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[发明专利]一种氮化物发光二极管-CN201711403205.4在审
发明人：黄理承;谢翔麟;黄文宾;林兓兓;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括一衬底，以及依次位于衬底上的成核层、缓冲层、n型层、发光层、P型层和N型接触层，其特征在于：所述N型接触层包括u‑GaN/n‑GaN超晶格结构层。本发明采用u‑GaN/n‑GaN超晶格结构或者u‑GaN/n‑GaN超晶格结构和n+GaN层作为N型接触层，降低与其上的电流扩展层的接触电阻，提高注入电流的横向扩展能力，使得抗静电性能得到改善，操作电压得到降低。
氮化物发光二极管超晶格结构衬底超晶格结构层电流扩展层抗静电性能操作电压横向扩展接触电阻注入电流成核层发光层缓冲层

[发明专利]一种氮化物发光二极体结构-CN201510062588.8有效
发明人：蓝永凌;张家宏;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物发光二极体结构，包括衬底、缓冲层、N型层、应力释放层、量子阱发光层、P型层，其中，在所述N型层与应力释放层之间插入一生长温度等于或低于量子阱发光层生长温度的电场分散层，所述电场分散层为n型掺杂的多层氮化镓结构；利用不同浓度掺杂的GaN层逐步降低电场聚集，使电流均匀分散，从而提高氮化物半导体组件的静电耐压特性，降低组件在使用过程中的失效率，增加使用的可靠性，延长使用寿命。
一种氮化物发光二极体结构

[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201410107433.7有效
发明人：蓝永凌;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管，包括衬底、缓冲层、N型层、多量子阱有源层和P型层，所述多量子阱有源层由InGaN量子阱与InAlN量子垒结构组成。在本发明中，采用与InGaN量子阱材料晶格匹配的InAlN材料作为量子垒，改善了QCSE(Quantum‑Confined Stark Effect)效应，从而改善器件的Efficiency Droop，改善了器件的发光效率提升LED组件内部量子效率(IQEInternal Quantum Efficiency)。
氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种半导体模板的制作方式及LED或FET组件-CN201410380142.5有效
发明人：程志青;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟;徐志波;黎国昌 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体模板及其制作方式及具有其的LED或FET组件，包括AlN基板，并设有氮化物半导体膜层形成于AlN基板上，制作过程中采用过渡基板，能够得到大面积、较厚、高质量且无翘曲的氮化物半导体模板，并且制作过程方便，成本低。
一种半导体模板及其制作方式具有 led fet 组件

[发明专利]图形化衬底、制备方法及发光二极管-CN201510691884.4在审
发明人：徐志波;李政鸿;谢翔麟;王肖 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种图形化衬底、制备方法及发光二极管，通过在具有复数个凸起的衬底表面沉积介质层，利用介质层的非晶体特性，使得PVD法沉积于凸起的侧面和顶面平台的氮化铝层为非晶态，而覆盖于凸起间隙的平整表面的氮化铝是由微小晶粒组成的多晶。随后该衬底应用于MOCVD法沉积氮化镓基外延层形成发光二极管时，利用在平整面上的氮化铝多晶态更易生长，而非晶态氮化铝不易沉积氮化镓基外延层的特性，外延层选择性生长于凸起间隙的平整表面氮化铝层上，而凸起侧面和顶面平台不易生长，减小侧面氮化镓基外延层生长，降低侧向生长的氮化镓基外延层与平整表面上正向生长的氮化镓基外延层合并时缺陷数量，提升最终形成的半导体元件的性能。同时，由于抑制了侧向氮化镓基外延层生长，正向生长的氮化镓基外延层更容易合并成一个平整表面。
图形衬底制备方法发光二极管

[实用新型]氮化物发光二极体结构-CN201520246088.5有效
发明人：蓝永凌;谢翔麟;谢祥彬;黄文宾;张家宏;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种氮化物发光二极体结构，包括：衬底、在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型层、应力释放层、量子阱有源层、P型层，其特征在于：所述P型层由含铝氮化物层和厚度小于或等于100埃的P型接触层组成，所述含铝氮化物层为AlGaN层或AlGaN/GaN的超晶格结构层。本实用新型通过控制P型接触层的杂质浓度和减小P型接触层的厚度，提高载流子的迁移速率，同时降低了P型接触层对光的吸收，进而提高发光二极管的出光效率。
氮化物发光二极体结构

[实用新型]氮化物发光二极管组件-CN201520145705.2有效
发明人：蓝永凌;张家宏;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;黄文宾 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种氮化物发光二极管组件，包括：N型层、活性层和P型层，其特征在于，所述P型层包括于活性层上依次层叠的含铝氮化物层、未掺杂氮化物(u-GaN)层和杂质原子浓度大于1×10²¹/cm³的P型接触层。本实用新型通过控制P型接触层的成长温度和厚度，将其厚度控制于100埃以下，降低了P型层对光的吸收；同时，未掺杂氮化物层避免了电极附近处电流密度较高，进而提高发光二极管的发光效率。
氮化物发光二极管组件

