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[发明专利]氮化镓半导体器件及其制作方法-CN201710078169.2有效
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氮化镓半导体器件及其制作方法，该方法包括：在基底的第一表面生长含铟的缓冲层，该缓冲层包括含铟的AlxGa1‑xN层，其中，0≤x≤1；在缓冲层背离基底一侧表面形成非有意掺杂的第一氮化镓层；在第一氮化镓层背离缓冲层一侧表面形成含碳掺杂的第二氮化镓层；在第二氮化镓层背离第一氮化镓层一侧形成非有意掺杂的第三氮化镓层；在第三氮化镓层背离第二氮化镓层一侧形成AlyGaN1‑yN层，其中，0＜y≤1。利用该方法制作的氮化镓半导体器件可提高所述氮化镓半导体器件的击穿电压，降低所述氮化镓半导体器件在制作过程中，出现裂纹的概率，提高所述氮化镓半导体器件的性能。
氮化半导体器件及其制作方法

[发明专利]聚酯薄膜和再生使用其的聚酯容器的方法-CN201980001697.5有效
发明人：申大容;金龙得;李仲奎;孙在亨;郑裕镇;金喆奎;梁朱淏 -专利权人： SKC株式会社;SKC公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B29B17/04 文献下载
摘要：实施例涉及一种聚酯薄膜，其包含含有二醇组分和二羧酸组分的共聚聚合树脂，并且在80℃下热处理10秒后，其在主要收缩方向的热收缩率为30％以上，其由差示扫描量热法测量的熔点为170℃以上，其不仅通过改善聚酯容器的可再利用性解决了环境问题，还提高了产率和生产率，还涉及一种再生利用其的聚酯容器的方法。
聚酯薄膜再生使用容器方法

[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件-CN201710069165.8有效
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件，通过在氮化镓薄膜和硅衬底之间生长第一、第二氮化铝层和缓冲层作为中间层，以抑制镓与硅之间产生反应；并且，通过在第二氮化铝层与氮化镓薄膜之间生长缓冲层，使得第二氮化铝层和氮化镓薄膜的晶格常数、热膨胀系数等物理特性能够协调连接；以及，通过制作第一纳米结构绒面和第二纳米结构绒面而保证生长的第一、第二氮化铝层的品质高；综合上述因素，以最终保证氮化镓薄膜品质高。
一种衬底生长氮化薄膜方法结构功率器件

[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制作方法-CN201710083258.6在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化镓功率器件及其制作方法，该氮化镓功率器件包括：基底；设置在基底上的多个功率器件单元；功率器件单元具有栅极、源极以及漏极；栅极包括：平行且相对设置的第一子栅极以及第二子栅极；连接第一子栅极以及第二子栅极的曲面子栅极；第一子栅极具有第一端，第二子栅极具有与第一端相对设置的第二端；曲面子栅极分别与第一端以及第二端连接；其中，漏极位于第一子栅极与第二子栅极之间；曲面子栅极的宽度大于第一子栅极以及第二子栅极的宽度。本发明技术方案通过改变栅极结构，设置曲面子栅极的宽度大于第一子栅极以及第二子栅极的宽度，能够增大栅极曲面部分的耐压能力，可以有效提高氮化镓功率器件栅极的曲面部分耐硬击穿能力。
子栅极氮化镓功率器件面子功率器件单元第一端基底漏极耐压能力相对设置栅极结构硬击穿源极制作平行

[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法-CN201710083261.8在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件以及制作方法，该功率半导体器件包括：基底；设置在基底上的氮化镓层，氮化镓层包括栅极区、源极区和漏极区；栅极区的表面设置有栅极，源极区表面设置有源极，漏极区表面设置有漏极；栅极包括平行且相对设置的第一栅极区域和第二栅极区域；以及连接第一栅极区域和第二栅极区域的第三栅极区域，第三栅极区域为曲面结构；漏极位于第一栅极区域与第二栅极区域之间；源极包括平行且相对设置的第一源极区域和第二源极区域，第一源极区域与第一栅极区域对应设置，第二源极区域和第二栅极区域对应设置。本发明技术方案解决现有技术中在栅极的曲面部分容易发生表面击穿的问题。
栅极区域源极区域功率半导体器件表面设置氮化镓层相对设置漏极区源极区栅极区基底漏极源极平行表面击穿方案解决曲面结构制作

[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件-CN201710069158.8在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件，通过在氮化镓薄膜和硅衬底之间生长第一、第二氮化铝层和缓冲层作为中间层，以抑制镓与硅之间产生反应；并且，通过在第二氮化铝层与氮化镓薄膜之间生长缓冲层，使得第二氮化铝层和氮化镓薄膜的晶格常数、热膨胀系数等物理特性能够协调连接；以及，通过制作第一纳米结构绒面和第二纳米结构绒面而保证生长的第一、第二氮化铝层的品质高；综合上述因素，以最终保证氮化镓薄膜品质高。
氮化镓薄膜氮化铝层生长硅衬底功率器件纳米结构缓冲层绒面热膨胀系数晶格常数物理特性中间层保证制作协调

