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[发明专利]一种发光二极管的制作方法-CN201610775319.0有效
发明人：夏章艮;王锋;林素慧;彭康伟;洪灵愿;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，外延生长发光外延层，由N型半导体层、发光层以及P型半导体层堆叠而成，定义发光外延层上表面分为P型区域与N型区域；在发光外延层上形成金属膜层；采用快速热退火处理，使得金属膜层发生球聚，形成金属颗粒；在发光外延层及金属颗粒上形成掩膜层，并对掩膜层进行图案化，使得N型区域裸露出来；采用金属颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，使得N型区域蚀刻至N型半导体层裸露出来，并将N型半导体层的上表面粗化；去除掩膜层，并保留P型半导体层上的金属颗粒，进行芯片制程。
一种发光二极管制作方法

[发明专利]一种LED外延结构-CN201611242381.X有效
发明人：刘建明;张洁;朱学亮;陈秉扬;张中英;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、具有V型坑的超晶格层、空穴阻挡层、有源区发光层及第二导电类型半导体层，空穴阻挡层覆盖V型坑，空穴阻挡层在垂直V型坑侧壁的a方向上的厚度与竖直方向c方向上的厚度比大于0.4。
一种 led 外延结构

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201610129617.2有效
发明人：朱学亮;张洁;杜成孝;刘建明;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中发光二极管包括：依次包括：n型氮化物层、有源层、p型电子阻挡层、n型氮化物插入层和p型氮化物层，其特征在于：所述有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述n型氮化物插入层位于所述平面区，所述p型氮化物层形成于所述平面区并填充所述V型缺陷。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种基于增强型栅极结构的晶体管及其制备方法-CN201510057880.0有效
发明人：叶念慈;徐宸科;林科闯 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于增强型栅极结构的晶体管，包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、氮化镓(GaN)层、势垒层，及设置于氮化铝镓层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，所述势垒层是AlGaN或InAlGaN，所述栅极是p型Al1‑xGaxN(0≤x≤1)或p型In1‑y‑zGayAlzN(0≤y≤1；0≤z≤1)，于所述栅极上还设置有一类钻碳(Diamond‑like carbon；DLC)层，所述DLC中sp2键的含量大于50％。本发明的晶体管实现了增强型工作的目的，且类钻碳可降低晶体管器件的自发热效应，提高稳定性。本发明还提供了上述晶体管的制备方法。
一种基于增强栅极结构晶体管及其制备方法

[发明专利]氮化物底层及其制作方法-CN201610024968.7有效
发明人：陈圣昌;林文禹;张洁;邓和清;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物底层的制作方法，采用PVD溅射AlN层时同时掺少量非Al物质以形成分解温度低于AlN的氮化物，然后进行高温下退火，经过退火后的AlN层不再是平整表面，而是在微观上呈现高低起伏，在这种表面上继续采用MOCVD生长AlGaN能通过三维到二维之间的模式转换释放应力，从而改善AlN裂纹。
氮化物底层及其制作方法

[发明专利]一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法-CN201610360174.8有效
发明人：时军朋;林秋霞;林振端;徐宸科;赵志伟 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法，包括：支架、LED芯片以及封装罩体，所述支架上形成有电路，所述LED芯片固定于支架上并与支架上的电路电性连接，其特征在于：所述封装罩体的下表面外围设置凹槽结构，并在所述凹槽结构中填充有机粘结胶；所述封装罩体设置于LED芯片之上，并通过有机粘结胶与所述支架相连接。
一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法

[实用新型]一种高压发光二极管-CN201721906430.5有效
发明人：王锋;陈亭玉;郑高林;洪灵愿;林素慧;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压发光二极管，包括：一衬底；以及设置于所述衬底上的若干个LED芯片单元，所述LED芯片单元包括若干个通过隔离槽区域分隔的子芯片，子芯片通过导电连线电性连接，所述子芯片包括衬底以及依次位于衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述N型半导体层为台阶状设置，N型半导体层包括第一台面及第二台面，第一台面的高度低于第二台面的高度，所述发光层、P型半导体层位于第二台面上，所述N型半导体层的第一台面上设有与N型半导体层电性连接的N电极，P型半导体层上设有与P型半导体层电性连接的P电极，其特征在于：于所述隔离槽区域设有反射柱，所述反射柱顶部的水平高度低于或等于所述发光层底部的水平高度。
衬底电性连接发光层子芯片高压发光二极管反射柱隔离槽台面本实用新型台阶状设置导电连线区域分隔

[实用新型]一种LED发光装置-CN201820010566.6有效
发明人：陈辉;廖启维;时军朋;黄永特;徐宸科;赵志伟 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED发光装置，包括：具有碗杯的支架，所述碗杯具有底面和与所述底面连接的侧壁，所述底面具有LED芯片安装区；LED芯片，安装于所述碗杯底部的芯片安装区；反射胶，形成于所述碗杯的侧壁并向所述底面延伸，所述碗杯底面的芯片安装区外周设置有隔离部，用于隔离所述LED芯片和所述反射胶，以避免所述反射胶覆盖所述LED芯片的侧面。
碗杯底面反射芯片安装区侧壁本实用新型安装区隔离部外周支架隔离侧面延伸覆盖

