“朗姆研究公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2037个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种衬底基座及其制造方法和一种处理衬底的方法-CN202010719108.1有效
发明人：特洛伊·艾伦·戈姆;尼克·拉伊·小林百格 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底基座及其制造方法和一种处理衬底的方法。所述处理衬底的方法包括：将衬底放置在衬底基座上，将背部热传输气体或吹扫气体供给通过背部气体管路至在衬底的下表面下方的区域，背部气体管路包括在上部气体管路凸缘中的至少一个开口，使得至少一个相应的电气连接件能延伸通过上部气体管路凸缘。所述衬底基座包括：由陶瓷材料形成的台板，其具有构造成在处理期间支承所述衬底的上表面；杆，其由陶瓷材料形成并具有上部杆凸缘以支撑所述台板；由陶瓷材料形成的背部气体管路，其位于所述杆的内部，背部气体管路包括位于台板的下表面与上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，背部气体管路与台板的至少一个背部气体通道流体连通。
一种衬底基座及其制造方法处理

[发明专利]与人工智能融合的原位传感器-CN202080064061.8有效
发明人：丁煜;马权;杰拉明·S·曼努吉德;尚蒂纳特·古艾迪;罗伯特·马歇尔·斯托威尔 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F7/02 文献下载
摘要：在一个实施方案中，所公开的设备是原位闭环气泡和泡沫检测和减少系统，其包括用于确定流体贮存器中的液体体积的液位传感器、用于确定流体贮存器和流体贮存器内包含的任何液体的质量的质量检测设备、电耦合到液位传感器和质量检测设备以确定流体贮存器内液体的实际体积的处理器以及耦合到处理器并位于流体贮存器上方的喷头。当液位传感器确定的液体体积超过液体的实际体积预定量时，由处理器启动喷头。公开了其他装置和方法。
人工智能融合原位传感器

[发明专利]用于沉积阻挡层以防止光致抗蚀剂中毒的衬底处理方法-CN201710532189.2有效
发明人：大卫·张;伊利亚·卡利诺夫斯基 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于沉积阻挡层以防止光致抗蚀剂中毒的衬底处理方法。具体而言，一种用于沉积阻挡层的方法包括：a)将包含氮化物层的衬底布置在处理室中；b)将所述处理室中的工艺温度设定到预定的工艺温度范围；c)将所述处理室中的工艺压强设定到预定的工艺压强范围；d)提供包括有机硅烷前体物质的气体和蒸气中的至少一种；以及e)在所述氮化物层上沉积阻挡层。所述阻挡层减少所述氮化物层中的扩散到随后沉积在所述氮化物层上的光致抗蚀剂层中的含氮基团。
用于沉积阻挡防止光致抗蚀剂中毒衬底处理方法

[发明专利]用于提供低k间隔物的方法-CN201780077978.X有效
发明人：斯特拉特福德·A·维尔德;布莱恩·泰西耶 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种形成具有间隔物的半导体器件的方法。在特征的侧面上形成SiCO间隔物。在所述SiCO间隔物的第一部分上形成保护性覆盖物，其中所述SiCO间隔物的所述侧壁的第二部分未被所述保护性覆盖物覆盖。对所述SiCO间隔物的未被所述保护性覆盖物覆盖的所述第二部分提供转变工艺，这改变了所述SiCO间隔物的未被所述保护性覆盖物覆盖的所述第二部分的物理性质，其中所述保护性覆盖物保护所述SiCO间隔物的所述第一部分不受所述转变工艺的影响。
用于提供间隔方法

[发明专利]一种用于半导体器件制造的等离子体处理系统-CN201811515594.4有效
发明人：谭忠魁;傅乾;吴英;许晴;向华 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及用双峰工艺气体组合物进行等离子体蚀刻的方法和系统。将衬底设置在处理模块内的衬底支架上。所述衬底包括覆盖靶材料的掩模材料，其中所述靶材料中的至少一个部分通过所述掩模材料中的开口暴露。供给双峰工艺气体组合物到在所述衬底上的等离子体产生区域。在第一时间段,施加第一射频功率到所述双峰工艺气体组合物以产生造成在所述衬底上的蚀刻为主的效果的等离子体。在所述第一时间段结束后的第二时间段,施加第二射频功率到所述双峰工艺气体组合物以产生造成在所述衬底上的沉积为主的效果的等离子体。在用以去除暴露的所要求量的所述靶材料的总的时间段，以交替和连续的方式施加所述第一射频功率和所述第二射频功率。
一种用于半导体器件制造等离子体处理系统

