发明人：周博 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本申请提出一种芯片存储体异常处理方法、方法及存储介质，该芯片存储体异常处理方法用于在芯片工作过程中，将存储体异常操作的关键数据进行保存，避免用于失效分析的关键数据由于存储体数据异常，导致CPU执行程序混乱而丢失；同时对应急程序的处理不限于在芯片存储体异常的时刻进行关键数据保存，在芯片掉电重新上电时，也能使得芯片正常执行应急程序，避免芯片跑飞，将记录的存储体异常前的数据重复进行输出，以便于外部分析设备对芯片存储体丢失数据的过程进行分析，识别故障根本原因，从而为后续提升产品技术可靠性和质量提供帮助支持。
芯片存储异常处理系统方法介质

[发明专利]带隙基准电路-CN202111275148.2在审
发明人：陈胜胜;白淳;郭亮亮;杨云 -专利权人： 比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开提供了带隙基准电路。所述带隙基准电路包括带隙基准子电路、补偿电流发生子电路和电流镜像子电路；所述电流镜像子电路分别与所述补偿电流发生子电路、所述带隙基准子电路连接；所述带隙基准子电路，用于生成带隙基准电压；所述补偿电流发生子电路，用于生成具有温度特性的补偿电流；所述电流镜像子电路，用于对所述补偿电流进行镜像生成镜像电流，通过所述镜像电流对所述带隙基准电压进行电压补偿。
基准电路