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[发明专利]用于形成封装件的方法以及封装件结构-CN202310528841.9在审
发明人：吴志伟;施应庆;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了一种用于形成封装件的方法包括形成第一封装组件，形成第一封装组件包括形成具有第一顶表面的第一介电层，以及形成第一导电部件。第一导电部件包括嵌入在第一介电层中的通孔，以及具有高于第一介电层的第一顶表面的第二顶表面的金属凸块。该方法还包括分配光敏层，其中光敏层覆盖金属凸块，并且执行光刻工艺以在光敏层中形成凹槽。金属凸块暴露于凹槽，并且光敏层具有高于金属凸块的第三顶表面。第二封装组件接合到第一封装组件，并且焊料区域延伸到凹槽中以将金属凸块接合到第二封装组件中的第二导电部件。根据本申请的其他实施例，还提供了封装件结构。
用于形成封装方法以及结构

[发明专利]集成电路封装件及其形成方法-CN202310543194.9在审
发明人：谢秉颖;王卜;郑礼辉;施应庆;陈宏宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种实施例是一种集成电路封装件，包括封装组件，该封装组件包括集成电路管芯和连接到集成电路管芯的导电连接器，导电连接器设置在封装组件的第一侧处。该集成电路封装件还包括位于封装组件的第二侧上的金属层，第二侧与第一侧相对。该集成电路封装件还包括位于金属层上的热界面材料。该集成电路封装件还包括位于热界面材料上的封盖。该集成电路封装件还包括位于封装组的侧壁上和热界面材料的侧壁上的保持结构。该集成电路封装件还包括连接到导电连接器的封装衬底，封盖粘附到封装衬底。本申请的实施例还公开了形成集成电路封装件的方法。
集成电路封装及其形成方法

[发明专利]集成电路封装件及其形成方法-CN202310391095.3在审
发明人：余振华;吴志伟;施应庆;卢思维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：提供了集成电路封装件及其形成方法。方法包括：在晶圆上方堆叠多个集成电路管芯以形成管芯堆叠件。在所述管芯堆叠件上实施接合工艺。所述接合工艺将所述管芯堆叠件的相邻集成电路管芯彼此机械连接和电连接。在所述晶圆上方形成挡块结构。所述挡块结构环绕所述管芯堆叠件。在所述晶圆上方以及在所述管芯堆叠件和所述挡块结构之间形成第一密封剂。所述第一密封剂填充所述管芯堆叠件的相邻集成电路管芯之间的间隙。在所述晶圆上方形成第二密封剂。所述第二密封剂环绕所述管芯堆叠件、所述第一密封剂和所述挡块结构。
集成电路封装及其形成方法

[实用新型]半导体装置-CN202221848886.1有效
发明人：邱文智;谢秉颖;施应庆;王卜;郑礼辉;廖一寰;陈志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种半导体装置包括衬底、封装结构、热界面材料(TIM)结构及盖结构。封装结构设置于衬底上。TIM结构设置于封装结构上。TIM结构包括金属TIM层及与金属TIM层接触的非金属TIM层，且非金属TIM层环绕金属TIM层。盖结构设置于衬底及TIM结构上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、封装结构及其制备方法-CN202210020914.9在审
发明人：蔡宗甫;施应庆;卢思维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种封装结构包括半导体管芯、第一绝缘包封体、多个第一导电特征、互连结构和凸块结构。半导体管芯包括由第一材料制成的多个导电柱。第一绝缘包封体包封半导体管芯。第一导电特征设置在半导体管芯上并且电连接到导电柱。第一导电特征至少包括不同于第一材料的第二材料。互连结构设置在第一导电特征上，其中互连结构包括由第二材料制成的多个连接结构。凸块结构将第一导电特征电连接到连接结构，其中凸块结构包括不同于第一材料和第二材料的第三材料。
半导体装置封装结构及其制备方法

[发明专利]集成电路的封装件及其形成方法-CN202010397863.2有效
发明人：吴志伟;郭立中;王卜;施应庆;卢思维;叶宫辰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了集成电路的封装件以及形成封装件的方法，方法包括：将第二封装元件接合至第一封装元件，将第三封装元件接合至第一封装元件，将伪管芯附接至第一封装元件，将第二封装元件、第三封装元件和伪管芯包封在密封剂中，并且执行平坦化工艺以使第二封装元件的顶面与密封剂的顶面齐平。在平坦化工艺之后，密封剂的上部与伪管芯重叠。锯切穿过伪管芯以将伪管芯分离为第一伪管芯部分和第二伪管芯部分。密封剂的上部被锯切穿过。
集成电路封装及其形成方法

[发明专利]半导体封装结构、半导体封装结构的形成方法以及半导体组装结构的形成方法-CN201810199539.2有效
发明人：邹贤儒;吴志伟;王卜;施应庆;卢思维;林俊成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体封装结构、半导体封装结构的形成方法以及半导体组装结构的形成方法。一种半导体封装结构包含第一封装结构组件，所述第一封装结构组件包含第一侧、与所述第一侧相对的第二侧及位于所述第一侧上方的多个凹陷拐角。所述半导体封装结构包含置于所述凹陷拐角处的多个第一应力缓冲结构，且各所述第一应力缓冲结构具有弯曲表面。所述半导体封装结构包含连接到所述第一封装结构组件的第二封装结构组件及放置于之间的多个连接件。所述半导体封装结构包含位于所述第一封装结构组件与所述第二封装结构组件之间的底胶材料，且所述第一应力缓冲结构的所述弯曲表面的至少一部分与所述底胶材料接触且嵌入于所述底胶材料中。
半导体封装结构形成方法以及组装

