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[发明专利]多站沉积系统中膜厚度匹配的可变循环和时间RF激活方法-CN202310082773.8在审
发明人： 伊时塔克·卡里姆;赵基永;阿德里安·拉瓦伊;杰斯温德尔·朱利安尼;普鲁肖坦·库马尔;钱俊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及多站沉积系统中膜厚度匹配的可变循环和时间RF激活方法。提供了在多站沉积装置的分开的站中同时处理的至少两个衬底上沉积大致相等厚度的材料的方法和装置。
沉积系统厚度匹配可变循环时间 rf 激活方法

[发明专利]多站沉积系统中膜厚度匹配的可变循环和时间RF激活方法-CN202310088307.0在审
发明人： 伊时塔克·卡里姆;赵基永;阿德里安·拉瓦伊;杰斯温德尔·朱利安尼;普鲁肖坦·库马尔;钱俊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及多站沉积系统中膜厚度匹配的可变循环和时间RF激活方法。提供了在多站沉积装置的分开的站中同时处理的至少两个衬底上沉积大致相等厚度的材料的方法和装置。
沉积系统厚度匹配可变循环时间 rf 激活方法

[发明专利]用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统-CN202211279416.2在审
发明人： 伊时塔克·卡里姆;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统。公开了一种沉积膜的方法和系统。所述方法可以包括：(a)确定用于在所述室内进行膜沉积的工艺条件，所述工艺条件包括在所述室内围绕每个站的周边流动的帘式气体的流动条件，(b)根据(a)中确定的所述工艺条件，在膜沉积期间，使所述帘式气体流到所述室内的每个站，(c)在(b)期间或之后，确定所述室内的所述帘式气体的经调节的流动条件，以改善衬底的不均匀性；以及(d)在(c)之后，根据(c)中确定的所述经调节的流动条件，在膜沉积期间，使所述帘式气体流动。所述系统可以包括气体输送系统、处理室以及具有用于执行(a)‑(d)中的一项或多项的控制逻辑的控制器。
用于轮廓调节喷头气体方法系统

[发明专利]用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统-CN202211279459.0在审
发明人： 伊时塔克·卡里姆;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统。公开了一种沉积膜的方法和系统。所述方法可以包括：(a)确定用于在所述室内进行膜沉积的工艺条件，所述工艺条件包括在所述室内围绕每个站的周边流动的帘式气体的流动条件，(b)根据(a)中确定的所述工艺条件，在膜沉积期间，使所述帘式气体流到所述室内的每个站，(c)在(b)期间或之后，确定所述室内的所述帘式气体的经调节的流动条件，以改善衬底的不均匀性；以及(d)在(c)之后，根据(c)中确定的所述经调节的流动条件，在膜沉积期间，使所述帘式气体流动。所述系统可以包括气体输送系统、处理室以及具有用于执行(a)‑(d)中的一项或多项的控制逻辑的控制器。
用于轮廓调节喷头气体方法系统

[发明专利]用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统-CN202211279875.0在审
发明人： 伊时塔克·卡里姆;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统。公开了一种沉积膜的方法和系统。所述方法可以包括：(a)确定用于在所述室内进行膜沉积的工艺条件，所述工艺条件包括在所述室内围绕每个站的周边流动的帘式气体的流动条件，(b)根据(a)中确定的所述工艺条件，在膜沉积期间，使所述帘式气体流到所述室内的每个站，(c)在(b)期间或之后，确定所述室内的所述帘式气体的经调节的流动条件，以改善衬底的不均匀性；以及(d)在(c)之后，根据(c)中确定的所述经调节的流动条件，在膜沉积期间，使所述帘式气体流动。所述系统可以包括气体输送系统、处理室以及具有用于执行(a)‑(d)中的一项或多项的控制逻辑的控制器。
用于轮廓调节喷头气体方法系统

[发明专利]存储器应用的线挠曲控制-CN201980079225.1在审
发明人：戈鲁恩·布泰尔;施卢蒂·托姆贝尔;伊时塔克·卡里姆;帕特里克·范克利蒙布特 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种减少在存储器单元中的字线挠曲的方法包含：a)提供衬底，所述衬底包括多个字线，所述多个字线被配置成彼此相邻并且在多个晶体管上方；b)使用沉积工艺在所述多个字线上沉积膜层；c)在沉积所述膜层之后，测量字线挠曲；d)将所述字线挠曲与预定范围相比较；e)基于所述字线挠曲，调整所述沉积工艺的成核延迟和晶粒尺寸中的至少一者；以及f)使用一或更多衬底分别重复(b)到(e)一或更多次，直到所述字线挠曲在所述预定范围内。
存储器应用挠曲控制

