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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种LED封装结构-CN201410316144.8在审
发明人：梁兴华;卓佳利;郑建森;李佳恩;夏德玲;蔡培崧;林素慧;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED封装结构，其包括用于保护并承载LED芯片的封装基板；位于所述封装基板之上的反射层；位于所述反射层上的光转换层；位于所述光转换层上的无反射层的LED芯片，其可双向发射特定波长的光；本封装结构的特征在于，若定义所述封装结构出光方向为正，则光转换层位于LED芯片的背面；所述LED封装结构发出的光由所述LED芯片发射的光及其由所述光转换层转换的其它波长的光组成。由于一部分光不经过光转换层，不被吸收，从而减少损失，提升光效。
一种 led 封装结构

[发明专利]高压发光二极管芯片及其制作方法-CN201410358143.X在审
发明人：吴厚润;郑建森;徐宸科;何安和;李佳恩 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高压发光二极管及其制作方法，其通过引入液态绝缘材料层/液态导电材料层，固化后用于绝缘/桥接，可以使得各发光单元之间的隔离沟槽宽度做成超窄状（开口宽度小于或等于0.3μm），从而提高单片产出，扩大有效发光区面积，提升发光效率；避免了传统高压发光二极管金属线跨过落差极大的沟渠容易断线问题，提升串/并联跨接良率；此外，在芯片制作端即可实现，制作成本较低。
高压发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种提升LED抗静电能力与亮度的制备方法-CN201410313767.X在审
发明人：庄家铭;吴厚润;曾信义;徐宸科;林素慧 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种提升LED抗静电能力与亮度的制备方法，包括步骤：提供一基板；在所述基板上形成发光外延叠层，其从下至上至少包含N型层、发光层和P型层；在所述P型层上形成电流扩展层；从电流扩展层表面往下挖孔至部分P型层内，使得电流扩展层与P型层呈图案化，通过移除发光外延叠层表面上容易导电与易吸光的物质，减少金属与残留物在外延缺陷表面上，改善外延缺陷，从而提升LED抗静电能力与亮度。
一种提升 led 抗静电能力亮度制备方法

[发明专利]一种具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法-CN201410309620.3在审
发明人：钟志白;江彦志;张灿源;吴政;李佳恩;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法，包括步骤：提供一衬底；在衬底上生长发光外延层，自下而上依次由N型半导体层、活性层和P型半导体层组成；利用具有遮光图形的耐高温材料的光刻板，结合退火工艺，使遮光图形下方的P型半导体层的镁未活化，从而形成电流阻挡层，而透光部分的P型半导体层进行镁活化。
一种具有电流阻挡发光二极管制作方法

[发明专利]一种倒装发光二极管结构及其制作方法-CN201410248717.8有效
发明人：何安和;林素慧;郑建森;彭康伟;林潇雄;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
一种倒装发光二极管结构及其制作方法

[实用新型]发光二极管封装体-CN201420075500.7有效
发明人：蔡培崧;时军朋;梁兴华;赵志伟;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管封装体，包括：基板，具有正、反两个平整的表面，至少由两金属块和绝缘部构成，其中金属块镶嵌于绝缘部并露出部分上、下表面，各个金属块之间具有电性绝缘区；发光二极管芯片，位于所述基板的金属块之上，并与所述其中至少两金属块形成电性连接；封装胶，覆盖在所述发光二极管芯片的表面上，同时覆盖部分基板；所述金属块具有突出连接部，其延伸至基板的边缘。所述发光二极管封装结构不仅可以缩小封装体尺寸，还具有良好的散热功能。
发光二极管封装

[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法-CN201310747994.9有效
发明人：郑建森;林素慧;徐宸科;赵志伟 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一发光二极管芯片及其制作方法，该发光二极管芯片，包括：外延层，顶层具有若干个凸起部和凹陷部；透光层，介于相邻的凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度，所述孔洞作为电流阻挡层；电流扩展层，其覆盖于透光层的表面以及未掩膜透光层的外延层表面。利用透光层的折射率介于外延层与孔洞的折射率之间，其与外延层存在折射率差异，可以增加发光层发出的光线向上出射时产生散射的概率，如此可以避免光线被电极吸收，从而提高光萃取效率，此外不需要金属薄膜作为反射层，节省了生产成本。
发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]发光器件-CN201310716962.2无效
发明人：杨力勋;蔡培崧;徐宸科;林素慧;赵志伟;黄少华 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一光电器件。该光电器件至少包括：发光外延叠层，至少包括：第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层及夹在两者之间的有源层；第一电极，位于第一半导体层表面上方，包括焊盘和扩展电极，所述扩展电极由所述焊盘向外延伸而成；电流阻挡层，位于所述扩展电极的下方，其延伸方向与所述扩展电极一致，但边缘与所述扩展电极的边缘非平行排列，使得电流倾向于绕过而非穿过电流阻挡层从电极向器件扩散。
发光器件

