“高林春”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果49个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]FDSOI器件输出电流改变量提取方法-CN202210320429.3在审
发明人：赵姗姗;罗家俊;赵发展;韩郑生;曾传滨;高林春;倪涛;李晓静;王娟娟;钱频 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了FDSOI器件输出电流改变量提取方法，涉及半导体器件仿真技术领域。本发明在仿真平台中进行FDSOI器件的仿真，得到FDSOI器件在多个温度点下的输出电流‑栅极电压曲线，根据输出电流‑栅极电压曲线获取FDSOI器件在特定栅极电压下的输出电流改变量，可精确提取FDSOI器件在高温条件下的输出电流改变量。
fdsoi 器件输出电流变量提取方法

[发明专利]一种具有ESD防护结构的芯片及制备方法-CN202311055388.0在审
发明人：段亚驰;李晓静;李博;王磊;陆芃;朱慧平;高林春;张学文;周虹珊;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有ESD防护结构的芯片及制备方法，该芯片是由ESD防护结构和半导体电路结构集成得到，其中ESD防护结构中的第一金属结构与第二金属结构之间设置了材料为OTS材料、IMT材料或MIEC材料且阵列排布的防护结构介质层，这三种材料具有相变或者阻变特性，在ESD脉冲来临前类似于绝缘体，漏电流较低，而当ESD脉冲来临后能迅速从高阻态变为低阻态，泄放掉ESD电流；此外，由于单个防护结构介质层的面积较小，所以阵列排布的防护结构介质层的面积也相对较小，进而ESD防护结构的寄生电容也较小，通过合理设计，使这三种材料具有很大的开关电阻比，从而可以得到具有较好的ESD防护能力的ESD防护结构。
一种具有 esd 防护结构芯片制备方法

[发明专利]一种半导体衬底结构、异质集成封装结构及其制造方法-CN202310900074.X在审
发明人：李晓静;李博;王磊;段亚驰;陆芃;朱慧平;高林春;周虹珊;张学文;杨灿 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/467 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体衬底结构、异质集成封装结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决异质晶圆和半导体衬底键合时容易产生缺陷、气泡和破裂的问题。所述导体衬底结构包括衬底，衬底的上表面设置有用于释放键合应力的上微流道结构，衬底的下表面设置有用于液冷的下微流道结构。所述异质集成封装结构包括上述方案所提的半导体衬底结构。所述异质集成封装结构的制造方法包括上述方案所提的异质集成封装结构。
一种半导体衬底结构集成封装及其制造方法

[发明专利]一种异质键合结构的制备方法及异质键合结构-CN202310909467.7在审
发明人：周虹珊;王磊;李博;陆芃;李晓静;朱慧平;高林春;张学文;杨灿 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质键合结构的制备方法及异质键合结构，通过在第一晶圆的键合面刻蚀形成微流道结构，且微流道结构包括呈蜂巢状排布的多个正六边形微流道，从而形成优良的热、气输运网络，以在第二晶圆的键合面和第一晶圆的键合面键合时，使得正六边形微流道所包围的非流道区在键合过程中产生的气体可以非常容易地排放到周围的微流道中，继而排出，减少或防止异质晶圆键合过程中气泡的残留，并且，在后续对第一晶圆和第二晶圆键合后的复合结构进行退火处理时，微流道结构还可以为释放退火处理过程中产生的热应力提供空间余量，减小复合结构在退火过程中产生的热应力而带来的不良影响，整体上提高异质键合结构的质量。
一种异质键合结构制备方法

[发明专利]一种用于改变入射角的光路调节装置及光路调节系统-CN202310678797.X在审
发明人：窦润嵩;李博;王磊;高林春;朱慧平;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B7/198 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于改变入射角的光路调节装置及光路调节系统，该装置中圆弧形导轨所在平面与样品台所在平面垂直，可转动镜架结构在第一方向上延伸，其第一端固定在圆弧形导轨上且基于圆弧形导轨运动，第二端沿第一方向延伸至圆弧形导轨的旋转轴，且在旋转轴上保持不变，以使可转动镜架结构绕旋转轴旋转，第一方向平行于圆弧形导轨所在平面；光源发出的第一入射光与旋转轴重合，无需改变光源的位置；并且可转动镜架结构将与旋转轴重合的第一入射光转化为第一方向上的第二入射光，不改变光的特性，第二入射光随着可转动镜架结构绕旋转轴旋转而移动，从而在不改变光源和样品位置、不改变光束特性的情况下，改变光束射向样品的入射角。
一种用于改变入射角调节装置系统