[发明专利]半导体装置封装体及其制造方法-CN202210554142.7在审
发明人：陈又维;郭立中;施应庆;卢思维;林俊成;李隆华;黄冠育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体装置封装体及其制造方法。半导体装置封装体包括一封装体，封装体包括一封装基底、一集成电路芯片、一封胶层、一环形体以及一盖板。集成电路芯片形成于封装基底上方，而封胶层围绕该集成电路芯片，且露出集成电路芯片的一背表面。环形体形成于封装基底上，且围绕该集成电路芯片。盖板经由一热界面材料接合至集成电路芯片的露出的背表面。热界面材料被封胶层所围绕，且热界面材料于封装基底的一投影面积大于集成电路芯片于封装基底的一投影面积。
半导体装置封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装以及其制造方法-CN202110578084.7在审
发明人：陈俊廷;吴志伟;卢思维;蔡宗甫;施应庆;叶庭聿;蔡承轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种半导体封装以及其制造方法。半导体封装包含至少一个半导体管芯、插入件、包封体、保护层以及连接件。插入件具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁。半导体管芯设置在插入件的第一表面上且与插入件电连接。包封体设置在插入件上方且横向地包封至少一个半导体管芯。连接件设置在插入件的第二表面上且通过插入件与至少一个半导体管芯电连接。保护层设置在插入件的第二表面上且环绕连接件。插入件的侧壁包含连接到第二表面的倾斜侧壁，且保护层与插入件的倾斜侧壁接触。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置制造方法-CN201710664688.7有效
发明人：林俊成;施应庆;王卜;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体装置以及半导体装置制造方法。所述半导体装置包含：底部封装，其中在导体与贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积，且所述底部封装包含：模塑料；贯穿通路，其穿透所述模塑料；裸片，其模制在所述模塑料中；和导体，其在所述贯穿通路上。本揭露还揭示一种制造半导体装置的相关联方法。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]集成电路封装件及其形成方法-CN201811476004.1有效
发明人：侯上勇;黄松辉;黄冠育;胡宪斌;林于顺;黄贺昌;夏兴国;洪志杰;施应庆;高金福;魏文信;郭立中;吴集锡;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种集成电路封装件及其形成方法。该方法包括将集成电路管芯附接至第一衬底。形成伪管芯。伪管芯附接至第一衬底且与集成电路管芯相邻。在第一衬底上方并且在伪管芯和集成电路管芯周围形成密封剂。平坦化密封剂、伪管芯和集成电路管芯，密封剂的最上表面与伪管芯的最上表面和集成电路管芯的最上表面大致齐平。去除伪管芯的内部部分。伪管芯的剩余部分形成环形结构。
集成电路封装及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110685172.7在审
发明人：吴志伟;施应庆;卢思维;林俊成;李隆华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种形成半导体器件的方法，该方法包括将金属箔附接至载体，在附接金属箔之前预制该金属箔；在金属箔的远离载体的第一侧上形成导电柱；将半导体管芯附接至金属箔的第一侧；在半导体管芯和导电柱周围形成模制材料；以及在模制材料上方形成再分布结构。本发明实施例还提供一种半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202011040456.2在审
发明人：黄冠育;吴志伟;黄松辉;侯上勇;施应庆;李澄杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括彼此堆叠且彼此电连接的第一封装组件与第二封装组件。第一封装组件包括第一导电凸块及第二导电凸块，第二封装组件包括第三导电凸块及第四导电凸块，第一导电凸块及第二导电凸块的尺寸小于第三导电凸块及第四导电凸块的尺寸。半导体封装包括部分地包裹第一导电凸块及第三导电凸块的第一接合结构，以及部分地包裹第二导电凸块及第四导电凸块的第二接合结构。第一接合结构的曲率不同于第二接合结构的曲率。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110380641.4在审
发明人：侯上勇;胡宪斌;邱绍玲;魏文信;黄炳刚;沈志达;卢思维;施应庆;邱文智;吴集锡;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：半导体结构包括：第一中介层；第二中介层，与第一中介层横向相邻，其中，第二中介层与第一中介层间隔开；以及第一管芯，附接至第一中介层的第一侧并且附接至第二中介层的第一侧，其中，第一中介层的第一侧和第二中介层的第一侧面向第一管芯。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]扇出型硅中介物-CN202011406642.3在审
发明人：邹贤儒;吴志伟;卢思维;施应庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种扇出型硅中介物及包括其的芯片封装结构，芯片封装结构的形成方法包括：形成穿过硅衬底的硅穿孔结构的阵列，且在硅穿孔结构的阵列的后侧表面上形成封装侧金属接垫。在载体衬底之上设置硅衬底，并在硅衬底周围形成环氧模制化合物中介物框架。在硅衬底及环氧模制化合物中介物框架之上形成管芯侧重布线结构，并将至少一个半导体管芯贴合到管芯侧重布线结构。从封装侧金属接垫下方移除载体衬底。在封装侧金属接垫及环氧模制化合物中介物框架上形成封装侧重布线结构。封装侧重布内连线与封装侧金属接垫之间的覆叠容差由于封装侧金属接垫的面积增大而增大。
扇出型硅中介

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