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[实用新型]一种镀膜用晶片防护盖-CN201520078382.X有效
发明人：黄照明;梅震;晏维云;赵龙;余学志;邱树添 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种镀膜用晶片防护盖，所述防护盖由若干个以弹性件连接的防护板组成，所述防护盖位于待镀膜晶片之上。本实用新型利用弹性件的弹性作用，通过调节弹性件的伸缩使防护盖与具有一定翘曲度的晶片形状匹配，使晶片与防护盖无缝贴合，进而减少晶片非镀膜面边缘的污染现象，提高晶片良率。
一种镀膜晶片防护

[实用新型]一种下膜机-CN201420819294.6有效
发明人：林桂绮;周立;余学志;邱智中;邱树添 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： B32B38/10 文献下载
摘要：一种下膜机，用以分离加工组件，该加工组件由膜片及其内载框和外载框组成，该下膜机包括一机架以及安装于其上的送料机构、下膜机构、收料机构以及载台，其特征在于：所述下膜机构包括用以施加压力分离膜片和内外载框的下压平台、控制所述下压平台吸气和排气状态的气体控制装置；所述施压平台下方置有用于置放加工组件并具有开口结构的载台；所述开口结构下方置有回收内、外载框和膜片的收料机构。采用本实用新型提供的下膜机，可通过下压方式均匀施力将夹在内外载框之间的膜片分离，从而减少了人工操作由于用力不均匀导致的对内外载框的损害，同时采用机器作业，提高了下膜效率，减少了人力消耗。
一种下膜机

[实用新型]一种具有反射墙的发光二极管-CN201520057773.3有效
发明人：蔡家豪;童伟;古静;周晨源;何超文;余学志;邱智中;邱树添 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有反射墙的发光二极管，包括衬底，在衬底上依次生长N型层、发光层和P型层形成第一外延层，分别在P型层和N型层上形成的P电极和N电极，以及衬底背面的反射层，其特征在于：所述发光二极管还包括连续结构的反射墙，所述反射墙位于所述第一外延层外周暴露的N型层表面上。本实用新型在LED外延层外周的N型层上设置具有优异反射性的分布布拉格反射镜，当光从LED侧面发光时，可将侧光反射到LED正面出光，并调节反射墙与第一外延层的间距，调整出光角度和出光范围；并且可避免漏电和剥落现象，进而有效提高LED的外量子效率。
一种具有反射发光二极管

[实用新型]一种应用于镀膜制程的叉车-CN201420793223.3有效
发明人：张佳佳;郑烨;尚林鹏;朱发明;叶华升;邱智中;余学志;邱树添 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：一种应用于镀膜制程的叉车，包括：底座、固定于底座上的竖直滑轨、沿滑轨升降的水平升降台、安装于升降台首末端的支架、放置于所述支架上方的工件盘，其特征在于：在所述支架与所述工件盘之间设置实心的载盘。利用本实用新型提供的叉车，在镀膜制程中，可有效降低晶片的破损量和灰尘污染。
一种应用于镀膜叉车

[实用新型]一种用于检测镀源污染的镀膜装置-CN201420658037.9有效
发明人：林耀辉;江新松;邱树添;彭家彦;王军辉 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于检测镀源污染的镀膜装置，包括用于盛放镀源的坩埚，所述坩埚具有多个盛放镀源的坩埚容器，其特征在于：所述镀膜装置还包括多个感应器，用于检测镀膜过程中镀源间的交叉污染状况；所述感应器位于相邻所述坩埚容器之间的间隔处。当镀源出现交叉污染时，感应器将污染信号反馈给镀膜机台并发出报警，进而提醒工作人员针对性地对芯片的污染程度进行检测。
一种用于检测污染镀膜装置

[发明专利]一种发光二极管的制造方法-CN201410560877.6有效
发明人：黄慧君;邱树添;章小飞;杨碧兰;李水清 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管的制造方法，包括步骤：1）提供发光外延片，从下至上至少包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；2）制作整层电流阻挡层，光刻并腐蚀电流阻挡层，保留待镀P型电极下方的电流阻挡层，并去除光刻胶；3）制作整层电流扩展层；4）制作光刻并腐蚀电流扩展层，刻蚀出第一导电类型半导体层，并粗化电流阻挡层；5）光刻并制作P型电极和N型电极；6）使用钝化保护层涂覆器件表面，并通过光刻把电极上的钝化层刻蚀完成，从而完成器件制作，缩短制作周期，降低制造成本，提高发光效率。
一种发光二极管制造方法