[发明专利]用于半导体图案化应用的高干法蚀刻速率材料-CN201710772400.8有效
发明人：阿潘·马霍罗瓦拉;伊时塔克·卡里姆;普鲁肖坦·库马尔;尚卡尔·斯娃米纳森;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体图案化应用的高干法蚀刻速率材料。本文提供了使用用于负图案化方案的原子层沉积来沉积低密度间隔物的方法和装置。方法包含以下操作中的一个或多个：(1)在沉积前体和氧化等离子体的交替脉冲的每个循环中将衬底暴露于等离子体持续小于约300ms的持续时间；(2)在小于约0.2W/cm2的射频功率密度下将所述衬底暴露于所述等离子体；以及(3)将所述衬底暴露于由氩比氧化剂之比为至少约1:12的工艺气体产生的等离子体。
用于半导体图案应用高干蚀刻速率材料

[发明专利]在硬掩模膜上的ALD SiO2-CN201980048209.6在审
发明人：道格拉斯·沃尔特·阿格纽;伊时塔克·卡里姆 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在衬底表面上限定薄膜层的方法包含通过第一等离子体而使衬底表面暴露于第一前体，以使第一前体能够被衬底表面吸收。通过第二等离子体而将不同于第一前体的第二前体施加至衬底表面。第二前体是二氧化碳前体，其释放足够的氧自由基以与第一前体进行反应，从而在衬底表面上形成氧化物膜层。
硬掩模膜上 ald sio base sub

[发明专利]用于原子层沉积的动态前体投配-CN202010730406.0在审
发明人：普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊;钱俊;康胡;伊时塔克·卡里姆;欧丰松 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及用于原子层沉积的动态前体投配。公开了用于控制在半导体加工工具内的前体流的方法和装置。一种方法可以包括：使气体流动通过气体管线；在投配步骤之前，打开一个或多个安瓿阀，以使前体流开始从所述安瓿通过所述气体管线流向处理室；关闭所述一个或多个安瓿阀，以使所述前体停止从所述安瓿流出；在所述投配步骤开始时，打开处理室阀，以使所述前体流能进入所述处理室；以及在所述投配步骤结束时，关闭所述处理室阀，以使所述前体流停止进入所述处理室。控制器可以包括至少一个存储器和至少一个处理器，并且至少一个存储器可以存储用于控制至少一个处理器的指令以控制在半导体加工工具内的前体流。
用于原子沉积动态前体投配

[发明专利]带密封表面的静电卡盘-CN201980024665.7在审
发明人：帕特里克·G·布莱琳;迈克尔·菲利普·罗伯茨;克洛伊·巴尔达赛罗尼;伊时塔克·卡里姆;阿德里安·拉沃伊;拉梅什·钱德拉塞卡拉 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供了用于基座的设备和系统。示例性的基座可以具有主体，所述主体具有上环形密封表面，所述密封表面是平坦的、垂直于所述主体的竖直中心轴并且具有径向厚度；下凹部表面，其从所述上环形密封表面偏移；以及从所述下凹部表面突出的多个微接触区域(MCA)，每个MCA具有顶表面，该顶表面从所述下凹部表面偏移第二距离；和在所述主体内的一个或多个电极。所述上环形密封表面可以被配置成当半导体衬底被所述基座支撑时支撑所述半导体衬底的外边缘，并且所述上环形密封表面和所述MCA的所述顶部可以被配置为在所述基座支撑所述半导体衬底时支撑所述半导体衬底。
密封表面静电卡盘

[发明专利]用于原子层沉积的动态前体投配-CN201610865153.1有效
发明人：普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊;钱俊;康胡;伊时塔克·卡里姆;欧丰松 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及用于原子层沉积的动态前体投配。公开了用于控制在半导体加工工具内的前体流的方法和装置。一种方法可以包括：使气体流动通过气体管线；在投配步骤之前，打开一个或多个安瓿阀，以使前体流开始从所述安瓿通过所述气体管线流向处理室；关闭所述一个或多个安瓿阀，以使所述前体停止从所述安瓿流出；在所述投配步骤开始时，打开处理室阀，以使所述前体流能进入所述处理室；以及在所述投配步骤结束时，关闭所述处理室阀，以使所述前体流停止进入所述处理室。控制器可以包括至少一个存储器和至少一个处理器，并且至少一个存储器可以存储用于控制至少一个处理器的指令以控制在半导体加工工具内的前体流。
用于原子沉积动态前体投配

