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- [发明专利]一种发光二极管及发光装置-CN202310436174.1在审
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杨人龙;张平;林雅雯;黄事旺;张中英
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厦门三安光电有限公司
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2023-04-21
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2023-08-08
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H01L33/38
- 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括半导体叠层、第一电极、第二电极、第一电流阻挡层，半导体叠层包括由下表面到上表面依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极位于第一半导体层上；第一电流阻挡层位于第一半导体层与第一电极之间；从发光二极管的上方朝半导体叠层俯视，第一电流阻挡层具有未与第一电极重叠的第二阻挡区；至少部分第二阻挡区设置于靠近第二电极一侧的第一电极局部边缘以外。本发明提供的发光二极管通过在第一电极位置对第一电流阻挡层进行设计，从而有效改善电场强度分布不均和电流聚集现象，提升发光二极管的光萃取能力和抗ESD冲击能力。
- 一种发光二极管发光装置
- [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310427089.9在审
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杨人龙;张平;林雅雯;黄事旺;张中英
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厦门三安光电有限公司
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2023-04-20
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2023-08-08
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H01L33/38
- 本发明涉及一种发光二极管，包括：半导体叠层、电流阻挡层、透明导电层、第一电极和第二电极。半导体叠层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，电流阻挡层位于第二半导体层之上，包括至少一条状部，透明导电层位于电流阻挡层之上，第一电极位于第一半导体层之上，第二电极位于透明导电层之上，包括一第二电极垫与至少一第二电极延伸部，第二电极延伸部位于条状部之上。从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视，同一条状部具有第一侧边和第二侧边，第一侧边到对应的第二电极延伸部的同向侧边具有第一距离，第二侧边到对应的第二电极延伸部的同向侧边具有第二距离，至少部分同一条状部的第一距离大于第二距离。借此提升芯片的发光效率和可靠性。
- 发光二极管发光装置
- [发明专利]半导体发光元件及发光装置-CN202310307788.X在审
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蓝永凌;卓佳利;蔡吉明;张中英;李志明
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厦门三安光电有限公司
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2023-03-27
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2023-08-08
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H01L33/14
- 本发明提供一种半导体发光元件及发光装置，该发光元件的外延结构至少包括由下至上叠置的第一半导体层结构、超晶格结构层、有源层以及第二半导体层结构，有源层为多重量子阱结构，第二半导体层结构为P型掺杂层，P型掺杂物扩散至所述有源层及所述超晶格结构层，P型掺杂物在有源层中形成一骤降区及一缓降，并且P型掺杂物在有源层及超晶格结构层中的扩散深度不大于500nm。Mg原子扩散浓度的最大值出现在距离有源层表面20nm～35nm的范围内。通过控制Mg原子的扩散深度以及扩散浓度的变化，可以有效降低Mg原子对MQW的影响，提高MQW的质量，进而提高有源层中电子空穴的复合效率，提高外延层的内部量子效率，实现发光二极管的高发光效率。
- 半导体发光元件装置
- [发明专利]发光二极管-CN202310497867.1在审
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朱秀山;李燕;刘兆锦
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厦门三安光电有限公司
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2021-12-01
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2023-08-01
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H01L33/46
- 本申请提供一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；透明导电层，其位于所述第二半导体层上；绝缘反射层，其位于所述透明导电层上，所述绝缘反射层包括多个第一开口部；第一绝缘层，其覆盖所述绝缘反射层，所述第一绝缘层包括多个第二开口部以露出所述透明导电层的部分表面；以及金属层，其位于所述第一绝缘层上并且通过所述第二开口部电连接至第一半导体层；第一焊盘电极，位于所述第二半导体层之上，与第一半导体层电连接；第二焊盘电极，位于所述第二半导体层之上，与第二半导体层电连接。
- 发光二极管
- [发明专利]一种LED芯片-CN202310579771.X在审
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杨人龙;张丽明;郑逸;张中英;邓有财
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厦门三安光电有限公司
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2021-07-29
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2023-07-21
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H01L33/38
- 本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。
- 一种led芯片
- [发明专利]半导体发光元件及发光装置-CN202310601631.8在审
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颜同伟;黄少华;张中英;周启伦;曾建尧
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厦门三安光电有限公司
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2023-05-25
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2023-07-14
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H01L33/12
- 本发明提供半导体发光元件及发光装置，半导体发光元件包括半导体叠层，半导体叠层包括未掺杂铝镓氮层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，未掺杂铝镓氮层和N型半导体层中具有多层AlGaN层，且各层AlGaN中的Al含量及Al含量的变化趋势不同，各层的厚度也不同。通过上述结构搭配能够得到低位错密度的半导体叠层，从而提高半导体发光元件的出光效率；另外，半导体发光元件还包括AlNO缓冲层，AlNO缓冲层与半导体叠层的搭配，以及多层AlGaN层的搭配，能够减小半导体发光元件间的晶格失配，以及因热形变差产生的应力，改善外延片的翘曲问题，从而改善外延片的裂纹，从而保证芯粒的使用效果。
- 半导体发光元件装置
- [发明专利]一种LED芯片-CN202310579709.0在审
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杨人龙;张丽明;郑逸;张中英;邓有财
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厦门三安光电有限公司
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2021-07-29
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2023-07-07
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H01L33/38
- 本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。
- 一种led芯片
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