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[发明专利]一种发光二极管芯片和发光装置-CN202211654824.1在审
发明人：熊伟平;吴志伟;高迪;郭桓卲;彭钰仁;邱树添 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管芯片和发光装置，发光二极管芯片包含：半导体叠层，半导体叠层由下至上包括：第一半导体层、发光层、第二半导体层；半导体叠层上的透明导电层；透明导电层之上的透明键合层；透明键合层上的透明衬底；所述的第二半导体层包括第一子层和第二子层，第二子层位于第一子层的部分上表面上，第一子层掺杂浓度低于第二子层掺杂浓度；透明导电层接触第二子层的上表面和第二子层周围的第一子层的上表面。以上设计可降低半导体层厚度，降低因为晶格差异性引起制作过程中晶圆发生的翘曲程度，降低因为翘曲引起的外延层脱落、键合不良，及降低切割时引起的破片率，从而提升制作良率，同时能保证欧姆接触和均匀电流水平扩展。
一种发光二极管芯片发光装置

[发明专利]半导体发光元件及其发光装置-CN202211728098.3在审
发明人：熊伟平;高迪;吴志伟;郭桓卲;彭钰仁;邱树添 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件及其发光装置，其中半导体发光元件，包括：透明衬底、透明键合层、半导体叠层；透明键合层介于透明衬底和半导体叠层之间；半导体叠层包括第一半导体叠层、发光层和第二半导体叠层；所述的透明衬底具有朝向半导体叠层的第一表面，所述的透明衬底的第一表面具有不平整结构；所述的半导体叠层具有朝向透明衬底的第一表面；所述的透明键合层包括第一键合层，所述第一键合层接触所述透明衬底的第一表面，并且所述的第一键合层的折射率低于透明衬底的折射率。利用透明键合层和透明衬底的优化设计，确保键合质量的同时提高半导体发光元件的光提取效率。
半导体发光元件及其装置

[发明专利]一种发光二极管及发光装置-CN202210418925.2在审
发明人：张昀;詹宁宁;吴巧添;林仕尉;范慧丽;邱树添 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管芯片技术领域，特别涉及一种发光二极管，包括外延层和电极结构，电极结构包含欧姆接触层和打线层，欧姆接触层设于发光二极管的外延层上；打线层设于欧姆接触层之上，包括至少一强化结构和设于强化结构之上的厚金属层，强化结构具有从下至上依次相叠的第一强化薄层、第一金属层和第二强化薄层；其中第一强化薄层和第二强化薄层的硬度均大于厚金属层的硬度。与现有技术相比，本发明提供的一种发光二极管的优势在于通过强化结构分散打线时对于电极结构的单点集中力，使得打线冲击力均匀分布于Pad表面，强化产品的电极打线抗脱落性能，减少打线异常的发生。
一种发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管-CN202210178743.2在审
发明人：张中英;吴霁圃;唐宏彬;廖齐华;邓有财;张家豪;邱树添 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种发光二极管，包含：复合绝缘反射层（100）包括多个电介质对；至少其中一个电介质对包括具有第一折射率的第一材料层（110）、具有第二折射率的第二材料层（120）和位于二者之间的应力缓冲层（130），第一折射率大于第二折射率。利用缓冲层（130）降低反射膜层的制作应力，提供芯片工艺制作良率。
一种发光二极管

[发明专利]一种复合绝缘反射层-CN201980006236.7有效
发明人：张中英;吴霁圃;唐宏彬;廖齐华;邓有财;张家豪;邱树添 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种复合绝缘反射层（100），包含：复合绝缘反射层（100）包括多个电介质对；至少其中一个电介质对包括具有第一折射率的第一材料层（110）、具有第二折射率的第二材料层（120）和位于二者之间的应力缓冲层（130），第一折射率大于第二折射率。利用缓冲层（130）降低反射膜层的制作应力，提供芯片工艺制作良率。
一种复合绝缘反射层

[发明专利]一种发光二极管芯片结构及其制作方法-CN201710610317.0有效
发明人：邓有财;冯岩;杨硕;张中英;邱树添 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片结构及其制作方法，包括：第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，芯片表面具有第一导电类型半导体层台阶，芯片表面还覆盖有钝化层、透明电流扩展层，台阶的侧壁为斜面，第二导电类型半导体层的上表面靠近台阶的区域覆盖有钝化层；除了覆盖有钝化层的区域之外，其他第二导电类型半导体层的上表面部分或者全部覆盖有透明电流扩展层，透明电流扩展层的下表面分别与第二导电类型半导体层的上表面以及钝化层上表面接触，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的折射率大于钝化层的折射率大于透明电流扩展层的折射率。
一种发光二极管芯片结构及其制作方法

[实用新型]一种发光二极管-CN201820982039.1有效
发明人： 邱树添;廖齐华;郭明兴 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管,该发光二极管包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；绝缘保护层，形成于所述发光外延层，至少在第二半导体层上设有一系列开口作为导电通道；第一电极，包括形成于所述绝缘保护层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，与所述第二半导体层形成电性连接；所述第一电极具有焊盘部和扩展条，其中所述扩展条从绝缘保护层延伸到第二半导体层的开口内，开口包括侧壁和底部，至少部分侧壁的扩展条宽度大于位于绝缘保护层上的扩展条宽度，解决了开口侧壁扩展条过薄导致的老化烧伤问题，提高了产品的可靠度。
半导体层绝缘保护层发光二极管发光外延层开口第一电极电性连接侧壁本实用新型导电通道第二电极开口侧壁发光层焊盘部可靠度烧伤老化延伸

