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[发明专利]氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法-CN202310588044.X在审
发明人：吕元杰;梁士雄;郝晓林;宋洁晶;胡泽先;刘飞飞;刘京亮;徐森锋;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法。该氮化镓限幅器包括：三级限幅电路，三级限幅电路按照氮化镓限幅器的主传输线的信号传输方向依次接入主传输线；第一级限幅电路中包括2N个氮化镓PIN二极管；任意N个氮化镓PIN二极管串联，构成两个氮化镓PIN二极管串，第一氮化镓PIN二极管串的阳极端连接主传输线，阴极端接地，第二氮化镓PIN二极管串的阴极端连接主传输线，阳极端接地；第二级限幅电路中包括四个氮化镓肖特基二极管；第三级限幅电路中包括两个氮化镓肖特基二极管。本发明能够提升整个氮化镓限幅器的功率容量和击穿电压。
氮化限幅器制备方法

[发明专利]氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器-CN202310587065.X在审
发明人：吕元杰;梁士雄;郝晓林;宋洁晶;胡泽先;刘飞飞;刘京亮;徐森锋;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器。该方法包括：在N‑GaN层外延生长后在第一预设位置上刻蚀得到PIN二极管台面；在N‑GaN层上暴露区域的第二预设位置进行刻蚀，在N+GaN层上得到肖特基二极管台面；在N+GaN层上暴露区域的第三预设位置刻蚀进行台面隔离；在N+GaN层的暴露区域上制备欧姆接触；在N+GaN层和P+GaN层上的暴露区域，以及N+GaN层和N‑GaN层上的暴露区域制作电极，得到氮化镓限幅器。本发明能够通过刻蚀方式可以快速得到氮化镓限幅器，污染少，制备得到的氮化镓限幅器功率容量大、击穿电压高且性能好。
氮化限幅器制备方法

[发明专利]谐振器及滤波器-CN201910328545.8有效
发明人：李亮;李宏军;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;钱丽勋;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环；其中，环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上；通过设置环及腔体，使谐振器形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能。
谐振器滤波器

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349131.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及相关器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面生长保护层；在保护层的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活第一离子；在保护层的正面的第二预设区域进行第二离子注入，第二预设区域与第一预设区域不重合；在保护层的正面键合临时载片，去除氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在氮化镓外延层的背面键合金刚石，并去除临时载片，露出保护层的正面；在保护层的正面的第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石的良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]声学谐振器和滤波器-CN201910328566.X有效
发明人：李亮;钱丽勋;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
声学谐振器滤波器

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349124.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第二预设区域与所述第一预设区域不重合；在所述氮化镓外延片的正面键合临时载片，去除所述氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在所述氮化镓外延层的背面生长金刚石，并去除所述临时载片；在所述氮化镓外延层的正面的所述第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法-CN201910328580.X有效
发明人：李亮;李丽;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;钱丽勋;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括晶种层、下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种具有晶种层的新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
具有晶种层谐振器滤波器制备方法

[发明专利]放大器芯片-CN202010504537.7有效
发明人：赵瑞华;卜爱民;由利人;王磊;白锐;宋学峰;徐达;李丰;汤晓东;周瑞;胡松祥;马伟宾;郝俊祥;王亚君;杨旭达 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种放大器芯片，该放大器芯片包括：堆叠集成的第一芯片和多层PCB基板；所述第一芯片上印制有放大器电路，所述多层PCB基板的各个偶数层基板上印制有子滤波电路，各个偶数层基板上印制的子滤波电路串联构成滤波电路；所述放大器电路的输入端为所述放大器芯片的输入端，所述放大器电路的输出端连接所述滤波电路的输入端，所述滤波电路的输出端为所述放大器芯片的输出端。本发明提供的放大器芯片拥有更好的集成度，能够在集成层数较多时保持原有的集成效果。
放大器芯片

