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[发明专利]在不影响C形护罩的机械强度或使用寿命的情况下为等离子体均匀性进行C形护罩修改-CN202280005850.3在审
发明人：普拉蒂克·曼克迪;金·宰元;哈梅特·辛格;李明 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理室的约束环包括上部水平区段、竖直区段和下部水平区段。上部水平区段在约束环的上部内半径和外半径之间延伸，下部水平区段在约束环的下部内半径和外半径之间延伸，并且包括延伸到下部内半径的延伸区段。下部水平区段的顶表面提供向下朝向下部内半径的角度。竖直区段设置在约束环的外半径和内侧半径之间。竖直区段将约束环的上部水平区段连接到下部水平区段。
影响护罩机械强度使用寿命情况等离子体均匀进行修改

[发明专利]多站沉积系统中膜厚度匹配的可变循环和时间RF激活方法-CN202310082773.8在审
发明人：伊时塔克·卡里姆;赵基永;阿德里安·拉瓦伊;杰斯温德尔·朱利安尼;普鲁肖坦·库马尔;钱俊 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及多站沉积系统中膜厚度匹配的可变循环和时间RF激活方法。提供了在多站沉积装置的分开的站中同时处理的至少两个衬底上沉积大致相等厚度的材料的方法和装置。
沉积系统厚度匹配可变循环时间 rf 激活方法

[发明专利]多站沉积系统中膜厚度匹配的可变循环和时间RF激活方法-CN202310088307.0在审
发明人：伊时塔克·卡里姆;赵基永;阿德里安·拉瓦伊;杰斯温德尔·朱利安尼;普鲁肖坦·库马尔;钱俊 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及多站沉积系统中膜厚度匹配的可变循环和时间RF激活方法。提供了在多站沉积装置的分开的站中同时处理的至少两个衬底上沉积大致相等厚度的材料的方法和装置。
沉积系统厚度匹配可变循环时间 rf 激活方法

[发明专利]使用石墨烯作为抑制剂的选择性沉积-CN202180051766.0在审
发明人：耶瓦·纳克维丘特;巴德里·N·瓦拉达拉简;卡希什·沙玛 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：石墨烯相对于半导体衬底的介电层而选择性地沉积在金属层上。介电材料相对于半导体衬底的金属层而选择性地沉积在介电层上。石墨烯是一种高质量的石墨烯膜，其在介电材料的沉积期间用作抑制剂。在一些实施方案中，介电材料可以是金属氧化物。在一些实施方案中，介电材料可以是低k介电材料。石墨烯在整个半导体整合过程中保持不变。在一些实施方案中，石墨烯可以随后被改性以允许在石墨烯的表面上的沉积，或者石墨烯可以随后被去除。
使用石墨作为抑制剂选择性沉积

[发明专利]通过RF耦合结构对等离子体形成的控制-CN202180056281.0在审
发明人：赫马·斯沃普·莫皮迪维;陈利;托马斯·W·安德森;肖恩·泰勒·史密斯;尼尔·M·P·本杰明 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体形成装置可以包括一个或更多个耦合端口以接收射频(RF)电流。该装置可额外包括一个或更多个耦合结构，其可包括一个或更多个导电回路以允许该RF电流从该一个或更多个耦合端口中的至少第一端口传导至该一个或更多个耦合端口中的至少第二端口。该一个或更多个导电回路可各自配置成在不存在该等离子体的情况下显示第一电感值，以及在存在该等离子体的情况下显示第二电感值。该一个或更多个耦合结构可各自包括电抗元件，其中每个电抗元件耦合至该一个或更多个导电回路的相应一者以形成相应数量的耦合结构。每个RF耦合结构可具有响应于该等离子体的存在而增大的谐振频率。
通过 rf 耦合结构等离子体形成控制

[发明专利]衬底电镀系统的基于镀覆-除镀波形的接触件清洁-CN202180055712.1在审
发明人：杨柳;马权;何治安;尚蒂纳特·古艾迪 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：一种配置用于衬底的电化学镀覆的电化学沉积系统包含室、电极、以及控制器。该室容纳镀覆浴。该电极被设置于该镀覆浴中。该镀覆杯件包含接触环。该接触环包含接触件。所述接触件被浸没于该镀覆浴中。该控制器被配置成在该接触环与该电极之间施加电压信号，以从所述接触件去除残留物。该电压信号包含镀覆‑除镀波形。该镀覆‑除镀波形包含多个循环。该多个循环中的每一者包含成对的具有不同极性的脉冲。
衬底电镀系统基于镀覆波形接触清洁