[发明专利]一种基于PMOS管的栅压自举开关电路-CN202310305304.8在审
发明人：王润坚;李逸帆;许立达;李雪勤;倪涛;王娟娟;高林春;李晓静;曾传滨 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种基于PMOS管的栅压自举开关电路，其中：采样开关管的控制端连接栅压自举回路的输出端；电荷泵的输出端连接栅压自举回路的输入端；采样开关管采用PMOS管；栅压自举回路依据时钟信号和电荷泵提供的电压信号，实现在保持阶段对栅压自举回路中第一电容施加恒定电压差，使采样开关管处于截止状态；在采样阶段控制采样开关管处于导通状态，且采样开关管的栅源电压保持为预设值；也即，在采样开关管导通时其栅极能有效跟随输入电压的变化，使开关的导通电阻不随输入电压变化，实现栅压自举的功能并且抑制采样开关衬偏效应的影响；同时，本电路不使用具有独立衬底端的NMOS管，使该设计能够适用于标准N阱CMOS工艺。
一种基于 pmos 开关电路

[发明专利]半导体器件热等效模型的确定方法及系统-CN202310327536.3在审
发明人：李逸帆;王润坚;许立达;李雪勤;倪涛;王娟娟;高林春;李晓静;曾传滨 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件热等效模型的确定方法及系统，利用表征被测半导体器件的热瞬态响应的热时间常数和热阻参数构建福斯特型的热等效模型，再利用建福斯特型的热等效模型模拟的热瞬态响应信号数据和实测的热瞬态响应信号数据进行拟合比对，并根据比对结果确定热等效模型。不仅可以通过热时间常数和热阻参数针对性的反应被测半导体器件的热特征，且采用转换算法简单的福斯特型网络模型构建热等效模型，无需考虑被测半导体器件的结构分界点问题，实现准确度高、适用性强且操作简单确定半导体器件热等效模型的目的。
半导体器件等效模型确定方法系统

[发明专利]一种BTS型MOSFET结构及其制备方法-CN202011358006.8有效
发明人：曾传滨;高林春;李晓静;闫薇薇;单梁;李多力;倪涛;王娟娟;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种BTS型MOSFET结构及其制备方法，该结构通过在体引出区内设置掺杂离子与阱区相同且掺杂浓度超过阱区的二次掺杂区，该二次掺杂区包含体引出有源区与场注入区之间的部分交界区域，且二次掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离，可以使得场氧区的寄生晶体管的阈值开启电压足够大，即场氧区的杂质浓度足够高，从而有效地抑制寄生晶体管的开启。该方法几乎不影响MOS器件主体区域的浓度，通过该方法能够有效地抑制寄生晶体管效应，显著提高器件的可靠性，形成抗边缘漏电的BTS型MOSFET结构。
一种 bts mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法-CN202011366925.X有效
发明人： 高林春;曾传滨;闫薇薇;李晓静;李多力;单梁;钱频;张颢译;倪涛;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底；位于SOI衬底上的有源区和有源区外围的场氧隔离区，位于有源区边缘的场注入区；其中，有源区包括：源区、漏区、P阱、H型栅区以及体接触区，源区、漏区分别位于H型栅区开口处，P阱位于源区和漏区之间，体接触区位于H型栅区宽度方向的两端；体接触区上设置有注入窗口,定义为高浓度注入区，高浓度注入区包括场注入区，高浓度注入区使得场氧隔离区与SOI衬底埋氧层之间夹角处的掺杂浓度大于P阱的掺杂浓度，通过将场氧隔离区与SOI衬底的埋氧层之间的夹角处的掺杂浓度提升，有效抑制器件关态漏电增大问题，显著提高器件的可靠性和工程应用水平。
一种接触 soi mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路-CN202011277041.7有效
发明人：曾传滨;李晓静;高林春;闫薇薇;倪涛;王加鑫;李多力;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，用于要求控制端口和数据端口均不能与电源之间存在放电通路以及电源和OUT端口仅允许串联两个及更多MOS管的电路；包括：端口PAD、第一、第二、第三、第四、第五、第六静电阻抗器以及伪电源；端口PAD还依次通过第一以及第五静电阻抗器连接伪电源；端口PAD通过第二静电阻抗器接地；端口PAD还通过第三静电阻抗器接地；端口PAD还通过依次串联的第六以及第四静电阻抗器接地；端口PAD还通过依次串联的第一和第三静电阻抗器接地；第六与第四静电阻抗器之间连接有防护对象连接端口。本发明提供的静电放电防护钳位电路在满足电路冷备份特性需求的前提下，提高电路静电放电防护性能。
一种绝缘体电路静电放电防护