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201310505559.5无效
发明人：黄苡叡;林素慧;赵志伟;徐宸科;吴俊毅 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一半导体器件及其制作方法，其半导体器件，至少包括：发光外延叠层，具有上、下两个主表面；第一导电层，形成于所述发光外延叠层的第一表面上；第一封装层，包覆所述第一导电层；第二导电层，形成于所述发光外延叠层的第二表面上；第二封装层，包覆所述第二导电层；其中，所述第一、第二封装层保护所述半导体器件。本发明直接在芯片工艺端制作封装，可有效提高良率以及降低生产成本。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法-CN201310564305.0有效
发明人：郑建森;林素慧;徐宸科 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，该发光二极管芯片，包括：具有凹凸微结构的外延层；图案化的第一电流扩展层，形成于外延层的凸表面；第二电流扩展层，覆盖于图案化的第一电流扩展层的上表面及未掩膜第一电流扩展层的外延层的凹凸表面，如此形成的双电流扩展层并配合具凹凸微结构的外延层，不仅可以降低全反射的发生几率并减少内部的反射与吸收，还可以改善电流的扩展性，提高电流的注入效率，降低器件工作电压，从而提高LED的发光效率和亮度。
发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管芯片制作方法-CN201310497918.7有效
发明人：郑建森;林素慧;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片制作方法，至少包括如下步骤：1）在蓝宝石衬底上形成掩膜层，其至少包括若干个第一尺寸图案，使得后续生长的外延层无法愈合连接在一起；2）在制作完掩膜层的蓝宝石衬底上形成外延层，其在外延层的内侧表面形成若干个上宽下窄的倒台状洞穴，所述洞穴在垂直方向上贯穿整个外延层，减少发光二极管内部发生全反射现象。此制作方法可提升芯片出光效率，改善劈裂良率，降低漏电不良率，提高产品的整体良率，进而提供外观、光电参数良好的发光二极管芯片。
一种发光二极管芯片制作方法

[实用新型]发光模块及具有该发光模块的发光设备-CN201320478200.9有效
发明人：林科闯;叶孟欣;徐宸科;蔡培崧 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光模块及具有该发光模块的发光设备，其发光模块，至少包括，承载基板、至少一个LED芯片模组、封装层，其特征在于：承载基板上设置LED芯片模组，LED芯片模组外包覆封装层；所述LED芯片模组包括发射可见光的LED芯片组、发射紫外光的紫外LED芯片组和发射红外光的红外LED芯片组。本实用新型兼具红外线遥控或接收、白光照明，紫外线消毒杀菌或特殊侦测或治疗用途等多功能集于一身，再加上可以独立电路控制，非常适合于手持式装置应用，满足用户需求；同时体积小，携带方便，制作成本低。
发光模块具有设备

[发明专利]III族氮化物外延结构及其生长方法-CN201310339115.9有效
发明人：杜彦浩;叶孟欣;徐宸科;赵志伟;林文禹;叶义信;杨仁君;刘建明 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物外延结构及其生长方法，其III族氮化物的外延结构，至少包括：Si衬底，和位于Si衬底之上的III族氮化物层，其特征在于：在所述Si衬底和III族氮化物的界面处并列存在Al原子和原位生成的SixNy，其中Al原子起到浸润Si衬底和衔接III族氮化物层的作用，SixNy用于释放异质外延产生的失配应力。
iii 氮化物外延结构及其生长方法

[发明专利]发光设备及其控制方法-CN201310340027.0无效
发明人：林科闯;叶孟欣;徐宸科;蔡培崧 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： F21V33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光设备及其控制方法，其发光设备，至少包括：发光模块，具有白光LED芯片组、紫外LED芯片组和红外LED芯片组；电源驱动模块，用于驱动前述发光模块的至少一个LED芯片组发光；输入模块，用于输入操作指令，其中输入指令包括：照明，UV光和红外线；处理器，接收输入模块输入的操作指令，并经过处理生成一电源信号传送到电源驱动模块。
发光设备及其控制方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制作方法-CN201310284196.7无效
发明人：何安和;林素慧;彭康伟;许圣贤;林潇雄;徐宸科 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管及其制作方法，其在常规的金属电极层和半导体保护层之间增设金属粘附层，由于金属粘附层与半导体保护层材料附着性良好，避免常规金属电极表面层与半导体保护层材料附着性差导致的保护层脱落现象，从而有效地保护了底层金属电极。
一种氮化发光二极管及其制作方法

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