专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种相变可控的全无机钙钛矿薄膜制备方法及器件应用-CN201811532568.2有效
  • 徐伟龙;蔡小红;陈海悦;郑敏;肖进;赵宇;卞维柏 - 常州工学院
  • 2018-12-14 - 2021-08-24 - C23C16/30
  • 本发明属于光电功能材料技术领域,尤其涉及一种相变可控的全无机钙钛矿薄膜制备方法及器件应用。所述方法包括:(1)将先驱物溴化铅和溴化铯分别置于气相沉积装置内,将衬底置于沉积区,并对整个装置抽真空;(2)向气相沉积装置内通入惰性气体;(3)设定沉积温度和沉积时间,沉积温度选自500‑800℃,不同沉积温度下,钙钛矿薄膜的成分和晶型不同。本发明采用化学气相沉积方法,工艺条件简单,易于精确控制,适合产业化生产,同时薄膜均匀性好,与衬底材料附着性,覆盖性好,制备的光电薄膜,具有广阔的应用前景。本发明通过改变沉积温度,实现钙钛矿相从CsPb2Br5到CsPbBr3可控生长。基于本发明得到的钙钛矿薄膜制备的光电探测器,表现出良好的光电响应和开关特性。
  • 一种相变可控无机钙钛矿薄膜制备方法器件应用

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