“金美晨”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]三维超薄碳负载锑铋纳米材料及其制备方法-CN202310817733.3在审
发明人：秦戬;李喜飞;林庆欣;李晓康;洪妍;金美晨;董锦娟 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了三维超薄碳负载锑铋纳米材料，由氯化钠、醋酸锑、氯化铋和柠檬酸铵组成，氯化钠2000～3000份、醋酸锑95～474份、氯化铋100份和柠檬酸铵100～500份；本发明还公开了上述材料的制备方法：按份数称取各组分；将称好的各组分溶解于去离子水中得到混合溶液，然后干燥得到前驱体粉末，将粉末平铺于瓷舟，至于管式炉中煅烧，将煅烧产物洗涤抽滤后烘干，得到三维超薄碳负载锑铋纳米材料。本发明三维超薄碳负载锑铋纳米材料，结构均一、形貌优良、性能优异，用于钠/钾离子电池负极具有较高的放电比容量与优异的循环性能。
三维超薄负载纳米材料及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010368145.2有效
发明人：蔡巧明;张云香;金美晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底，位于衬底中的阱区；位于阱区中的第一漂移区、第二漂移区和第三漂移区，第三漂移区包括环形区域和桥接区域，环形区域环绕第一漂移区和第二漂移区，桥接区域从环形区域向内延伸至沟道区；位于衬底上的栅极结构，栅极结构横跨第一漂移区和第二漂移区并包括栅介电层、位于栅介电层上的栅电极和位于栅介电层和栅电极两侧的侧墙；以及分别位于栅极结构两侧的第一漂移区和第二漂移区内的源极区和漏极区，沟道区位于源极区与漏极区之间并位于栅介电层下方。本申请所公开的半导体结构及其形成方法提高了半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111490309.X在审
发明人： 金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域；薄栅氧层，所述薄栅氧层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧，且所述薄栅氧层覆盖所述掺杂区域。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111490307.0在审
发明人： 金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管，包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域；隔离绝缘氧化层，所述隔离绝缘氧化层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧，且所述隔离绝缘氧化层覆盖所述掺杂区域；遮挡层，所述遮挡层设置在所述隔离绝缘氧化层远离所述衬底片的一侧。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111516210.2在审
发明人： 金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管，包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域，至少一个所述掺杂区域作为双极型晶体管的负电极，所述负电极用于接入负电位；器件保护层，所述器件保护层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧；导电层，所述导电层设置在所述器件保护层远离所述衬底片的一侧，所述导电层与所述负电极电连接。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201911391524.7有效
发明人：蔡巧明;魏兰英;金美晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供形成有多个沟槽的半导体衬底，所述沟槽侧壁，沟槽底部以及半导体衬底表面形成有交替分布的多层绝缘层和多层电极层，所述多层绝缘层和多层电极层填满所述沟槽；在所述多层绝缘层和多层电极层的顶面上形成光刻胶层；在所述光刻胶层中形成第一开口，所述第一开口的开口尺寸从开口顶端至开口底端逐步减小；将所述第一开口的图形转移至位于半导体衬底上的多层绝缘层和多层电极层，形成贯穿所述多层绝缘层和多层电极层并暴露出半导体衬底的第二开口；沿所述第二开口进行选择性刻蚀，去除部分暴露出的电极层，使所述第二开口侧壁的电极层呈阶梯状分布。所述方法节约了工艺步骤和成本，减少了电容器面积。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010752555.7在审
发明人：蔡巧明;张云香;金美晨 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，基底中形成有阱区，所述基底包括：用于形成沟道区的预设区域；漂移区，沿沟道区长度的方向，位于预设区域两侧且与预设区域相邻接；环绕所述预设区域和漂移区的阱区接触结构，沿所述沟道区长度的方向，所述阱区接触结构与相邻的漂移区之间具有第一间隔；包覆所述阱区接触结构的阱区连接区，沿所述沟道区长度的方向，所述阱区连接区与相邻的漂移区之间具有第二间隔，所述第二间隔比第一间隔小0nm至300nm；栅极结构，位于所述预设区域上且延伸覆盖部分的漂移区；源漏掺杂区，位于所述栅极结构露出的漂移区中。本发明实施例有利于提高LDMOS器件的性能。
半导体结构及其形成方法