[发明专利]用于控制晶片晶边/边缘上的沉积的承载环设计-CN202310267317.0在审
发明人：迈克尔·J·雅尼基;布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：提供了各种承载环设计和配置，以控制位于晶片正面和晶边边缘处的沉积量。虽然沉积是在晶片背面进行，而在晶片正面不期望沉积，但该承载环设计可控制在晶片的诸多位置处的沉积量。这些位置包含晶边的正面、边缘和背面以及晶片的正面和背面。承载环的边缘轮廓被设计以控制处理气体流、正面清扫气体流、以及等离子体效应。在一些设计中，添加通孔至承载环以控制气流。边缘轮廓以及添加的特征可以降低或消除在晶片正面以及晶边边缘处的沉积。
用于控制晶片边缘沉积承载设计

[发明专利]具有延伸的静电卡盘电极的高温基座-CN202180067137.7在审
发明人：毕峰;崎山行则;尼拉杰·拉纳;张鹏翼;西姆兰·沙;蒂莫西·斯科特·托马斯;大卫·弗伦奇;文森特·布克哈特 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种被配置成支撑具有直径D的衬底的衬底支撑件包含：第一内部电极和第二内部电极，其各自都是D形，限定了小于D的第一外径，且被配置成连接至静电卡盘电压，以将所述衬底夹持至所述衬底支撑件上。外部电极包含围绕所述第一内部电极和所述第二内部电极的环形外部，以及通过所述第一内部电极和所述第二内部电极之间以连接至所述环形外部的内径的相对侧的中心部。所述环形外部的所述内径大于所述直径D，使得所述环形外部的所述内径以及所述中心部和所述环形外部两者之间的交叉点位于所述衬底的所述直径D的径向外侧。
具有延伸静电卡盘电极高温基座

[发明专利]预镀边缘干燥-CN202180067883.6在审
发明人：卡利·托尔凯尔森;斯蒂芬·J·巴尼克;布莱恩·巴卡柳 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：一种衬底处理系统中的室包含：衬底保持器，其被设置成支撑衬底；喷嘴，其被布置在所述衬底上方，所述喷嘴被设置成在预湿期间喷射预湿液体至所述衬底的表面上；以及至少一个气体喷射器，其被布置在所述喷嘴的径向外侧。所述至少一个气体喷射器被设置成在所述预湿期间之后的干燥期间向所述衬底的边缘喷射气体，以从所述衬底的所述边缘去除所述预湿液体。
边缘干燥

[发明专利]蒸气输送设备-CN202180069305.6在审
发明人：泰迪亚斯·班福德;乔治·雷耶斯;埃米尔·德拉佩 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-10-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：一种用于衬底处理系统中的处理室的蒸发器组件包含：储存罐，其被设置成储存并加热前体液体；以及蒸发器阀块，其被安装于所述储存罐上。所述蒸发器阀块包括：本体；多个阀，其安装于所述本体上；载气入口，其与所述储存罐流体连通；前体液体入口，其与所述储存罐流体连通；蒸气端口，其与所述储存罐流体连通，以及蒸气出口，其与所述处理室流体连通。所述多个阀中的每一个与包含在所述蒸发器阀块内的相应流动路径流体连通。
蒸气输送设备

[发明专利]用于处理晶片状制品的装置-CN202180066733.3在审
发明人：阿洛伊斯·戈勒;罗曼·富克斯 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种用于处理晶片状制品的装置，所述装置包含：支撑件，其被配置成支撑晶片状制品；加热组件，其包含被配置成对由所述支撑件所支撑的晶片状制品进行加热的发光加热元件阵列；以及气体供应机构，其被配置成对所述发光加热元件阵列供应：第一气体，其具有以体积计小于1％的氧含量；以及第二气体，其具有以体积计比所述第一气体高至少2％的氧含量。
用于处理晶片制品装置