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310284696.4在审
发明人：吕元杰;王元刚;刘宏宇;秦哲;李保弟;孙保瑞;周国;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；去除第二N‑型氧化镓漂移层；在去除了第二N‑型氧化镓漂移层的N+型氧化镓衬底的下表面制备阴极电极，在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面制备阳极电极，得到肖特基二极管。本发明能够在无需氧化镓外延工艺的前提下，仅采用N+型氧化镓单晶衬底制备肖特基二极管，进而解决外延氧化镓层会降低二极管器件性能和成品率的问题。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310286583.8在审
发明人：吕元杰;王元刚;刘宏宇;秦哲;李保弟;孙保瑞;周国;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管制备方法和肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对目标N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在目标N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在目标N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面和第二N‑型氧化镓漂移层的下表面制备阳极电极；对目标N+型氧化镓衬底进行裁切，得到第一N+型氧化镓衬底和第二N+型氧化镓衬底；在第一N+型氧化镓衬底的下表面和第二N+型氧化镓衬底的上表面制备阴极电极，得到两个肖特基二极管。本发明能够有效解决外延氧化镓层导致的二极管器件性能差、成品率低和生产成本高等问题。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]氮化镓双向TVS器件及制备方法-CN202310004376.9在审
发明人： 卜爱民;宋旭波;吕元杰;冯志红;梁士雄;王元刚;周幸叶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法，该器件包括：衬底；位于衬底上表面的绝缘氮化镓层；位于绝缘氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；两个台面结构从下向上依次为P‑氮化镓层和P+氮化镓层，且均嵌入设置在钝化层内；两个台面结构各自的下表面间隔预设距离；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台面结构上表面的第二正极；两个正极嵌入设置在钝化层内；且钝化层上与第一正极对应的位置设置有第一电极孔，钝化层上与第二正极对应的位置设置有第二电极孔。本发明通过调节两个台面结构下表面间隔的预设距离，可以调节氮化镓双向TVS器件的击穿电压，从而有利于满足低钳位电压的工作需要。
氮化双向 tvs 器件制备方法

[发明专利]氮化镓双向TVS器件及制备方法-CN202310004368.4在审
发明人：吕元杰;宋旭波;刘京亮;冯志红;顾国栋;梁士雄;卜爱民 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法。该器件包括：衬底；位于衬底上表面的N+氮化镓层；位于N+氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台阶结构上表面的第二正极；第一台面结构、第二台面结构、第一正极和第二正极均嵌入钝化层内，第一台面结构的下表面和第二台面结构的下表面相距预设距离，且第一台面结构和第二台面结构从下到上均由N‑氮化镓层、绝缘氮化镓层、P‑氮化镓层和P+氮化镓层构成；钝化层在对应第一正极的位置开设有第一电极窗口，在对应第二正极的位置开设有第二电极窗口。本发明能够降低氮化镓双向TVS器件的实现难度，并降低热烧毁的风险。
氮化双向 tvs 器件制备方法

[发明专利]微带电路调试方法及调节模块-CN202110350859.5有效
发明人：默江辉;王川宝;马杰;张力江;崔玉兴;高永辉;徐守利;蔡树军;卜爱民 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种微带电路调试方法及调节模块，包括：制作调节模块，调节模块为金属块状物，金属块状物的宽度小于等于待测微波器件波长的四分之一，组装微波测试系统，将一个或多个调节模块放置在微带电路上；调试：借助绝缘夹将调节模块沿微带线延伸方向移动，并实时记录微波测试仪测定的微波器件的功率；阻抗匹配：标记微波器件功率最大时、调节模块对应的位置，在该位置上固定与调节模块的长度和宽度匹配的铜带或铟片；对固定铜带或铟片的微带电路重复调试和阻抗匹配步骤，直至所述微波器件的功率不再变化。本发明提供的微带电路调试方法及调节模块保证了器件测试的稳定性、准确性，保证了微波模块效率的持续提升。
微带电路调试方法调节模块

[发明专利]倍频二极管芯片结构及其制备方法-CN202310004350.4在审
发明人：冯志红;卜爱民;宋旭波;吕元杰;梁士雄;顾国栋;张立森;郝晓林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种倍频二极管芯片结构及其制备方法。该结构包括：衬底；设置在衬底上的N+氮化镓层；沿第一方向，设置在衬底上，分别位于N+氮化镓层两侧的第一、第二阳极焊盘；沿第二方向，设置在衬底上，分别位于N+氮化镓层两侧的共阴极焊盘；沿第二方向，设置在N+氮化镓层上，且分别位于N+氮化镓层两侧的阴极金属，阴极金属通过阴极空气桥与共阴极焊盘对应连接；沿第一方向，设置在N+氮化镓层上的第一N‑氮化镓层和第二N‑氮化镓层；分别设置在第一、第二N‑氮化镓层上的第一、第二阳极金属；第一、第二阳极金属分别通过第一、第二阳极空气桥与第一、第二阳极焊盘对应连接。本发明能够降低寄生电阻，提升倍频器的转换效率。
倍频二极管芯片结构及其制备方法

[发明专利]体声波谐振器、其制作方法和半导体器件-CN201910329139.3有效
发明人：李亮;钱丽勋;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器、其制作方法和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；所述下电极层或所述上电极层的内部设有凹槽，所述凹槽内部填充有与对应电极层的电极材料不同的填充材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，在所述下电极层或所述上电极层的内部设置凹槽，凹槽内部填充与对应电极层的电极材料不同的填充材料，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
声波谐振器制作方法半导体器件

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