[外观设计]发光二极管-CN201730579843.6有效
发明人：涂建斌;谢晓霞;陈辉;李兴龙;廖启维;时军朋;赵志伟;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：发光二极管（封装体）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于照明，例如可用作车灯的光源使用。3．本外观设计产品的设计要点：产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1立体图。5．指定基本设计：设计1。
外观设计发光二极管产品形状光源使用封装体车灯可用图片

[发明专利]发光二极管封装结构的制作方法-CN201510513557.X有效
发明人：林振端;蔡培崧;时军朋;林秋霞;黄昊;赵志伟;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供发光二极管封装结构的制作方法，包括工艺步骤：提供一荧光膜；将若干个倒装芯片与所述荧光膜贴合，所述倒装芯片的电极远离荧光膜；在所述荧光膜之上形成透明材料层，包围所述倒装芯片除电极之外的侧表面，其中位于相邻倒装芯片之间的透明材料层侧表面呈U型或V型；在所述倒装芯片、透明材料层之上填充第一反光材料层；将所述第一反光材料层进行研磨或喷砂，直至露出倒装芯片的电极，使得所述第一反光材料层的上表面不高于所述倒装芯片的电极上表面；沿所述相邻倒装芯片之间的中心线切割成若干个单元，即得到发光二极管封装结构。
倒装芯片电极荧光膜发光二极管封装结构反光材料层透明材料层侧表面上表面中心线切割工艺步骤研磨喷砂贴合填充制作包围

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201610095213.6有效
发明人：黄禹杰;林素慧;彭康伟;洪灵愿;夏章艮;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有立体式扩展电极的发光二极管及其制作方法，其结构包括第一连接层、发光层、第二连接层，以及分别形成于所述第一连接层与第二连接层之上的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极包括电极主体和至少一个向外延伸的金属扩展部，所述金属扩展部与第一连接层的表面不完全接触，增加所述第一金属扩展部与所述发光层的距离，可降低金属电极的吸光，提升发光二极管元件效率，同时藉由三维结构的扩展电极可增加表面金属的表面积，进而增加元件的散热面积，使元件所产生的热能可更快被导出，降低元件的效率及可靠度的损耗。
连接层金属电极扩展部发光二极管扩展电极发光层金属发光二极管元件表面金属电极主体三维结构完全接触可靠度散热导出吸光制作延伸

[发明专利]倒装LED芯片的键合电极结构及制作方法-CN201610030189.8有效
发明人：钟志白;杨力勋;郑锦坚;李佳恩;徐宸科;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了倒装LED芯片的键合电极结构及制作方法，包括：衬底；发光外延层，位于衬底之上；键合电极，位于发光外延层之上；所述键合电极结构，在垂直方向从下至上划分为由底层和上表层组成的金属叠层，其中底层结构为易氧化金属且侧壁形成氧化层，上表层为不易氧化金属；在水平方向划分为主接触部分以及围绕主接触部分的栅状部分。本发明解决习知倒装LED芯片结构在封装焊接时容易发生短路或者漏电的问题。 1
键合电极倒装LED芯片发光外延层上表层衬底易氧化金属漏电底层结构封装焊接金属叠层氧化金属短路氧化层主接触侧壁栅状制作

[外观设计]发光二极管封装体-CN201730502208.8有效
发明人：陈辉;涂建斌;廖启维;时军朋;黄永特;赵志伟;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：发光二极管封装体。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于车灯、闪光灯、背光、通用照明、UV及 IR 等应用。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状及底部图案。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计2 立体图2。
外观设计发光二极管封装体背光通用照明闪光灯车灯图案应用图片

[发明专利]微元件的巨量转移方法-CN201711153705.7在审
发明人：钟志白;李佳恩;郑锦坚;郑建森;徐宸科;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种微元件的巨量转移方法，包括步骤1)采用整面光敏材料抓取微元件；2)利用微元件作为光刻掩膜版，将光敏材料制作成梯形结构及支撑微柱；3)采用机械力压断支撑微柱，实现所述微元件的巨量转移。本发明采用整面的光敏材料抓取微元件，可以避免微元件抓取对准精度不足的问题；本发明利用微元件作为光刻掩膜版，将光敏材料制作成梯形结构及支撑微柱，有利于微元件的稳定性以及后续分离的简易性；本发明只需要采用机械力压断支撑微柱便可实现微元件的巨量转移，工艺简单，可有效降低工艺成本。
元件巨量转移方法

[实用新型]一种导光结构-CN201721283619.3有效
发明人：陈辉;时军朋;李兴龙;廖启维;黄永特;赵志伟;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导光结构，其可应用于激光器封装结构，所述导光结构包括透明导热块，所述透明导热块具有入射面、反射层和出射面，所述透明导热块之与所述出射面相对的一端部内凹形成反射面，用于对水平放置的发光元件出射的光进行光整形后变成垂直方向的光。所述导光结构可以作为散热通道，将与其直接接触的波长转换层转换过程产生的热快速导出。
一种结构