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[发明专利]用于将管芯接合在封装基板上方的具有可控间距的夹具-CN201110404594.9有效
发明人：萧义理;余振华;刘重希;黄见翎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种器件包括：下夹具和上夹具，其中下夹具和上夹具被配置成用于固定封装基板。下夹具包括第一基底材料和附接至该第一基底材料的第一多个部件。第一多个部件被设置成邻近所述下夹具的外围。上夹具包括第二基底材料和附接至第二基底材料的第二多个部件。第二多个部件被设置成邻近上夹具的外围。第一多个部件被配置成通过磁力吸附至第二多个部件。本发明还提供了一种用于将管芯接合在封装基板上方的具有可控间距的夹具。
用于管芯接合封装上方具有可控间距夹具

[发明专利]用于多芯片器件的热增强结构-CN201210187435.2有效
发明人： 余振华;董志航;邵栋梁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种多芯片半导体器件，该器件包括热增强结构、第一半导体芯片、第二半导体芯片、形成在第一半导体芯片和第二半导体芯片上的顶部上的封装材料层。该多芯片半导体器件进一步包括形成在封装层中的多个热通孔。该热增强结构包括与第一半导体管芯相接合的散热器模块。该散热器模块可以进一步包括多种热通孔和热开口。通过使用热增强结构，改进了多芯片半导体器件的热性能。本发明还提供了一种用于多芯片器件的热增强结构。
用于芯片器件增强结构

[发明专利]用于凸块对接合迹线比的结构和方法-CN201210238922.7有效
发明人： 余振华;郭庭豪;陈承先;李明机;吴胜郁;林彦良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路。集成电路包括形成在衬底上的互连结构；形成在互连结构上并且与互连结构连接的接合金属迹线，其中接合金属迹线包括以第一方向限定的第一宽度T；以及形成在接合金属迹线上并且与接合金属迹线对准的金属凸块柱，其中金属凸块柱包括以第一方向限定的第二宽度U，并且第二宽度U大于第一宽度T。本发明还提供用于凸块对接合迹线比的结构和方法。
用于接合结构方法

[发明专利]多芯片晶圆级封装的方法-CN201210010835.6有效
发明人：董志航;余俊辉;余振华;史达元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开一种多芯片晶圆级封装的方法，该方法包括：使用多个感光材料层形成重配置晶圆。在感光材料层中嵌入多个半导体芯片和晶圆。而且，在感光材料层中形成多种组件通孔。嵌入感光材料层中的每个半导体芯片均通过由组件通孔形成的连接路径连接至输入/输出焊盘。
芯片晶圆级封装方法

[发明专利]自对准导电凸块结构及其制造方法-CN201210047895.5有效
发明人：黄震麟;陈依婷;施应庆;蔡柏豪;卢思维;林俊成;郑心圃;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本披露涉及半导体器件的导电凸块结构。用于半导体器件的典型结构包括基板，其包括主表面和在基板的主表面之上分布的导电凸块。导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体，并且导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。
对准导电结构及其制造方法

[发明专利]光敏化合物梯度光刻胶-CN201210171596.2有效
发明人： 余振华;刘重希;郭宏瑞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供了用于在半导体衬底的上方形成光刻胶的系统和方法。一个实施例包括具有浓度梯度的光刻胶。可通过使用一系列干膜光刻胶来形成浓度梯度，其中，每个独立的干膜光刻胶均具有不同浓度。各个干膜光刻胶可以独立形成，然后在图样化之前被放置到半导体衬底上。一旦被图样化，穿过光刻胶的开口可具有楔形侧壁，从而允许晶种层更好的覆盖和更均匀的工艺来形成穿过光刻胶的导电材料。
光敏化合物梯度光刻

[发明专利]大落差减震降噪缓冲装置-CN201210409538.9有效
发明人：李鹏举;张双燕;刘宏;石海明;马丽娜;张汉峰;余振华;石绍辉 -专利权人：煤炭工业济南设计研究院有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： B65G11/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于煤矿和选煤厂的非标设备，特别涉及一种大落差减震降噪缓冲装置。该大落差减震降噪缓冲装置，包括依次连接的上溜槽段、中溜槽段和下溜槽段，其特征是：所述上溜槽段设置有缓冲箱，中溜槽段底部设置有若干缓冲结构，下溜槽段末端悬挂有若干环锤。本发明的有益效果是：对装置本身及后续设备的冲击力大大减弱，提高了装置及后续设备的使用寿命，大大降低了设备的维护，节约了材料费和维修费，降低了职工劳动强度，提高了系统稳定性，同时也改善了职工劳动环境。
落差减震缓冲装置

[发明专利]晶种层数量减少的晶圆级芯片规模封装结构的形成-CN201110397936.9有效
发明人：吕文雄;郑明达;林志伟;吴逸文;林修任;刘重希;李明机;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法，包括在金属焊盘上方形成钝化层，该金属焊盘置于半导体衬底上方。在钝化层中形成第一开口，金属焊盘的一部分通过该第一开口暴露出来。晶种层形成在钝化层上方并且与金属焊盘电连接。该晶种层进一步包括位于钝化层上方的一部分。在晶种层上方形成第一掩模，其中，第一掩模具有位于金属焊盘的至少一个部分正上方的第二开口。PPI形成在晶种层上方和第二开口中。第二掩模形成在第一掩模上方，在该第二掩模中形成了第三开口。金属凸块的一部分形成在该第三开口中。在形成金属凸块的部分的步骤之后，去除第一掩模和第二掩模。本发明还提供了一种晶种层数量减少的晶圆级芯片规模封装结构的形成。
晶种层数量减少晶圆级芯片规模封装结构形成

