“道格拉斯·沃尔特·阿格纽”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]减少半导体设备中的层内电容-CN202180053425.7在审
发明人：约瑟夫·R·阿贝尔;巴特·J·范施拉芬迪克;伊恩·约翰·科廷;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;达斯汀·扎卡里·奥斯丁;阿维尼什·古普塔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了在孔洞和沟槽结构中形成气隙的方法。所述方法可用于形成埋设式孔隙，即，顶部低于相邻特征顶部的孔隙。所述方法包括对孔洞或沟槽结构的抑制以及在结构顶部处的选择性沉积，从而在结构内形成气隙。在一些实施方案中，所述方法用于减小半导体设备中的层内电容。
减少半导体设备中的电容

[发明专利]特征内的湿式蚀刻速率比减小-CN202180057983.0在审
发明人：阿维尼什·古普塔;伊恩·约翰·科廷;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;弗兰克·洛伦·帕斯夸里;伊莱·钱;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的多种实施方案涉及使用热ALD或热CVD沉积硅氧化物的方法与装置。在所公开的实施方案的一方面，提供了一种沉积硅氧化物的方法，所述方法包含：(a)在反应室中接收衬底；(b)将第一反应物的第一流导入到所述反应室中，并且将所述衬底暴露于所述第一反应物，其中所述第一反应物包含含硅反应物；(c)将第二反应物的第二流导入到所述反应室中，以引起所述第一反应物与所述第二反应物之间的反应，(i)其中所述第二反应物包含氢(H2)和含氧反应物，(ii)其中所述反应使硅氧化物沉积在所述衬底上，且(iii)其中当所述反应室内的压强大于10托并且等于或小于约40托时，引发所述反应。
特征蚀刻速率减小

[发明专利]衬底处理中的原位膜退火-CN202280005061.X在审
发明人：阿维尼什·古普塔;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;巴特·简·范施拉芬迪克;约瑟夫·R·阿贝尔;弗兰克·L·帕斯夸里;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一个示例中，一种用于在衬底上沉积膜的方法包括将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上并且设置室中的处理压强、温度和压强。该方法包括激励等离子体并以预定膜厚度范围内的厚度在衬底上沉积和退火膜。
衬底处理中的原位退火

[发明专利]用于多站式半导体处理室中的均匀流体输送的装置-CN202280005001.8在审
发明人：伊莱·钱;迈克尔·菲利普·罗伯茨;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;丹尼尔·博特赖特;阿伦·阿南丹杜莱萨米;约瑟夫·R·阿贝尔;威廉·劳伦斯·麦克丹尼尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于半导体处理的系统。所述系统包括半导体处理室，所述半导体处理室具有多个处理站、多个歧管干线、多个阀和多个流体歧管。每个歧管干线包括出口、公共流路、多个干线入口、多个孔口和多个阀接口。
用于多站式半导体处理中的均匀流体输送装置

[实用新型]衬底处理系统、用于衬底处理系统的喷头和喷头组件-CN202220965345.0有效
发明人：伊莱·乔恩;丹尼尔·博特赖特;菲利普·陈;德博托什·波德达尔;凯尔·瓦特·哈特;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;卡什亚普·苏布拉马尼亚 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：公开了一种衬底处理系统和用于衬底处理系统的喷头和喷头组件，该喷头组件包括喷头，该喷头具有上部，该上部包括沿第一方向延伸并在第二方向上具有第一宽度的气体通道。下部连接到上部并且包括面板和挡板，该面板包括沿第一方向竖直延伸穿过面板的多个气体通孔，该挡板布置在面板上方和气体通道的出口下方的多个支柱上。气体增压室被限定在上部和下部之间，沿第二方向延伸，并与气体通道流体连通。喷头组件包括背侧气体系统，以将气体供应到由布置在喷头的上部周围的波纹管限定的波纹管容积。在喷头的外表面上供应第一和第二环形气流。
衬底处理系统用于喷头组件

