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[发明专利]叉指型变容二极管及其制备方法-CN202310954490.8在审
发明人：付兴中;侯钧杰;周国;宋洁晶;李保第;戴峰;胡泽先;刘亚亮;张力江;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明提供一种叉指型变容二极管及其制备方法，其中，制备方法包括在P型欧姆接触层上的第一预设区域制备第一叉指P型欧姆接触电极；对设有第一叉指P型欧姆接触电极的P型欧姆接触层进行刻蚀，使得刻蚀后得到的刻蚀台面的侧壁与N型欧姆接触层之间有一夹角；在N型欧姆接触层上的第二预设区域和第三预设区域分别制备第二叉指N型欧姆接触电极和第三叉指N型欧姆接触电极；对设有第二叉指N型欧姆接触电极、第三叉指N型欧姆接触电极和第一叉指P型欧姆接触电极的N型欧姆接触层进行刻蚀，直至露出半绝缘衬底；然后半绝缘衬底上生长金属层，以形成叉指型变容二极管。本发明制备的变容二极管具有较小的电容和电阻。
叉指型变容二极管及其制备方法

[发明专利]氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法-CN202310588044.X在审
发明人：吕元杰;梁士雄;郝晓林;宋洁晶;胡泽先;刘飞飞;刘京亮;徐森锋;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法。该氮化镓限幅器包括：三级限幅电路，三级限幅电路按照氮化镓限幅器的主传输线的信号传输方向依次接入主传输线；第一级限幅电路中包括2N个氮化镓PIN二极管；任意N个氮化镓PIN二极管串联，构成两个氮化镓PIN二极管串，第一氮化镓PIN二极管串的阳极端连接主传输线，阴极端接地，第二氮化镓PIN二极管串的阴极端连接主传输线，阳极端接地；第二级限幅电路中包括四个氮化镓肖特基二极管；第三级限幅电路中包括两个氮化镓肖特基二极管。本发明能够提升整个氮化镓限幅器的功率容量和击穿电压。
氮化限幅器制备方法

[发明专利]氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器-CN202310587065.X在审
发明人：吕元杰;梁士雄;郝晓林;宋洁晶;胡泽先;刘飞飞;刘京亮;徐森锋;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器。该方法包括：在N‑GaN层外延生长后在第一预设位置上刻蚀得到PIN二极管台面；在N‑GaN层上暴露区域的第二预设位置进行刻蚀，在N+GaN层上得到肖特基二极管台面；在N+GaN层上暴露区域的第三预设位置刻蚀进行台面隔离；在N+GaN层的暴露区域上制备欧姆接触；在N+GaN层和P+GaN层上的暴露区域，以及N+GaN层和N‑GaN层上的暴露区域制作电极，得到氮化镓限幅器。本发明能够通过刻蚀方式可以快速得到氮化镓限幅器，污染少，制备得到的氮化镓限幅器功率容量大、击穿电压高且性能好。
氮化限幅器制备方法

[发明专利]一种半导体器件的隔离制备方法-CN202111575095.6在审
发明人：刘佳佳;胡泽先;谭永亮;吕鑫;马杰;刘相伍 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的隔离制备方法。该方法包括：在衬底表面依次生长高阻外延层、介质膜层；对介质膜层的与有源区对应的部分进行刻蚀，露出高阻外延层；对露出的高阻外延层进行指定深度的刻蚀；在高阻外延层的刻蚀区域外延生长器件层。本发明能够通过设置高阻外延层，在高阻外延层刻蚀凹槽，在凹槽内生长器件层，高阻外延层保护器件层的侧面，减少了侧面漏电。
一种半导体器件隔离制备方法

[发明专利]一种GaN HEMT器件及制备方法-CN202111004565.3在审
发明人：廖龙忠;谭永亮;高渊;胡泽先;付兴中;张力江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN HEMT器件及制备方法，属于半导体器件制备技术领域，GaN HEMT器件包括基底、欧姆电极、二氧化硅介质层、氮化硅介质层和栅金属层，制备方法包括在基底上制作欧姆电极‑依次形成二氧化硅介质层和氮化硅介质层‑对氮化硅介质层和二氧化硅介质层进行刻蚀‑在基底中部形成刻蚀槽‑在刻蚀槽内及与氮化硅介质层相邻的区域上形成栅金属层，解决了GaN HEMT器件栅寄生电容大，增益下降，高频特性变差的技术问题，使用二氧化硅和氮化硅复合介质代替氮化硅介质，减小介电常数，制作出复合介质的T型栅，减小器件栅寄生电容，实现低寄生、高增益的GaN HEMT器件，提高高频特性。
一种 gan hemt 器件制备方法