[发明专利]一种氮化物发光二极管制备方法-CN201410549383.8在审
发明人： 谢翔麟;李政鸿;徐志波;林兓兓;卓昌正;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种氮化物发光二极管制备方法，采用PVD法在更大深度的图形化衬底上沉积AlN薄膜层，在AlN薄膜层上利用CVD法沉积厚度较薄氮化物外延层，通过减薄外延层较小应力，改善外延片的翘曲，进而改善单片外延片的电性均匀性；同时利用大深度图形化衬底改善取光效率；且在活性层中掺入高浓度杂质，在不影响漏电的状况下可有效降低电压特性，进而改善发光二极管的整体良率。
一种氮化物发光二极管制备方法

[实用新型]外延生长用晶片载盘-CN201420331828.0有效
发明人：徐志军;谢祥彬;刘兆;吴洪浩;程伟;周宏敏;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶片载盘，该晶片载盘包括若干个设置在载盘下方的突出部，用于储存受热过程中的热量，减缓制程中气流流动造成的温度变化，调节载盘的整体温度均匀，使得处于盘面的晶片生长温度一致，改善晶片的波长均匀性；且可以充分利用载盘表面边缘的空间，用以容纳更多晶片，增加资源的利用率，增加产能。
外延生长晶片

[实用新型]氮化物发光二极管组件-CN201420341838.2有效
发明人：蓝永凌;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：近年来氮化物发光二极管着重于亮度提升，期望能应用于照明领域，本实用新型提供一种氮化物发光二极管组件，包括N型层、有源区、P型层，其特征在于：所述P型层包含一电子阻挡层和p型氮化物层，所述p型氮化物层层叠于电子阻挡层之上，所述p型氮化物层厚度不超过600Å。本实用新型能有效地提高发光二极管的发光效率。
氮化物发光二极管组件

[发明专利]一种氮化物半导体的制备方法-CN201410354965.0在审
发明人： 谢翔麟;徐志波;李政鸿;林兓兓;卓昌正;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种氮化物半导体的制备方法，通过在PVD法AlN薄膜层与CVD法氮化镓系列层之间沉积一CVD法Al_xIn_yGa_1-x-yN材料层，利用该材料层可减小AlN薄膜层与氮化镓系列层之间的应力作用，改善发光二极管的整体质量，从而最终改善发光效率。
一种氮化物半导体制备方法

[发明专利]氮化镓发光二极管及其制作方法-CN201410391600.5在审
发明人：蓝永凌;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物发光二极管，包括衬底、缓冲层、N型层、活性层以及P型层，其特征在于：提供低三甲基铝的缓冲层，能有效地提高发光二极管的发光效率。
氮化发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种氮化物发光二极管-CN201420315117.4有效
发明人： 谢翔麟;徐志波;蓝永凌;林兓兓;卓昌正;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种氮化物发光二极管，其结构包括：衬底、n侧层、活性层、p侧层；其中，所述p侧层包含电子阻挡层、空穴注入层、接触层；所述空穴注入层由u型氮化物层、p型氮化物层和氮化镁层交互堆叠而成。该结构可有效扩展电流，改善电流拥挤现象，改善出光均匀性；同时改善晶格质量，进而改善漏电流及抗静电能力等电特性。
一种氮化物发光二极管

[发明专利]氮化物发光二极管组件-CN201410183738.6无效
发明人：蓝永凌;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：随着氮化物半导体组件应用扩大，除了具有高亮度外，降低组件操作电压与提高静电耐压的重要性也随之提高，本发明的氮化物组件，于p型氮化镓接触层成长高掺杂锥状接触层，此锥状接触层为不连续成长，提供较低的接触电阻，降低了组件操作电压与提升了静电耐压能力。
氮化物发光二极管组件

[实用新型]负压式高温分解炉装置-CN200520040236.4无效
发明人： 谢翔麟 -专利权人： 谢翔麟
申请日： 2005-03-18 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： F26B25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种负压式高温分解炉装置，该装置包括有：一炉体，该炉体具有一入料阀、一出料阀及一热风出口；多个输送单元，该输送单元呈上、下排列设置于该炉体内部，位于上层的输送单元一端为入料端，该入料端位于该入料阀下方，位于下层的输送单元一端为出料端，该出料端位于该出料阀的上方；至少一个加热单元，该加热单元与该炉体连接。本实用新型主要是利用逆向式热风加热原理，使输送于炉体内的物料能在极短时间内进行均匀性的干燥化，可达到最高效率的作业机能，提高产品的质量及竞争力。
负压式高温分解装置

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