[实用新型]一种半导体器件自加热效应的测试装置-CN202221785319.6有效
发明人：曾传滨;倪涛;王娟娟;李逸帆;高林春;钱频;张煦;刘建章;蔡小五;赵发展;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件自加热效应的测试装置，所述装置包：任意波形发生器；待测半导体器件，所述待测半导体器件的一端与所述任意波形发生器的输出端相连接；示波器，所述示波器的输入端与所述待测半导体器件的另一端相连；如此由于任意波形发生器可以输出不同脉冲宽度、不同频率的脉冲信号，因此可以在多种工作负荷下对半导体器件的自加热效应进行测试；获得不同工作负荷下半导体器件的自加热效应对器件电学特性的测试结果，进而可以有效地为器件结构和电路设计优化提供数据支撑，为器件的实际工作条件提供指导。
一种半导体器件加热效应测试装置

[实用新型]一种超快脉冲测试系统-CN202221785327.0有效
发明人：倪涛;王娟娟;孙佳星;高林春;李逸帆;曾传滨;李晓静;李多力;赵发展;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件测量的技术领域，尤其涉及一种超快脉冲测试系统，包括：控制模块，包括继电器组，继电器组包括第一继电器和第二继电器；测试模块，包括脉冲测试单元，脉冲测试单元包括：波形发生器；波形发生器包括：输出端；示波器，包括第一输入端；输出端通过第一继电器连接待测器件的一端，第一输入端通过第二继电器连接待测器件的另一端，该控制模块通过继电器组控制将测试模块与待测器件连接，以通过脉冲测试单元对待测器件进行脉冲测试，进而采用该超快脉冲测试系统能够测量自加热效应对待测器件的电学特性的影响。
一种脉冲测试系统

[发明专利]静电防护器件的仿真装置及仿真方法-CN202110453085.9在审
发明人：王加鑫;罗家俊;李晓静;赵发展;曾传滨;高林春;倪涛;李多力;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电防护器件的仿真装置及仿真方法，包括：建立静电防护器件模型；设定与参数对应的若干参数值，基于不同的参数值分别设定输入静电防护器件的若干电流脉冲信号，参数包括工作温度；将参数值输入静电防护器件模型，并将与参数值对应的若干不同的电流脉冲信号分别施加于静电防护器件模型上，分别对静电防护器件进行仿真，并分别输出电压脉冲信号；基于与参数值对应的若干电流脉冲信号和若干电压脉冲信号生成与参数值对应的I‑V特性曲线。可以实现在芯片制造前进行静电防护效果验证，而且仿真精度高，大大减少了静电防护器件的设计成本；而且能够获得工作温度对静电防护器件的影响效应，从而可以得到静电防护器件的最佳工作温度。
静电防护器件仿真装置方法

[发明专利]一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统-CN202210815310.3在审
发明人：李逸帆;罗家俊;韩郑生;倪涛;王娟娟;曾传滨;高林春;李晓静;孙佳星;刘海南 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统，方法包括：向待测半导体器件连续发送多个冷却不完全的脉冲信号；依次采集各脉冲信号预设时间段对应的电压检测值；预设时段为0～100ns；基于电压检测值确定待测半导体器件的各参考漏电流；基于各脉冲信号之间的漏电流差值及脉冲持续时长拟合自加热效应曲线；如此，由于任意波形发生器可以输出不同脉冲宽度、不同频率的脉冲信号，因此可实现多种工作负荷下的测试；并且由于示波器采集的是每个脉冲信号在0～100ns对应的电压数据，可确保采集到的当前脉冲信号对应的电压数据能准确反映上一脉冲信号自加热余热产生的影响，提高自加热余热累加效应对电压数据影响的测量精度。
一种加热效应脉冲测试方法系统

[发明专利]一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法-CN202011363637.9有效
发明人： 高林春;曾传滨;李晓静;闫薇薇;李多力;单梁;钱频;张颢译;倪涛;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法，包括：硅衬底、位于硅衬底上方的场氧区、有源区、阱区、体引出区、栅介质层及H型栅条；位于有源区边缘的场注入区；有源区包括源区、漏区以及沟道区，体引出区设置于H型栅条宽度方向的一侧；体引出区上设置有注入窗口，场氧区背面与硅衬底之间的交界面区域为重掺杂区域；重掺杂区的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度；二次离子注入的深度大于或等于源区及漏区的离子注入深度；如此，通过在体引出区上方增加一个窗口，沿注入窗口进行二次离子注入，确保场氧区边缘具有足够高的掺杂浓度，不会导致寄生晶体管开启，从而抑制MOS器件的关态漏电，提高MOS器件的电学特性。
一种 mos 器件避免寄生晶体管开启方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 49 条