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[发明专利]减少晶片斜面边缘等离子体处理的电弧发生-CN202180053942.4在审
发明人： 华雪锋;罗伟义;杰克·陈 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：用于在斜面等离子体室中处理晶片的斜面边缘的方法和系统。该方法包括接收用于斜面等离子体室的RF发生器的脉冲模式设置。该方法包括识别脉冲模式的占空比，该占空比定义在由发生器输送的每个功率周期期间的接通(ON)时间和关断(OFF)时间。该方法包括计算或访问对发生器的输入RF功率设置的补偿因子。补偿因子被配置为将增量功率添加到输入功率设置以解决归因于在脉冲模式下运行的占空比的功率损失。该方法被配置为在具有占空比和脉冲频率的脉冲模式下运行发生器。发生器被配置为产生脉冲模式的输入功率，该输入功率包括增量功率以在斜面等离子体室中实现有效功率以实现目标斜面处理吞吐量，同时减少导致电弧损坏的电荷积聚。
减少晶片斜面边缘等离子体处理电弧发生

[发明专利]用于处理具有缺口的晶片的等离子体排除区域环-CN202180038461.6在审
发明人： 华雪锋;杰克·陈;吉那那玛尼·安布罗斯;张丹;黄常维;林家兴 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：用于被配置成处理衬底的衬底处理系统的等离子体排除区域环包括：环状主体、所述环状主体的上部、基部和等离子体排除区域环缺口。所述环状主体的上部限定径向内侧表面以及顶表面。所述环状主体的基部限定径向外侧表面；第一底表面，其从所述径向外侧表面径向朝内延伸；以及第二底表面，其从所述第一底表面径向朝内延伸。所述等离子体排除区域环缺口正比于所述衬底的对准缺口。所述第一底表面是倾斜的，且以锐角从所述第二底表面延伸至所述径向外侧表面。所述第一底表面被配置成在所述衬底的周缘上方延伸，并与所述周缘相对。
用于处理具有缺口晶片等离子体排除区域

[发明专利]使用穿透光束激光传感器的原位晶片厚度和间隙监测-CN202180024427.3在审
发明人：黄贡恒;华雪锋;安东尼·保罗·范塞洛;丹尼尔·托雷斯;杰克·陈 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种用于确定在处理室中所设置的衬底的厚度的系统包括：发射器，其被配置成将信号朝向所述衬底与所述处理室的部件之间的间隙发射，其中所述部件被设置在所述衬底上方；接收器，其被配置成接收所发射的所述信号的至少一部分，并基于所接收的所述信号的所述部分的特性而产生测量信号；以及系统控制器，其被配置成接收所述测量信号，并基于所述测量信号的值与所述衬底的所述厚度、介于所述衬底与所述处理室的所述部件之间的所述间隙的宽度、以及所述处理室的所述参数的调整量中的至少一者之间的关系，而选择性地调整所述处理室的所述参数。
使用穿透光束激光传感器原位晶片厚度间隙监测

[发明专利]从衬底斜面边缘区域去除金属沉积物的方法以及使用该方法的设备-CN201911181159.7在审
发明人：陈才干;华雪锋;迟玉山 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种从衬底斜面边缘区域去除金属沉积物的方法，包括：在衬底的斜面边缘区域上沉积牺牲层；在至少牺牲层上沉积金属层；在牺牲层上至少蚀刻金属层；以及将衬底放置在具有湿蚀刻流体的湿蚀刻设备中，以去除所述衬底背面的所述牺牲层和所述牺牲层上的所述金属层。该方法实现了在衬底的斜面边缘区域处有效且彻底地去除重金属元素而不会损坏衬底。
衬底斜面边缘区域去除金属沉积物方法以及使用设备