[发明专利]使用多个加热区和热孔隙的基座热分布调节-CN202180055824.7在审
发明人：盖瑞·B·利德;阿洛克·马哈德瓦 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：衬底支撑件包括主体和热孔隙。主体被配置成在衬底的处理期间支撑衬底。主体包括多个板，这些板包括顶板、第一中间板、第二中间板以及底板。这些板被布置成形成堆叠件。第一中间板被配置在第二中间板上。热孔隙由第二中间板的上表面以及第一中间板的下表面或顶板的下表面中的至少一者限定。热孔隙为环状。
使用加热孔隙基座分布调节

[发明专利]特征内的湿式蚀刻速率比减小-CN202180057983.0在审
发明人：阿维尼什·古普塔;伊恩·约翰·科廷;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;弗兰克·洛伦·帕斯夸里;伊莱·钱;阿德里安·拉沃伊 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的多种实施方案涉及使用热ALD或热CVD沉积硅氧化物的方法与装置。在所公开的实施方案的一方面，提供了一种沉积硅氧化物的方法，所述方法包含：(a)在反应室中接收衬底；(b)将第一反应物的第一流导入到所述反应室中，并且将所述衬底暴露于所述第一反应物，其中所述第一反应物包含含硅反应物；(c)将第二反应物的第二流导入到所述反应室中，以引起所述第一反应物与所述第二反应物之间的反应，(i)其中所述第二反应物包含氢(H2)和含氧反应物，(ii)其中所述反应使硅氧化物沉积在所述衬底上，且(iii)其中当所述反应室内的压强大于10托并且等于或小于约40托时，引发所述反应。
特征蚀刻速率减小

[发明专利]用于控制衬底处理系统的气动阀的具有备用电磁阀的电磁线圈组-CN202180051464.3在审
发明人：斯瓦吉斯·皮洛特·潘昌加姆;维纳亚卡拉迪·古拉巴尔;耶什万特·萨吉;科尔斯·格瓦达鲁 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：一种用于衬底处理系统的流体控制系统包括：(M+N)个输入口，其被配置成分别与M个电磁线圈阀和N个备用电磁线圈阀流体连接，其中M和N为大于0的整数。M个输出部被配置成与M个气动阀流体连接。阀切换系统被配置成：选择性阻挡所述M个输入口中的1至N个，其中所述M个输入口中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的1至N个失灵者；以及从所述N个备用电磁线圈阀中的1至N个将流体供应至所述M个输出部中的1至N个，其中所述M个输出部中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的所述1至N个失灵者。
用于控制衬底处理系统气动阀具有备用电磁阀电磁线圈

[发明专利]自由基活化的碳膜沉积-CN202280005379.8在审
发明人：巴德里·N·瓦拉达拉简;马修·斯科特·韦默 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：使用含自由基活化碳的前体将结晶或非晶碳膜沉积在衬底上。含碳前体包含一或多个C‑C键和/或一或多个C‑H键。自由基在位于反应腔室上游的远程等离子体源中产生，且含碳前体流动到远程等离子体源下游的反应腔室中。自由基与C‑C键和/或C‑H键相互作用以在邻近于衬底的环境中活化含碳前体。在一些实施方案中，高度保形的非晶碳膜通过含自由基活化碳的前体沉积。
自由基活化沉积

[发明专利]晶片状制品的处理装置-CN202180055687.7在审
发明人：迈克尔·布鲁格;伯克哈特·希尔;迈克尔·达勒 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：处理晶片状制品的装置，所述处理装置包含支撑件，所述支撑件设置成在处理操作的期间支撑所述晶片状制品；其中：所述支撑件包含支撑件本体以及多个夹持销组件，所述夹持销组件相对于所述支撑件本体进行适配并且定位，以夹持所述晶片状制品，其中在夹持构造与非夹持构造之间，所述夹持销组件的每一者可相对于所述支撑件本体而转动，在所述夹持构造中，所述夹持销组件夹持所述晶片状物件，而在所述非夹持构造中，所述夹持销组件不夹持所述晶片状物件；所述夹持销组件中的每一者从所述支撑件本体中的对应孔洞突出；且密封构件被配置在所述夹持销组件中的至少一者与所述对应孔洞之间，所述密封构件设置成限制所述处理操作中所使用的处理液体渗入到所述孔洞内。
晶片制品处理装置