[发明专利]一种LED芯片的制作方法及其制作设备-CN201610582087.7有效
发明人： 邱树添;邓有财;林旭明;李瑞;林宗民 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种LED芯片的制作方法及其制作设备，用于LED芯片制程，主要用于改善芯片因为下蜡过程应力释放导致的断晶异常，晶圆粘附在承载盘上进行薄化、抛光后，取消原先的下蜡工艺，晶圆固定在承载盘上，采用DBR In‑Line制作设备，直接进行DBR镀膜。
一种 led 芯片制作方法及其制作设备

[发明专利]一种发光二极管-CN201810664719.3在审
发明人： 邱树添;廖齐华;郭明兴 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管,该发光二极管包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；绝缘保护层，形成于所述发光外延层，至少在第二半导体层上设有一系列开口作为导电通道；第一电极，包括形成于所述绝缘保护层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，与所述第二半导体层形成电性连接；所述第一电极具有焊盘部和扩展条，其中所述扩展条从绝缘保护层延伸到第二半导体层的开口内，开口包括侧壁和底部，至少部分侧壁的扩展条宽度大于位于绝缘保护层上的扩展条宽度，解决了开口侧壁扩展条过薄导致的老化烧伤问题，提高了产品的可靠度。
半导体层绝缘保护层发光二极管发光外延层开口第一电极电性连接侧壁导电通道第二电极开口侧壁发光层焊盘部可靠度烧伤老化延伸

[实用新型]一种用于离子蚀刻的设备及其承载盘-CN201721813633.X有效
发明人：李瑞;邓有财;邱树添;张家豪;马贺 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于离子蚀刻的承载盘，其包括：盘面，盘面具有第一表面和第二表面，第一表面为工作面，位于盘面上第一表面的凸起，凸起用于为待离子蚀刻的晶圆提供定位，套在凸起外表面的可以更换的保护套，设置保护套减少了离子蚀刻对盘面的损坏，延长承载盘使用寿命，降低生产成本。
离子蚀刻承载盘盘面凸起第一表面本实用新型第二表面使用寿命对盘晶圆套在

[实用新型]一种LED芯片的制作设备-CN201721305164.0有效
发明人：吴明钦;邓有财;江智君;张中英;邱树添 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种LED芯片的制作设备，用于在芯片工艺中转换芯片在固定膜上的朝向过程中进行搓膜，芯片通过固定膜的粘附性与固定膜粘接，制作设备包括基架、加热台、温控系统、旋转轴跟软质压板，旋转轴控制软质压板的上升或下降或旋转，加热台，在工作时用于承载固定膜和芯片，对固定膜和芯片进行加热，降低固定膜对芯片的粘附性，温控系统控制加热台的温度，其中软质压板分为第一部分软质压板和第二部分软质压板，第一部分软质压板用于对固定膜中央区域的芯片进行搓膜，第二部分软质压板用于对固定膜边缘区域的芯片进行搓膜。
一种 led 芯片制作设备

[发明专利]一种平行四边形LED芯片的测试方法-CN201510399895.5有效
发明人：林潇雄;邱树添;林素慧;彭康伟;许圣贤 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种平行四边形LED半导体芯片的测试方法，其特征在于所用平行四边形LED芯片的内角为特定角度，测试机拥有两组或多组测试针，即为多组测试模组，可同时测试特定的两排或多排芯片，避免了测试数据无法逐一对应或者测试系统无法正确找到芯片的问题。
一种平行四边形 led 芯片测试方法

[发明专利]一种半导体晶片的制作方法-CN201710830314.8在审
发明人：贺勇;邓有财;邱树添 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体晶片的制作方法，在晶片生长完外延层后，由于外延沉积的特性，在外延层边缘存在外延凸起，利用新型打磨砂轮消除晶片的外延凸起，进一步对晶片边缘进行倒角，之后进行半导体芯片工艺，消除外延凸起后的晶片在芯片工艺中体现出更良好的加工特性。
一种半导体晶片制作方法

[发明专利]一种晶片曝光设备及其曝光方法-CN201510153097.4有效
发明人：蔡家豪;郭军成;吕荣英;段伟;余学志;邱智中;邱树添 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片曝光设备及其曝光方法，可对不同形状不同尺寸的晶片进行曝光，尤其对于曝光标记缺失的破损晶片，可实现精准对位。在其一实施例中，所述曝光设备通过在其晶片载台上方设置的移动式第一光学成像系统扫描晶片表面获取晶片图像，并通过曝光设备的控制系统将晶片图像与第一光罩图像对比、转化为模拟图像，进一步通过模拟图像与第二光罩图像的对准，同步实现晶片与光罩板的精准对位。利用本发明的晶片曝光设备及其曝光方法，可减少曝光过程中由于无法精准对位导致的光罩偏离现象。
一种晶片曝光设备及其方法

[实用新型]一种LED的制作装置-CN201720020644.6有效
发明人：林慈爱;邓有财;邱树添 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED的制作装置，至少包括自动焊线组件和自动剔线组件，当对晶圆进行打线和推力测试时，通过定位系统和机械臂配合，晶圆依次通过自动焊线组件和自动剔线组件，实现寻点定位、焊线作业、推力测试功能的集成，有效减少了LED芯粒制作过程中刮伤或脏污的异常。
一种 led 制作装置

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