[发明专利]使用碳基膜空间选择性灰化改善沉积引起的CD不平衡的方法-CN201880077280.2在审
发明人： 伊时塔克·卡里姆;普尔凯特·阿加瓦尔;约瑟夫·R·阿贝尔;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于利用碳基沉积物在晶片上形成特征的方法。对所述碳基沉积物进行预调节，其中，所述预调节导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除。通过原子层沉积工艺沉积氧化硅基材料的氧化物沉积物，其中所述沉积所述氧化物沉积物导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除，其与通过所述预调节导致的所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除互补。
使用碳基膜空间选择性灰化改善沉积引起 cd 不平衡方法

[发明专利]消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法-CN201880047501.1在审
发明人：帕特里克·布莱琳;拉梅什·钱德拉塞卡拉;克洛伊·巴尔达赛罗尼;金成杰;伊时塔克·卡里姆;迈克·罗伯茨;理查德·菲利普斯;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种用于等离子体处理系统的基座组件。组件包括基座，所述基座具有中央顶表面，如台面，且中央顶表面从中央顶表面的中心延伸到中央顶表面的外径。环形表面围绕中央顶表面。环形顶表面设置在从中央顶表面向下的台阶处。多个晶片支撑件以在中央顶表面上方的支撑件高程距离从中央顶表面突出。多个晶片支撑件围绕中央顶表面的内半径均匀地布置。内半径位于中央顶表面的中心和小于中半径处之间，中半径介于基座的中心与中央顶表面的外径之间的约一半。提供了承载环，其被配置用于定位在基座的环形表面上。承载环具有承载环内径、承载环外径以及围绕承载环的顶部内部区域环形地布置的凸缘表面，凸缘表面凹入到承载环的顶部外部区域的下方。多个承载环支撑件被设置在基座的环形表面的外部。当承载环搁置在多个承载环支撑件上时，承载环支撑件限定承载环的在基座的中央顶表面上方的承载环高程尺寸，承载环高程尺寸被配置为高于基座的中央顶表面，高于支撑件高程距离。
消除晶片背面边缘缺口沉积物接触硬件方法

[发明专利]用于半导体处理的锥形晶片居中和保持装置-CN201780079265.7在审
发明人：普尔凯特·阿加瓦尔;伊时塔克·卡里姆;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊;金宋杰;帕特里克·布莱琳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种半导体系统包括室、设置在所述室中的基座和围绕基座的聚焦环。所述基座具有用于支撑衬底(例如晶片)的中心区域的中央区域。所述聚焦环被构造成围绕所述基座的所述中央区域。所述聚焦环具有环形支撑区域，该环形支撑区域在所述聚焦环的内部部分和所述聚焦环的外部部分之间延伸。以相对于水平线成角度设置的所述环形支撑区域在所述衬底存在于所述基座的所述中央区域和所述聚焦环的所述环形支撑区域上方时，为所述衬底提供刀刃式接触。衬底的边缘和聚焦环的环形支撑区域之间的刀刃式接触使得能够化学品不能进入衬底背面，从而减少不希望有的背面沉积。
聚焦环环形支撑区域中央区域衬底晶片刀刃半导体处理半导体系统成角度设置保持装置衬底背面衬底提供中心区域化学品沉积背面中和外部延伸支撑

[发明专利]使用原子层沉积的Ti膜来调整TiO_x化学计量的方法-CN201510512616.1有效
发明人：施卢蒂·维维克·托姆贝尔;伊时塔克·卡里姆;桑杰·戈皮纳特;雷扎·阿尔加瓦尼;米卡尔·达内克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及使用原子层沉积的Ti膜来调整TiO_x化学计量的方法。提供了亚化学计量的氧化钛的沉积并调整沉积的方法。方法涉及如下在室中的衬底上沉积高纯且共形的钛：(i)将衬底暴露至四碘化钛；(ii)清洗室；(iii)将衬底暴露至等离子体；(iv)清洗室；(v)重复(i)至(iv)，并处理衬底上沉积的钛来形成亚化学计量的氧化钛。氧化钛还可以在衬底上沉积钛之前来沉积。处理包含将衬底暴露至氧源和/或对衬底退火处理。
使用原子沉积 ti 调整 tio sub 化学计量方法

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