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- [实用新型]摄像头及汽车-CN202221671752.7有效
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郑茂铃;邱欣周;柯宇杰;刘国宁
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比亚迪半导体股份有限公司
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2022-06-30
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2022-12-13
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H04N5/225
- 本实用新型涉及一种摄像头及汽车,包括外壳、镜头以及加热装置;其中,外壳具有容纳腔;镜头包括镜筒和镜片组,镜筒设置在容纳腔内,镜片组的物侧镜片与镜筒连接;加热装置设置在容纳腔内,并与镜筒连接,以便通过镜筒将加热装置产生的热量传递至物侧镜片。在实用新型中,加热装置可以在任何情况下对物侧镜片进行加热,以防止物侧镜片上产生凝露,从而可以提高摄像头的防凝露效果。同时,在本实施例中,加热装置与镜筒连接,通过镜筒将热量传递至物侧镜片,这样不仅可以更快地将加热装置所产生的热量传递至物侧镜片,以提高加热效率,还无需加热装置与物侧镜片直接连接,以降低生产装配难度。
- 摄像头汽车
- [发明专利]IGBT及其制造方法-CN202110348135.7在审
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秦博;吴海平
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比亚迪半导体股份有限公司
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2021-03-31
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2022-10-04
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H01L29/739
- 本公开涉及一种IGBT及其制造方法。IGBT从下到上依次包括集电区(109)、缓冲层(108)、衬底(101)、场氧化层(102)、绝缘介质层(106)和金属层(107),还包括在衬底中扩散形成的第一导电类型的主结区(103)和第二导电类型的截止环区(104)。在场氧化层和绝缘介质层之间设置有多晶硅层,多晶硅层包括在水平方向上交替排列的m个第一导电类型掺杂区(p1~pm)和m个第二导电类型掺杂区(n1~nm),m≥2。主结区上方的金属层和距离主结区最近的第一导电类型掺杂区(p1)通过绝缘介质层上的孔洞接触,截止环区上方的金属层和距离截止环区最近的第二导电类型掺杂区(nm)通过绝缘介质层上的孔洞接触。本方案提升了器件击穿电压的一致性和稳定性。
- igbt及其制造方法
- [发明专利]IGBT及其制造方法-CN202110349595.1在审
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刘志煌;秦博;吴海平
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比亚迪半导体股份有限公司
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2021-03-31
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2022-10-04
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H01L29/739
- 本公开涉及一种IGBT及其制造方法。所述IGBT从上到下依次包括正面结构(105)、衬底(101)、第一电场终止层(102)、背面集电区(106)和背面金属层(107)。在所述第一电场终止层(102)和所述背面集电区(106)之间还包括第二电场终止层(103),所述第二电场终止层(103)的杂质类型与所述第一电场终止层(102)的杂质类型一致,所述第二电场终止层(103)的杂质浓度均匀,且与所述第一电场终止层(102)在靠近所述第二电场终止层(103)一侧表面的杂质浓度相同。这样,杂质浓度均匀的第二电场终止层能够保证在一定的减薄工艺误差下整个电场终止层的表面杂质浓度一致,避免背面注入效率出现较大波动,从而提高了器件参数的稳定性。
- igbt及其制造方法
- [发明专利]功率管驱动电路和功率管驱动方法-CN202110335392.7在审
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王文情;陈强强
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比亚迪半导体股份有限公司
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2021-03-29
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2022-09-30
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H03K17/687
- 本公开涉及一种功率管驱动电路和功率管驱动方法。功率管驱动电路包括输入模块、输出模块和变压器,输入模块和输出模块通过变压器连接,输入模块用于根据所获取的输入信号控制变压器的初级端产生交变电流;输出模块用于接收变压器的次级端的电压信号,并根据所接收到的电压信号控制功率管的开闭。输入模块包括:控制模块,用于根据电源电压的大小输出控制信号;限流电阻模块,用于根据控制信号调节输入模块中限流电阻值的大小,以使限流电阻值随着电源电压的增大而增大。当电源电压较小时,限流电阻值较小,以确保驱动电流足够大,实现信号的有效发送与接收。随着电源电压的增大,限流电阻也随之增大,使驱动电流减小,从而减小了芯片的功耗。
- 功率管驱动电路方法
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