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[实用新型]金属联机结构-CN200420066219.3无效
发明人： 余振华;施足;刘重希;郑双铭;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种利用含硅－碳薄膜作为介电层的中间层的钨－铜内联机结构。在具有导电区的半导体基底上，先覆盖一绝缘层。该绝缘层上具有开口以露出该导电区。以钨插塞填充该介层洞以电性连结该导电区。该绝缘层与钨插塞上覆盖含硅－碳薄膜以及低介电常数介电层，其上有沟槽露出其下的钨插塞，而沟槽中则填充铜或铜合金层形成导线。
金属联机结构

[实用新型]内联机结构-CN200420066216.X无效
发明人： 余振华;曾鸿辉;章勋明;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本实用新型一种内联机结构，是在介电层中形成一开口，再以原子层沉积法(ALD)在开口侧壁与底部上形成扩散阻障层与低阻值金属层作为复合式扩散阻障层，以阻隔后续形成的铜导线扩散并增进其附着力。较佳的复合式扩散阻障层为以原子层沉积法形成的双层式TiN、双层式TaN、三层式Ta/TaN/富Ta的TaN复合层或三层式Ta/TaN/Ta复合层。
联机结构

[发明专利]铜内连线的制作方法-CN200410069307.3有效
发明人： 余振华;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种铜内连线的制作方法。首先，提供一半导体基底。接着，形成一介电层于上述半导体基底表面。接着，形成一开口于上述介电层内。然后，填充一含铜材质于上述开口内。接着，形成一硅层于上述含铜材质表面。最后，使上述硅层与上述含铜材质相互反应，以形成一铜化硅层覆盖于上述含铜材质表面。
连线制作方法

[发明专利]半导体组件及其制作方法-CN200410080824.0有效
发明人： 余振华;曾鸿辉;胡正明;王昭雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-10-09 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明是揭示一种半导体组件及其制作方法。其利用一高温超导(High Temperature Surperconductor，HTS)层与一典型的扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜(或其它金属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元素，而该稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形成其它半导体电路或组件，可于沉积一介电覆盖层前，沉积一高温超导材料覆盖层于导线上。本发明亦揭示将高温超导体填充于极微小的孔隙或沟槽内以形成联机。
半导体组件及其制作方法

[发明专利]在基底上制作集成电路及形成均匀铜内联机的方法-CN200410080009.4有效
发明人： 余振华;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种在基底上制作集成电路及形成均匀铜内联机的方法，首先，依序沉积介电层、导电层及光阻层于基底上，并利用导电层(EC层)作为硬掩膜层，经由光阻层的开口蚀穿介电层。接着，于导电层上及开口内沉积扩散阻障层和铜晶种层，并利用第一次化学机械研磨将导电层上的铜晶种层移除。利用导电层(EC层)作为CMP停止层以保护介电层，同时使表面更加均匀。在开口内的晶种层上选择性沉积铜金属层，且进行第二化学机械研磨使铜金属层与介电层共平面，并将导电层移除。如此一来，即可使铜内联机层具有更加均匀的厚度及表面以改善性能。
基底制作集成电路形成均匀联机方法

[发明专利]金属联机结构及其制造方法-CN200410049682.1无效
发明人： 余振华;施足;刘重希;郑双铭;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种利用含硅－碳薄膜作为介电层的中间层的钨－铜内联机结构。在具有导电区的半导体基底上，先覆盖一绝缘层。该绝缘层上具有开口以露出该导电区。以钨插塞填充该介层洞以电性连结该导电区。该绝缘层与钨插塞上覆盖含硅－碳薄膜以及低介电常数介电层，其上有沟槽露出其下的钨插塞，而沟槽中则填充铜或铜合金层形成导线。
金属联机结构及其制造方法

[发明专利]内联机结构及其制造方法-CN200410049684.0无效
发明人： 余振华;曾鸿辉;章勋明;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种内联机结构，是在介电层中形成一开口，再以原子层沉积法(ALD)在开口侧壁与底部上形成扩散阻障层与低阻值金属层作为复合式扩散阻障层，以阻隔后续形成的铜导线扩散并增进其附着力。较佳的复合式扩散阻障层为以原子层沉积法形成的双层式TiN、双层式TaN、三层式Ta/TaN/富Ta的TaN复合层或三层式Ta/TaN/Ta复合层。
联机结构及其制造方法

[发明专利]一种复配扑·仲丁乳油除草组合剂及工艺-CN02107234.5无效
发明人： 余振华;张海华 -专利权人：江西盾牌化工有限责任公司
申请日： 2002-03-12 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： A01N43/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种复配扑·仲丁乳油除草组合剂及工艺，其特征是所述复配扑·仲丁乳油除草组合剂各成份及重量百分比为：扑草净6％-16％，仲丁灵17％-27％，助溶剂15％-30％，溶剂二甲苯35％-45％，农乳8203型2％-12％。所述助溶剂为环己酮。所述工艺为：把扑草净，环己酮，仲丁灵，溶剂二甲苯，农乳8203型各成份按比例、按先后次序置于反应釜加热温度到50℃-60℃，搅拌1-3个小时。
一种复配扑乳油除草组合工艺