[发明专利]用于去除底切的UMB蚀刻方法-CN201110340122.1有效
发明人：雷弋易;郭宏瑞;刘重希;李明机;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种方法，包括形成衬底上方的凸块下金属(UBM)层以及形成UBM层上方的掩模。该掩模覆盖UBM层的第一部分，而UBM层的第二部分通过掩模中的开口暴露。在开口中和UBM层的第二部分上形成了金属凸块。然后，去除掩模。执行激光去除来去除UBM层的第一部分的部分并且形成UBM。本发明还公开了一种用于去除底切的UMB蚀刻方法。
用于去除 umb 蚀刻方法

[发明专利]一种烟用三元复合滤棒及其在制备卷烟烟支中的应用-CN201210388768.1无效
发明人：丁海燕;詹建波;李赓;余耀;余振华 -专利权人：红云红河烟草（集团）有限责任公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： A24D3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种烟用三元复合滤棒及其在卷烟烟支制备中的应用。它由醋酸纤维滤棒段、胶囊、外包裹层和内包裹层组成，所述醋酸纤维滤棒段由所述内包裹层包裹，且在所述的两节醋酸纤维滤棒段中间留有空隙内并嵌入所述胶囊，形成醋酸纤维胶囊三元复合单元；所述醋酸纤维三元复合单元通过外包裹层包裹形成圆棒状体。本发明不仅能够有效截留烟气中的有害成分，而且还能向主流烟气中补充大量的致香成分和保润成分，达到增加无害香气和增加烟气舒适程度的目的。本发明结构简单、制作方便，具有推广应用价值。
一种三元复合及其制备卷烟中的应用

[发明专利]互连势垒结构和方法-CN201210124448.5有效
发明人： 余振华;邱文智;吴仓聚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供了一种形成衬底通孔的系统和方法。实施例包括：在衬底中形成开口，以及通过第一势垒层内衬开口。利用导电材料填充开口，将第二势垒层形成为与导电材料相接触。利用与形成第二势垒层不同的材料和不同的形成方法形成第一势垒层，使得可以调整材料和方法，从而将器件内的有效性最大化。本发明还提供了一种互连势垒结构和方法。
互连结构方法

[发明专利]用于晶圆级封装的互连结构-CN201210035759.4有效
发明人： 余振华;林俊成;刘乃玮;洪瑞斌;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：封装件包括具有衬底的器件管芯。模塑料接触该衬底的侧壁。金属焊盘位于该衬底上方。钝化层具有覆盖该金属焊盘的边部的部分。金属柱位于金属焊盘上方，并接触该金属焊盘。介电层位于钝化层上方。由模塑料或聚合物形成的封装材料位于该介电层上方。介电层包括在钝化层和封装材料之间的底部，和在金属柱的侧壁和封装材料的侧壁之间的侧壁部。聚合物层位于封装材料、模塑料和金属柱的上方。钝化后互连件(PPI)延伸至聚合物层内。焊球位于PPI上方，并通过PPI电连接至金属焊盘。本发明还提供用于晶圆级封装的互连结构。
用于晶圆级封装互连结构

[发明专利]具有厚聚合物层的焊球保护结构-CN201210078611.9有效
发明人： 余振华;许呈锵;蔡豪益;李建勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：集成电路结构包括衬底和位于衬底上方的金属焊盘。钝化后互连(PPI)线连接至金属焊盘，其中，PPI线至少包括位于金属焊盘上方的部分。PPI焊盘连接至PPI线。聚合物层位于PPI线和PPI焊盘上方，其中，聚合物层具有大于约30μm的厚度。凸块下金属化层(UBM)延伸到聚合物层中的开口中并连接至PPI焊盘。本发明还提供了一种具有厚聚合物层的焊球保护结构。
具有聚合物保护结构

[发明专利]硅通孔结构和方法-CN201110446671.7有效
发明人： 余振华;郑心圃;邱文智;蔡方文;蔡承佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及硅通孔结构和方法，公开了用于制造硅通孔的系统和方法。一个实施例包括：形成具有从衬底突出的衬里的硅通孔。钝化层形成在衬底和硅通孔的上方，并且钝化层和衬里从硅通孔的侧壁开始凹陷。然后，导电材料可以形成为与硅通孔的侧壁和顶面接触。
硅通孔结构方法

[发明专利]封装结构和方法-CN201210159351.8有效
发明人： 余振华;郑心圃;侯上勇;许国经;谢政杰;施应庆;蔡柏豪;黄震麟;林俊成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种封装元件其中没有有源器件。该封装元件包括：基板；通孔，位于基板中；顶部介电层，位于基板上方；以及金属柱，具有位于顶部介电层的顶面上方的顶面。该金属柱电连接到通孔。扩散势垒层位于该金属柱顶面上方。焊帽设置在该扩散势垒层上方。本发明还提供了封装结构和方法。
封装结构方法