[发明专利]碳化硅高温退火表面保护的制作方法及碳化硅功率器件-CN201811391524.2有效
发明人：李波;胡泽先;刘亚亮;秦龙;张力江 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅高温退火表面保护的制作方法及碳化硅功率器件，属于半导体器件制备技术领域，包括：在碳化硅圆片表面沉积二氧化硅介质作为离子注入的散射层；在二氧化硅介质表面涂覆光刻胶，并对注入区域进行曝光、显影，露出二氧化硅介质；对碳化硅圆片进行离子注入；去除光刻胶；去除二氧化硅介质；在碳化硅圆片表面沉积类金刚石薄膜为高温退火的保护层；对圆片进行高温退火；去除类金刚石薄膜。本发明提供的碳化硅高温退火表面保护的制作方法，通过沉积类金刚石薄膜对碳化硅进行表面保护，类金刚石薄膜能够作为阻挡层抑制表面处Si的升华和再沉积过程，从而避免退火表面过于粗糙，有效改善芯片表面形貌，提升器件性能和可靠性。
碳化硅高温退火表面保护制作方法功率器件

[发明专利]GaN基器件欧姆接触电极的制备方法-CN201810166841.8有效
发明人：谭永亮;吕鑫;赵红刚;胡泽先;崔玉兴;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，该方法包括以下步骤：在器件的上表面生长第一介质层；在所述第一介质层与欧姆接触电极区对应的区域和所述器件的所述欧姆接触电极区注入硅离子和/或铟离子；在所述第一介质层的上表面生长第二介质层；通过高温退火工艺激活所述硅离子和/或所述铟离子，形成N型重掺杂；分别去除所述第一介质层和所述第二介质层与所述欧姆接触电极区对应的部分；在所述器件的所述欧姆接触电极区的上表面生长金属层，形成欧姆接触电极。本发明制备的欧姆接触电极能够保证金属层表面平整、边缘光滑整齐，器件击穿电压稳定、可靠性和寿命长。
gan 器件欧姆接触电极制备方法

[发明专利]一种碳化硅器件的离子注入方法-CN201811391500.7有效
发明人：秦龙;宋洁晶;胡泽先;高渊;高昶;孙虎;赵红刚;吕鑫;朱延超;高三磊;王强栋;吕树海;刘相伍 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，并在所述离子注入区域注入离子；去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片。根据不同的离子注入能量和不同的离子注入剂量，选择不同的注入温度，多次注入后形成均匀的注入结构，减少离子注入损伤，提高注入杂质的激活率。
一种碳化硅器件离子注入方法

[发明专利]集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构-CN202010870968.5在审
发明人：廖龙忠;谭永亮;高渊;胡泽先;付兴中;张力江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构，该方法包括：通过在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层，刻蚀BCB层，露出接地孔压点和信号连接压点；在刻蚀BCB层后的圆片上表面制备电镀层；在电镀层上淀积保护层，并刻蚀掉锡球凸点位置对应的保护层区域内的保护介质；在锡球凸点位置上制备UBM层，并在UBM层上制备锡球，从而可以达到将接地孔压点和信号连接压点从芯片表面引出的目的，并制备凸点锡球，从而满足倒装焊技术使用要求，与传统GaAs芯片接地孔布局形式相比，本实施例从上表面引出接地孔的方式更加灵活、使用性更强，从而可以在高密度电子封装领域上得以应用。
集成电路接地信号连接引出制备方法结构

[实用新型]GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件-CN201820287073.7有效
发明人：崔玉兴;谭永亮;樊帆;毕胜赢;胡泽先;张力江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件欧姆接触电极，所述GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别设有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层从下至上依次包括Ti金属层、Al金属层、Ta金属层、Mo金属层和Au金属层；所述欧姆接触金属层与所述势垒层形成欧姆接触；所述GaN晶圆从下至上依次包括衬底、GaN外延层和势垒层。本实用新型能够使欧姆接触金属层在高温退火工艺后金属表面平整、边缘光滑整齐，从而提高器件的稳定性和可靠性。
欧姆接触金属层金属层势垒层欧姆接触电极本实用新型晶圆半导体技术领域边缘光滑高温退火金属表面欧姆接触漏电极上表面源电极衬底平整整齐

[发明专利]GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件-CN201810168886.9在审
发明人：崔玉兴;谭永亮;樊帆;毕胜赢;胡泽先;张力江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件，该方法包括：在GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别形成欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层从下至上依次包括Ti金属层、Al金属层、Ta金属层、Mo金属层和Au金属层；所述GaN晶圆从下至上依次包括衬底、GaN外延层和势垒层；将形成所述欧姆接触金属层后的所述GaN晶圆进行快速热退火处理，形成欧姆接触电极。本发明能够使欧姆接触金属层在高温退火工艺后金属表面平整、边缘光滑整齐，从而提高器件的稳定性和可靠性。
欧姆接触金属层金属层欧姆接触电极晶圆电极势垒层半导体技术领域快速热退火边缘光滑高温退火金属表面漏电极上表面源电极衬底制作平整整齐

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