[发明专利]衬底处理系统的前体蒸气供应系统中流监测的系统和方法-CN201810217598.8有效
发明人：钱骏;普鲁沙塔姆·库马尔;阿德里安·拉瓦伊;翟佑;耶利米·鲍尔温;金孙齐 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理系统的前体蒸气供应系统中流监测的系统和方法。一种使用蒸气输送系统在衬底处理系统中输送汽化前体的方法包括：(a)在衬底的沉积时间段期间选择性地将推送气体供应到储存液体前体和汽化前体的安瓿的入口；(b)在所述沉积时间段期间测量安瓿出口处的推送气体和汽化前体的压力；(c)确定在沉积时间段期间的最大压力；(d)基于采样间隔和采样间隔期间的最大压力来确定针对所述沉积时间段的积分面积；(e)针对衬底的多个沉积时间段来重复(a)、(b)、(c)和(d)。
衬底处理系统蒸气供应中流监测方法

[发明专利]用于高模数ALD SiO2-CN201780070305.1有效
发明人：克洛伊·巴尔达赛罗尼;尚卡尔·斯瓦米纳坦 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供了使用原子层沉积形成高模量氧化硅间隔物的方法和装置。方法包括在高温下沉积，使用高等离子体能量，以及使用紫外线辐射对沉积的氧化硅进行后处理。这种氧化硅隔离物适合用作多个图案化应用中的掩模以防止间距行走。
用于高模数 ald sio base sub

[发明专利]以高沉积速率沉积具有低压应力、高的膜稳定性和低收缩率的原硅酸四乙酯厚膜的方法-CN201880026216.1有效
发明人：基思·福克斯;乔纳森·丘奇 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于降低二氧化硅膜后退火收缩率的方法包括：将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；将所述处理室中的压强设置为预定压强范围；将所述衬底支撑件的温度设置为预定温度范围；将处理气体混合物供应到气体分配装置。所述处理气体混合物包括TEOS气体、包含氧物质的气体、以及氩气。所述氩气占所述处理气体混合物体积的超过20％。所述方法还包括激励等离子体并将所述膜沉积在所述衬底上。
沉积速率具有低压应力稳定性收缩硅酸四乙酯厚膜方法

[发明专利]通过减少和去除金属氧化物形成接触和互连的系统和方法-CN201710990980.8有效
发明人：拉伊汉·塔拉夫达尔;施卢蒂·托姆贝尔;罗郑石;拉什纳·胡马雍;基乌金·史蒂文·莱 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及通过减少和去除金属氧化物形成接触和互连的系统和方法。一种在阻挡层上沉积金属层的方法包括：a)将衬底布置在处理室中。衬底已暴露于空气和/或氧化化学品中的至少一种，并且包含阻挡层和一个或多个下伏层，其中所述阻挡层包含选自由氮化钽、氮化钛、钽和钛组成的群组中的材料。所述方法包括：b)将选自由肼、包含氟物质的气体、包含氯物质的气体、肼的衍生物、氨、一氧化碳、包含脒基的气体和/或包含金属有机配体的气体组成的群组中的气体提供至所述处理室持续预定时间段以从所述阻挡层去除氧化。所述方法包括：c)在b)之后在所述阻挡层上沉积金属层。所述金属层包含选自由钴、铜、钨、钌、铑、钼和镍组成的群组中的金属。
通过减少去除金属氧化物形成接触互连系统方法

[发明专利]具有导通控制的化学沉积设备-CN202110249882.5有效
发明人：拉梅什·钱德拉赛卡兰;卡尔·利泽;夏春光;杰里米·塔克 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：一种具有导通控制的化学沉积设备，其包括：具有面板和背板的喷头模块，所述喷头模块包括输送反应器化学成分到腔体以及清除反应器化学成分的排放出口；基座模块，其被配置为支撑衬底，并且垂直移动以关闭所述基座模块与所述面板的外部之间的腔体；以及至少一个导通控制组件，经由所述排放出口流体连通所述腔体。所述至少一个导通控制组件选自以下各项中的一个或多个：磁耦合旋转板和/或基于线性的磁系统。
具有控制化学沉积设备