[发明专利]减材式铜蚀刻-CN202180056912.9在审
发明人：杨文兵;林染;萨曼莎·西亚姆华·坦;莫汉德·布鲁里;潘阳 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种原子层蚀刻方法，以用于在等离子体处理室中蚀刻衬底上铜或铜合金，其包含多个循环。多个循环中的每一个循环包含铜改性阶段和活化阶段。铜改性阶段包含：使改性气体流入等离子体处理室，使改性气体转变为改性等离子体，以及将铜或铜合金暴露于改性等离子体，其中至少有一部份的铜或铜合金被改性。该活化阶段包含：使活化气体流入等离子体处理室，其中活化气体包含含氢气体，将活化气体转变为活化等离子体，并将经改性的铜或铜合金暴露于活化等离子体，其中至少形成可挥发的铜或铜合金络合物。
减材式铜蚀刻

[发明专利]减少晶片斜面边缘等离子体处理的电弧发生-CN202180053942.4在审
发明人：华雪锋;罗伟义;杰克·陈 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：用于在斜面等离子体室中处理晶片的斜面边缘的方法和系统。该方法包括接收用于斜面等离子体室的RF发生器的脉冲模式设置。该方法包括识别脉冲模式的占空比，该占空比定义在由发生器输送的每个功率周期期间的接通(ON)时间和关断(OFF)时间。该方法包括计算或访问对发生器的输入RF功率设置的补偿因子。补偿因子被配置为将增量功率添加到输入功率设置以解决归因于在脉冲模式下运行的占空比的功率损失。该方法被配置为在具有占空比和脉冲频率的脉冲模式下运行发生器。发生器被配置为产生脉冲模式的输入功率，该输入功率包括增量功率以在斜面等离子体室中实现有效功率以实现目标斜面处理吞吐量，同时减少导致电弧损坏的电荷积聚。
减少晶片斜面边缘等离子体处理电弧发生

[发明专利]超高选择性的氮化物蚀刻以形成FinFET器件-CN201810208164.1有效
发明人：夸梅·伊森;杨邓良;皮利翁·帕克;费萨尔·雅各布;朴俊洪;马克·川口;艾夫林·安格洛夫;朱吉;常萧伟 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及超高选择性的氮化物蚀刻以形成FinFET器件。用于选择性地蚀刻衬底上的层的衬底处理系统包括上室区域、围绕上室区域布置的感应线圈和包括衬底支撑件以支撑衬底的下室区域。气体分配装置布置在上室区域和下室区域之间并且包括具有多个孔的板。冷却充气室冷却气体分配装置，并且吹扫气体充气室将吹扫气体引导到下室中。孔的表面积与体积之比大于或等于4。控制器选择性地将蚀刻气体混合物供应到上室并将吹扫气体供应到吹扫气体充气室，并且在上室中激励等离子体以相对于衬底的至少一个其他暴露层选择性地蚀刻衬底的层。
超高选择性氮化物蚀刻形成 finfet 器件

[发明专利]用于在电镀期间控制横流和冲击电解液的输送的方法和装置-CN201880060645.0有效
发明人：斯蒂芬·J·巴尼克二世;亚伦·贝尔克;布莱恩·L·巴卡柳;罗伯特·拉什 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本文的各种实施方案涉及用于将材料电镀到半导体衬底上的方法和装置。该装置包括将镀敷室分隔成横流歧管(在离子阻性元件上方)和离子阻性元件歧管(在离子阻性元件下方)的离子阻性元件。电解液被输送到横流歧管，在这里剪切通过衬底的表面上，并且被输送到离子阻性元件歧管，在这里，电解液通过离子阻性元件的通孔，在进入横流歧管时撞击到衬底上。在某些实施方案中，例如使用三通阀主动地控制进入横流歧管(例如，通过侧入口)的电解液的流动和进入离子阻性元件歧管的电解液的流动。在这些或其他情况下，离子阻性元件可包括电解液喷嘴。
用于电镀期间控制冲击电解液输送方法装置