[发明专利]铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法-CN02120268.0有效
发明人：李显铭;潘兴强;刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-05-17 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法，利用改变物理气相沉积法或化学气相沉积法中的含氮反应气体流量，使所沉积的氮化钽薄膜中所含有的氮原子浓度由底面向表面递减，而形成表面为钽金属结构的氮化钽阻挡层。应用此铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法，可结合钽金属与氮化钽材料的结构特性，使阻挡层同时具有良好的附着性与阻隔效果，改善一般铜金属内联机的回拉现象。如此一来，可提升铜制作工艺中集成电路多层金属内联机(MultilevelInterconnect)的导电稳定性，而提高其抗电迁移阻抗及产品可靠度。
金属化制作工艺阻值阻挡制造方法

[发明专利]阻绝气体释放及凸出结构产生的双镶嵌方法-CN02105710.9有效
发明人：蔡明兴;林俊成;眭晓林;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-04-12 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：阻绝气体释放及凸出结构产生的双镶嵌方法，包含蚀刻抗反射层、第二低介电常数介电层、第二蚀刻停止层、第一低介电常数介电层以形成一沟渠于上述膜层之中。之后，沉积一阻障层沿着沟渠的表面以及抗反射层之上。定义一光阻图案于阻障层上表面，再使用光阻图案为蚀刻罩幕，将阻障层、抗反射层、第二低介电常数介电层进行蚀刻，直到抵达第二蚀刻停止层为止以形成一开口。之后以干蚀刻去除水平表面上的阻障层，一并去除沟渠底部的第一蚀刻停止层。一阻障层先行沉积于沟渠以及开口的表面，一导电层接着形成在阻障层上和回填于开口和沟渠内。此导电层一部分被化学机械研磨移除以达到平坦化，使得在沟渠的两侧壁面的粗糙面获得改善并消除凸起结构。
阻绝气体释放凸出结构产生镶嵌方法

[发明专利]形成低介电常数介电层的方法及导电内连线结构-CN02105938.1有效
发明人：章勋明;余振华;梁孟松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-04-09 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成低介电常数介电层的方法，包含形成绝缘层于底层之上，然后刻绝缘层以形成开口于其中。之后形成导电层于绝缘层之上并回填于该开口，且平坦化该导电层，以形成导电结构于其中。扩散导电层的金属离子进入该绝缘层用以降低其介电常数，其中上述导电层包含铜材质，上述绝缘层包含环状碳氢聚合物(aromatichydrocarbonpolymer)。
形成介电常数介电层方法导电连线结构

[发明专利]制造铜镶嵌结构的方法-CN02108571.4有效
发明人：章勋明;余振华;梁孟松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-04-02 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体底材上制作铜镶嵌(damascene)结构的方法。首先，形成介电层于半导体底材上。并蚀刻介电层，以形成开口图案于介电层中，而曝露出部份半导体底材。接着，进行氮化程序以便在开口图案的表面形成氮化表层，以防止后续铜原子的扩散效应。然后，进行化学电镀反应以形成铜层于半导体底材上，且填充于开口图案中。再对半导体底材进行化学机械研磨程序，以移除位于介电层上表面的部份铜层，且定义铜镶嵌结构于开口图案中。随后，形成铜金属矽化层于铜镶嵌结构上表面，而防止铜原子发生扩散效应。
制造镶嵌结构方法

[发明专利]半导体基底上的金属垫的结构-CN02105015.5有效
发明人：李资良;郑双铭;陈世昌;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-02-10 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体基底上的金属垫(pad)的结构，适用于一半导体基底上，包括：一第一图案介电层以及一第一金属垫单元。其中，第一图案介电层形成于半导体基底上，且第一金属垫单元设置于第一图案介电层内，用以电性连接半导体基底上的组件。再者，第一金属垫单元的周边形状是多边形且每一内角大于90°，用以在进行化学机械研磨过程(chemicalmechanicalpolishing，CMP)期间，防止应力集中于第一金属垫单元的周边顶角处而造成介电层龟裂的情形，进而提高产品的质量。
半导体基底金属结构

[发明专利]应力释放的图案组合结构-CN02105012.0有效
发明人：李资良;陈世昌;梁明硕;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-02-10 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种应力释放的图案组合结构，包含一密封式环圈结构和一应力释放的图案结构，设置于一半导体基板上；密封式环圈结构包括：一外侧密封式环圈，一内侧密封式环圈，设置于该外侧密封式环圈内部，应力释放的网状图案结构包括：三角形网状图案结构，设置于该外侧密封式环圈四个顶角外围，多边形网状图案结构，设置于该内侧密封式环圈四个顶角内围，网状图案结构为金属条组件区。通过本发明，可有效减少内应力，并有效隔绝水汽和杂质，保护内部芯片。
应力释放图案组合结构

[实用新型]手动超声波铝线焊接机焊头装置-CN01227180.2无效
发明人：梁松;周运秋;唐兴弢;余振华 -专利权人：深圳市友邦超声设备有限公司
申请日： 2001-06-18 - 公布日： 2002-09-04 - 主分类号： B23K20/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种手动超声波铝线焊接机焊头装置,它包括垂直运动滑板及焊头架,特点是垂直运动滑板与焊头架之间设有活动体;活动体由挂板、方向板、电机、活动件组成,电机设在活动件的一端,挂板固定在垂直运动滑板上,方向板与挂板及活动件连接。本实用新型即可使焊头架垂直运动,还可使其水平运动,并且可使其在水平±90°角范围内运动。本实用新型结构简单,操作简便,造价低廉,使用方便。
手动超声波焊接机焊头装置

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