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[发明专利]FDSOI器件输出电流改变量提取方法-CN202210320429.3在审
发明人：赵姗姗;罗家俊;赵发展;韩郑生;曾传滨;高林春;倪涛;李晓静;王娟娟;钱频 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了FDSOI器件输出电流改变量提取方法，涉及半导体器件仿真技术领域。本发明在仿真平台中进行FDSOI器件的仿真，得到FDSOI器件在多个温度点下的输出电流‑栅极电压曲线，根据输出电流‑栅极电压曲线获取FDSOI器件在特定栅极电压下的输出电流改变量，可精确提取FDSOI器件在高温条件下的输出电流改变量。
fdsoi 器件输出电流变量提取方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制备方法-CN202310584177.X在审
发明人：陆芃;孙一超;李博;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种鳍式场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件领域，以解决目前的鳍式场效应晶体管的抗总剂量辐射效应的能力较弱，短沟道效应较强的问题。鳍式场效应晶体管包括：衬底层；沟道区域，所述沟道区域设置于所述衬底层的一侧；第一掺杂区域，所述第一掺杂区域与所述沟道区域的一端电连接，所述第一掺杂区域与所述沟道区域在厚度方向上的侧面相连接；第二掺杂区域，所述第二掺杂区域与所述沟道区域的另一端电连接，所述第二掺杂区域与所述沟道区域在厚度方向上的侧面相连接，其中，所述第一掺杂区域远离所述衬底层一侧的表面积大于所述第一掺杂区域靠近所述衬底层一侧的表面积，所述沟道区域远离所述衬底层一侧的表面积小于所述沟道区域靠近所述衬底层一侧的表面积。
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种用于改变入射角的光路调节装置及光路调节系统-CN202310678797.X在审
发明人：窦润嵩;李博;王磊;高林春;朱慧平;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B7/198 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于改变入射角的光路调节装置及光路调节系统，该装置中圆弧形导轨所在平面与样品台所在平面垂直，可转动镜架结构在第一方向上延伸，其第一端固定在圆弧形导轨上且基于圆弧形导轨运动，第二端沿第一方向延伸至圆弧形导轨的旋转轴，且在旋转轴上保持不变，以使可转动镜架结构绕旋转轴旋转，第一方向平行于圆弧形导轨所在平面；光源发出的第一入射光与旋转轴重合，无需改变光源的位置；并且可转动镜架结构将与旋转轴重合的第一入射光转化为第一方向上的第二入射光，不改变光的特性，第二入射光随着可转动镜架结构绕旋转轴旋转而移动，从而在不改变光源和样品位置、不改变光束特性的情况下，改变光束射向样品的入射角。
一种用于改变入射角调节装置系统

[发明专利]一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法-CN202110195016.2有效
发明人：李博;苏泽鑫;宿晓慧;刘凡宇;黄杨;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明公开一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法，属于半导体领域。以使SRAM存储单元中的存储数据在两个节点之间不断交换，均衡老化问题，消除阈值失配。SRAM存储单元包括主电路和从属电路。主电路包括交叉耦合的第一反相器和第二反相器，第一反相器的输入端和第二反相器的输出端串接有第一选通管。从属电路包括依次连接的第二选通管、第三反向器和第三选通管。第二选通管和第三选通管通过第一反相器的输入端，与主电路电连接。在一个周期内，第一选通管、第二选通管以及第三选通管上施加的控制信号由第一控制信号转变为第二控制信号，SRAM存储单元的存储节点的存储数据发生翻转。
一种 sram 存储单元存储器以及数据方法

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111490309.X在审
发明人：金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域；薄栅氧层，所述薄栅氧层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧，且所述薄栅氧层覆盖所述掺杂区域。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111490307.0在审
发明人：金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管，包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域；隔离绝缘氧化层，所述隔离绝缘氧化层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧，且所述隔离绝缘氧化层覆盖所述掺杂区域；遮挡层，所述遮挡层设置在所述隔离绝缘氧化层远离所述衬底片的一侧。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111516210.2在审
发明人：金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管，包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域，至少一个所述掺杂区域作为双极型晶体管的负电极，所述负电极用于接入负电位；器件保护层，所述器件保护层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧；导电层，所述导电层设置在所述器件保护层远离所述衬底片的一侧，所述导电层与所述负电极电连接。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法-CN201910121152.X有效
发明人：闫珍珍;刘海南;杨婉婉;卜建辉;刘梦新;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本发明公开了一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，属于微电子仿真领域。针对现有技术中存在的传统关键路径已不能精确地完成汉明码SRAM的特征化建模的问题，本发明提供了一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，在仿真中模拟了从数据变化到纠检错冗余位接收的编码关键路径，关键路径基于多比特位输入，参考节点是冗余阵列对应比特位单元。通过数据端口相对时钟进行相位扫描，以冗余阵列对应存储单元是否成功写入数据作为各端口临界值判断标准，选取端口临界值中的较大值作为数据端口的Setup参数值，获得对应的时序参数setup特征化模型。相比于传统方法，能够精确地得到的时序参数模型。
一种汉明码 sram 时序参数 setup 特征建模方法

[发明专利]半导体器件的阈值电压提取方法及装置-CN202010844599.2有效
发明人：王可为;卜建辉;黄杨;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的阈值电压提取方法及装置，应用于半导体建模领域，包括：测量获得目标SOI器件的Id‑Vg曲线；在Id‑Vg曲线上确定出第一跨导极大值电压位置的第一切线，以及第二跨导极大值电压位置的第二切线；确定第一切线与第二切线的交点位置电压值，并根据交点位置电压值确定出目标SOI器件的正栅阈值电压。通过本发明能提取到更接近真实值的正栅阈值电压。
半导体器件阈值电压提取方法装置