[发明专利]原子层沉积过程中的损失预防-CN202180027738.5在审
发明人：詹森·亚历山大·瓦内尔;约瑟夫·R·阿贝尔;道格拉斯·沃尔特·阿格纽 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：在衬底上的基于碳的薄膜上沉积氧化硅的方法包括在衬底表面上吸附含硅反应物，从N2O产生氧自由基，并将吸附的含硅反应物暴露于氧自由基以形成氧化硅膜。在一些实施方案中，基于碳的膜形成具有侧壁的特征。所述方法导致低碳损失和基本上竖直的侧壁。所述方法的实施方案在促进高质量沉积的高温下进行。
原子沉积过程中的损失预防

[发明专利]热ICE填充和凹部蚀刻匹配-CN202180017703.3在审
发明人：伊恩·约翰·科廷;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;马姆鲁·艾麦德;约瑟夫·R·阿贝尔;阿维尼什·古普塔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了NAND结构和该结构的制造方法。多层ONON堆叠件沉积在Si衬底和生长于衬底上的场氧化物上。将场氧化物的一部分移除，并在堆叠件中蚀刻高深宽比通道。利用热ALD工艺以Si氧化物填充通道。热ALD工艺包含多个生长循环，其后为钝化循环。每个生长循环包含利用抑制剂处理表面氧化物表面，其后接着进行利用前体和氧化物源在经处理的表面上沉积氧化物的多个循环。生长循环后的钝化将残留抑制剂去除。Si氧化物利用DHF的湿法化学蚀刻进行凹部蚀刻，且接着利用多晶Si盖层进行覆盖。
ice 填充蚀刻匹配

[发明专利]用于含硅膜高温沉积的前体-CN202180013256.4在审
发明人： 道格拉斯·沃尔特·阿格纽;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：在高温ALD处理中使用含硅前体的反应在半导体衬底上沉积具有高质量的含硅膜，例如氧化硅膜。在一些实施方案中，所提供的前体适合于在至少约500℃，例如大于约550℃的温度下沉积含硅膜。例如，可以通过含硅前体与衬底表面上的含氧反应物(例如O3、O2、H2O)的反应，在高温下沉积氧化硅。在一些实施方案中，合适的前体包括至少一个硅‑硅键、至少一个离去基团(例如卤素)和任选地至少一个给电子基团(例如烷基)。在一些实施方案中，前体适用于热ALD和PEALD。在一些实施方案中，在热ALD和PEALD中在单个氧化硅膜的沉积期间使用单一前体。
用于含硅膜高温沉积

[发明专利]实现无缝高质量填隙的方法-CN202080089290.5在审
发明人： 道格拉斯·沃尔特·阿格纽;约瑟夫·R·阿贝尔;伊莱·钱 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明描述了用于将材料沉积成高深宽比特征的方法和装置。方法涉及使用含氢氧化化学品沉积氧化物材料。方法还可以涉及在氢气存在下对所沉积的氧化物材料进行热处理以去除所沉积的氧化物材料内的接缝。
实现无缝质量填隙方法

[发明专利]原位PECVD覆盖层-CN202080083785.7在审
发明人：杰里米·大卫·菲尔兹;伊恩·约翰·科廷;约瑟夫·R·阿贝尔;弗兰克·洛伦·帕斯夸里;道格拉斯·沃尔特·阿格纽 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：用于以介电材料填充间隙的方法包含使用原子层沉积(ALD)技术进行沉积以填充间隙，然后通过化学气相沉积(CVD)技术在所填充的间隙上沉积覆盖层。该ALD沉积可以是等离子体增强ALD(PEALD)或热ALD(tALD)沉积。该CVD沉积可以是等离子体增强CVD(PECVD)或热CVD(tCVD)沉积。在一些实施方案中，该CVD沉积与该ALD沉积是在相同的处理室中执行而不干扰处理操作。该覆盖层的原位沉积的结果是具有高度均匀性的高产出处理。在一些实施方案中，在该处理之后，衬底就已准备好进行化学机械平坦化(CMP)。
原位 pecvd 覆盖层