[实用新型]一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置-CN201420580231.X有效
发明人：江新松;张家宏;林耀辉;王军辉;邱树添;彭家彦 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置，包括坩埚、火山口和多个衬锅；所述坩埚设有多个坩埚容器；所述衬锅内盛放蒸镀源并放置在所述坩埚容器内，且所述坩埚上方置有所述火山口；其特征在于：所述蒸镀装置还包括多个升降装置和驱动装置；所述坩埚底端开设有多个孔口，所述升降装置穿过孔口与所述坩埚组合，并在所述驱动装置的调节下控制衬锅的运作状态。本实用新型通过调节衬锅的高度，缩小衬锅与火山口之间的间隙，改善蒸镀过程中蒸镀源间的交叉污染现象，减少片源异常，降低异常率，有效地降低成本；在蒸镀过程中，由于衬锅底部远离坩埚容器底部，减弱了坩埚底部对衬锅内镀源的冷却作用，从而减小镀膜时的功率输出，进一步节省成本。
一种防止蒸镀源交叉污染装置

[实用新型]一种用于蒸镀的晶片防护固定装置-CN201420075735.6有效
发明人： 邱树添;徐胜娟;季韬;程叶;刘峰;梅震 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于蒸镀的晶片防护固定装置，其包括：蒸镀锅体、置于所述锅体上的安装孔、带有挡块的晶片固定环、晶片防护盖、置于所述安装孔边缘的晶片阻挡条，其中所述晶片防护盖为软质弹性材料组成，且与晶片非接触面上连通有体积大小为V，置有单向阀的气囊，该气囊可容纳的空气产生的压力大于或等于所覆盖晶片的重量。本实用新型通过改变防护盖及晶片固定装置达到改善产品良率的效果。
一种用于晶片防护固定装置

[发明专利]具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管及其制备方法-CN201010260023.8有效
发明人：许亚红;蔡家豪;廖齐华;邱姝颖;陈文欣;邱树添 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-08-23 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管及其制备方法，分布布拉格反射层形成于衬底上，第一型磊晶层形成于分布布拉格反射层上，发光层形成于第一型磊晶层上，第二型磊晶层形成于发光层上，表面呈凹陷的十字交叉状扩展条的图形化GaP窗口层形成于第二型磊晶层上；第一电极形成于图形化GaP窗口层正上方，第一电极与图形化GaP窗口层呈中空电流阻塞结构；第二电极形成于衬底背面。本发明完成常规工艺后，采用第一电极与图形化GaP窗口层形成以空气为介质的中空电流阻塞结构，以改变电流从发光层到达表面扩展层的方向，将更多的电流从GaP窗口层四周扩展后汇集至电极，使发光二极管比采用公知技术的二极管的发光效率提高30～50%。
具有电流阻塞结构四元系垂直发光二极管及其制备方法

[发明专利]铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法-CN200410036170.1有效
发明人：徐之韬;邱树添 -专利权人：厦门三安电子有限公司
申请日： 2004-10-25 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法：将锌扩散源和扩散晶片放入位于扩散管中的石英箱中，经抽真空/充氮气循环，在氮气保护气体中进行锌扩散，用这种方法获得的芯片不仅和真空封管扩散所获得的芯片具有同样的均匀性，重复性和光电特性，而且工艺简单，方便，安全，成本低，适合于大批量生产。
铟镓砷光电探测器芯片制作箱式扩散方法

[发明专利]一种用于半导体芯片制作中的图形电极金属膜剥离方法-CN200410036172.0无效
发明人：徐之韬;邱树添 -专利权人：厦门三安电子有限公司
申请日： 2004-10-25 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种用于半导体芯片制作中的图形电极金属膜剥离方法。当半导体芯片电极采用化学方法代以腐蚀的金属膜时，图形电极只好采用剥离方法获得。本发明提供了一种采用双层正性光刻胶作为剥离介质的新方法：本方法的特点是得到“倒台”光刻胶剖面，使电子束蒸发后的金属膜的剥离变得十分容易；采用该方法所得到图形电极完好，边缘清晰，附着力牢；方法简单易行，工艺可靠；适合于半导体芯片制作中多层金属膜图形电极的制作。
一种用于半导体芯片制作中的图形电极金属膜剥离方法

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