[发明专利]一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备-CN201910502089.4有效
发明人：许婷;闫珍珍;郭燕萍;卜建辉;刘海南;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明实施例涉及数据处理技术领域，具体而言，涉及一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备，该方法能够获取多个Hspice仿真文件以及每个Hspice仿真文件对应的电压信息和工艺信息，能够根据获取得到的每个Hspice仿真文件所对应的文件名称依次将每个Hspice仿真文件中的至少一个目标数据进行标记，并按照数据类别依次将每个Hspice仿真文件所对应的文件名称、电压信息、工艺信息、温度信息和完成标记的至少一个目标数据进行存储，如此，能够高效、准确地对大量仿真结果进行统计。
一种基于 hspice 数据处理方法装置电子设备

[发明专利]一种BTS型MOSFET结构及其制备方法-CN202011358006.8有效
发明人：曾传滨;高林春;李晓静;闫薇薇;单梁;李多力;倪涛;王娟娟;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种BTS型MOSFET结构及其制备方法，该结构通过在体引出区内设置掺杂离子与阱区相同且掺杂浓度超过阱区的二次掺杂区，该二次掺杂区包含体引出有源区与场注入区之间的部分交界区域，且二次掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离，可以使得场氧区的寄生晶体管的阈值开启电压足够大，即场氧区的杂质浓度足够高，从而有效地抑制寄生晶体管的开启。该方法几乎不影响MOS器件主体区域的浓度，通过该方法能够有效地抑制寄生晶体管效应，显著提高器件的可靠性，形成抗边缘漏电的BTS型MOSFET结构。
一种 bts mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种VDMOS器件建模方法及模型-CN201910046974.6有效
发明人：卜建辉;宋李梅;王成成;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种VDMOS器件建模方法及模型，包括：建立包含漏端寄生电阻的VDMOS器件对应的子电路模型；引入一阶拟合系数、二阶拟合系数和耦合系数对所述漏端寄生电阻的值进行定义，获得所述漏端寄生电阻的值的定义函数；根据对所述VDMOS器件样本的测试数据与所述定义函数，获取包含所述一阶拟合系数、所述二阶拟合系数以及所述耦合系数的模型参数。本发明解决了目前缺乏标准的SPICE模型来精确的描述功率VDMOS器件中JFET电阻和漂移区电阻特性的问题。
一种 vdmos 器件建模方法模型

[发明专利]一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法-CN202011366925.X有效
发明人：高林春;曾传滨;闫薇薇;李晓静;李多力;单梁;钱频;张颢译;倪涛;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底；位于SOI衬底上的有源区和有源区外围的场氧隔离区，位于有源区边缘的场注入区；其中，有源区包括：源区、漏区、P阱、H型栅区以及体接触区，源区、漏区分别位于H型栅区开口处，P阱位于源区和漏区之间，体接触区位于H型栅区宽度方向的两端；体接触区上设置有注入窗口,定义为高浓度注入区，高浓度注入区包括场注入区，高浓度注入区使得场氧隔离区与SOI衬底埋氧层之间夹角处的掺杂浓度大于P阱的掺杂浓度，通过将场氧隔离区与SOI衬底的埋氧层之间的夹角处的掺杂浓度提升，有效抑制器件关态漏电增大问题，显著提高器件的可靠性和工程应用水平。
一种接触 soi mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种基于背栅结构的SRAM存储单元、SRAM存储器以及上电方法-CN202110213230.6有效
发明人：李博;苏泽鑫;宿晓慧;刘凡宇;杨灿;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开一种基于背栅结构的SRAM存储单元、SRAM存储器以及上电方法，属于半导体领域。以解决当某一存储单元长期存储固定数据时，对称的两个晶体管将发生不同程度的BT I老化效应，产生永久性阈值电压失配的技术问题，导致SRAM存储单元上电后有一定概率读出与原存储数值相反的上电初值的技术问题。基于背栅结构的SRAM存储单元包括第一反相器以及第二反相器；所述第一反相器和所述第二反相器中的晶体管均为背栅晶体管；所述第一反相器中的晶体管的背栅具有第一连接方式，所述第二反相器中的晶体管的背栅具有第二连接方式，在所述基于背栅结构的SRAM存储单元上电时，所述第一反相器中的晶体管的阈值电压与所述第二反相器中的晶体管的阈值电压不同。
一种基于结构 sram 存储单元存储器以及方法

[发明专利]一种半导体器件模型的建模方法及相关设备-CN202211336724.4在审
发明人：王成成;卜建辉;高立博;闫珍珍;郭燕萍;许婷;赵发展;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件模型的建模方法及相关设备，涉及半导体技术领域，能够提高建模得到的电子半导体器件模型的适用温度范围。半导体器件模型的建模方法，包括：根据对半导体器件实际测试得到的器件高温数据，对已有半导体器件模型进行参数提取，得到半导体器件高温模型，其中，所述器件高温数据对应的测试环境温度范围超出所述已有半导体器件模型对应的环境温度范围；在所述半导体器件高温模型中嵌入亚阈值漏电温度模型，得到优化版半导体器件高温模型；根据所述器件高温数据，对所述优化版半导体器件高温模型进行温度参数的提取，得到终版半导体器件高温模型。
一种半导体器件模型建模方法相关设备

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