[发明专利]原子层沉积期间的膜特性的原位控制-CN202080055513.6在审
发明人： 道格拉斯·沃尔特·阿格纽;约瑟夫·R·阿贝尔;伊恩·约翰·科廷;普鲁肖塔姆·库马尔;阿维尼什·古普塔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了使用原位间歇等离子体处理在原子层沉积期间提供对膜特性的控制的方法。所述方法包含在间歇等离子体处理期间对用于产生等离子体的气体流率比率进行调节，切换等离子体功率，以及调节室压强。
原子沉积期间特性原位控制

[发明专利]含硅膜的热原子层沉积-CN202080055912.2在审
发明人：阿维尼什·古普塔;缪腾飞;阿德里安·拉沃伊;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;伊恩·约翰·科廷 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：氧化硅、氮化硅和氮氧化硅膜可以通过热原子层沉积(热ALD)在单晶片等离子体反应器中沉积。单晶片等离子体反应器可以执行热ALD和等离子体增强原子层沉积(PEALD)。使用热ALD可以以高沉积速率沉积高度共形薄膜，而不会损坏衬底或对衬底造成最小损坏。在氧化和/或氮化过程中，衬底可以在升高的温度下加热。在一些实施方案中，升高的温度介于约500℃和约750℃之间。在一些实施方案中，氢气和氧气可以在氧化期间作为反应物气体流动，其中氢气和氧气可以在放热反应中反应以驱动氧化物的形成。
含硅膜原子沉积

[发明专利]用于原子层沉积或化学气相沉积的方法及设备-CN201980079303.8在审
发明人：阿德里安·拉沃伊;约瑟夫·R·阿贝尔;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;伊恩·约翰·科廷 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种设备，其包含：处理室；前体气体源；反应物气体源；抑制剂气体源；钝化气体源；气体；切换歧管；以及控制器。在第一位置的所述切换歧管提供所述抑制剂气体源与所述气体入口之间的流体连接，其中在第二位置的所述切换歧管提供所述前体气体源与所述气体入口之间的流体连接，其中在第三位置的所述切换歧管提供所述反应物气体源与所述气体入口之间的流体连接，其中在第四位置的所述切换歧管提供所述钝化气体源与所述气体入口之间的流体连接；且其中所述切换歧管防止所述气体入口同时与所述气体源中的至少两者流体连接。
用于原子沉积化学方法设备

[发明专利]在硬掩模膜上的ALD SiO2-CN201980048209.6在审
发明人： 道格拉斯·沃尔特·阿格纽;伊时塔克·卡里姆 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在衬底表面上限定薄膜层的方法包含通过第一等离子体而使衬底表面暴露于第一前体，以使第一前体能够被衬底表面吸收。通过第二等离子体而将不同于第一前体的第二前体施加至衬底表面。第二前体是二氧化碳前体，其释放足够的氧自由基以与第一前体进行反应，从而在衬底表面上形成氧化物膜层。
硬掩模膜上 ald sio base sub

[发明专利]低介电常数原子层沉积间隙填充方法和材料-CN201980061977.5在审
发明人：约瑟夫·R·阿贝尔;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;阿德里安·拉沃伊;伊恩·约翰·科廷;普鲁肖塔姆·库马尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：多种实施方案包括用于提供低介电常数(低‑κ)膜的方法。在一实施方案中，交替ALD循环和掺杂剂材料用于产生新家族的硅基低‑κ材料。具体而言，这些材料是被发展用来填充具有内凹特征的高深宽比结构。然而，这些膜也可用于均厚应用，其中可以使用共形的纳米层合。多种实施方案还公开了SiOF以及SiOCF、SiONF、GeOCF和GeOF。相似膜可包括具有碘与溴的卤化物衍生物(例如，以“I”或“Br”来取代“F”)。本说明书公开其他方法、化学品以及技术。
介电常数原子沉积间隙填充方法材料

1
2
下一页»
尾页
共 16 条