[实用新型]GaN半导体器件-CN201721026139.9有效
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN半导体器件，包括：基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；所述AlxGa1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。上述GaN半导体器件的结构，生长二维电子气(2DEG)用氮化铝镓薄膜时，有效利用作为插入薄膜结构的氮化铝镓/氮化铝/氮化铝镓复合膜；能有效控制在后续为栅极接触而进行的蚀刻工艺中剩下的氮化铝镓的厚度，改善晶体管(MISFET Transistor)特性中散布问题。 1
氮化铝镓半导体器件氮化镓层氮化镓铝层缓冲层晶种层基板本实用新型二维电子气薄膜结构氮化铝层蚀刻工艺依次层叠有效控制栅极接触氮化铝复合膜晶体管薄膜散布生长

[实用新型]GaN半导体器件-CN201721026156.2有效
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN半导体器件，包括：基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；设置于所述AlxGa1‑xN层上的氮化铝层；设置于所述氮化铝层上的p‑GaN层。上述GaN半导体器件的结构，在生长出2DEG用AlGAN薄膜后，于p‑GaN layer蒸镀前插入氮化铝层的结构，即，p‑GaN/AlN/AlGaN复合膜或p‑GaN/AlGaN/AlN/AlGaN复合膜，去除在后续工艺中为栅极蚀刻时剩下的P类氮化镓层，改善p‑GaNHEMT器件特性的散布。
gan 半导体器件

[发明专利]GaN半导体器件及其制备方法和应用-CN201710702142.6在审
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN半导体器件，包括基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGaN1‑xN层；所述AlxGaN1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。上述GaN半导体器件的结构，生长二维电子气(2DEG)用氮化铝镓薄膜时，有效利用作为插入薄膜结构的氮化铝镓/氮化铝/氮化铝镓复合膜；能有效控制在后续为栅极接触而进行的蚀刻工艺中剩下的氮化铝镓的厚度，改善晶体管(MISFET Transistor)特性中散布问题。
gan 半导体器件及其制备方法应用

[实用新型]含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件-CN201621437259.3有效
发明人：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层上部的缓冲层以及设在该缓冲层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本实用新型通过在氮化铝中掺杂一定浓度的硅，在硅衬底上中生长包含硅掺杂氮化铝层的籽晶层，硅掺杂氮化铝与硅原子的晶格失配数比较接近，硅掺杂氮化铝层在硅基底上更好的成长，可以有效的阻止硅由衬底扩散进入氮化镓外延层，减少了硅与氮化镓的反应，改善了氮化镓或氮镓铝/氮化镓薄膜的品质，提高了半导体器件的工作性能。
含有掺杂氮化半导体器件

[发明专利]GaN半导体器件及其制备方法和应用-CN201710702909.5在审
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN半导体器件，包括基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；设置于所述AlxGa1‑xN层上的氮化铝层；设置于所述氮化铝层上的p‑GaN层。上述GaN半导体器件的结构，在生长出2DEG用AlGAN薄膜后，于p‑GaN layer蒸镀前插入氮化铝层的结构，即，p‑GaN/AlN/AlGaN复合膜或p‑GaN/AlGaN/AlN/AlGaN复合膜，去除在后续工艺中为栅极蚀刻时剩下的P类氮化镓层，改善p‑GaN HEMT器件特性的散布。
gan 半导体器件及其制备方法应用

[实用新型]氮化镓半导体器件-CN201621398209.9有效
发明人：李东键;金荣善;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓半导体器件，所述氮化镓半导体器件包括依次层叠的基板、缓冲层、高阻抗层、非有意掺杂氮化镓层、通道层以及电极；所述高阻抗层包括多层交替生长的非掺杂氮化镓层和碳掺杂氮化镓层。该氮化镓半导体器件为了改善击穿电压及漏电(leakage)的特性，将多层的非掺杂氮化镓层(Un‑doped GaN)和碳掺杂氮化镓层(C‑doped GaN)交叉生长，能改善高阻抗层的品质使其能生长得更厚，可以使底部上升的位错弯曲。
氮化半导体器件

[实用新型]SBD器件-CN201621404535.6有效
发明人：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SBD器件及其制备方法，该SBD器件，包括金属层；设置在所述金属层上的缓冲层；设置在所述缓冲层上的重掺杂n‑GaN层；设置在所述重掺杂n‑GaN层上的微量掺杂n‑GaN层；设置在微量掺杂n‑GaN层上的肖特基阻挡金属层。上述SBD器件设计垂直原子构造，能防止横向器件构造中发生的热逃逸现象。
sbd 器件

[实用新型]含有氮镓铝和氮镓铟的插入层的半导体器件-CN201621437886.7有效
发明人：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含有氮镓铝和氮镓铟的插入层的半导体器件。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层上部的缓冲层、设在该缓冲层上部的Ⅲ族氮化物外延层以及设置在该Ⅲ族氮化物外延层中间的插入层，该插入层包括氮镓铝层和/或氮镓铟层。本实用新型通过设置插入层可以补偿Ⅲ族氮化物外延层中的一部分张应力，有效减少Ⅲ族氮化物外延层的位错和张应力，可以得到高质量的Ⅲ族氮化物外延层。
含有氮镓铝氮镓铟插入半导体器件

[实用新型]含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件-CN201621439525.6有效
发明人：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层的上部的包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层以及设在该缓存层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本实用新型通过设置包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层，有效缓解Ⅲ族氮化物外延层与衬底之间的晶格失配和热失配，而且因为在缓冲层中层叠设置氮镓铟层，使缓冲层中生长的氮镓铝层处于压应变状态，抑制了氮镓铝层随着厚度增加产生的较多的位错缺陷和较大的内应力，进而可以得到高质量的Ⅲ族氮化物外延层。
含有氮镓铝氮镓铟缓存半导体器件

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