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[发明专利]一种UVC LED封装器件及其制备方法-CN202110925895.X有效
发明人：季韬;白明月;蒋幼泉;单卫平;赵清;袁松;邢婷婷;韩钰祺 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种UVC LED封装器件及其制备方法，属于LED封装结构技术领域，该UVC LED封装器件，包括UVC芯片和封装支架，UVC芯片包括衬底，衬底正面的中部和外周分别设置功能区和隔离区，衬底的背面设置增透层；封装支架与隔离区共融焊接相连，封装支架的中部与功能区压紧接触相连，本发明的有益效果是，本发明采用了全无机封装，整体结构稳定可靠，布置合理，封装成本低，避免了UVC长期照射对器件性能的影响，减少了全反射损失，提高了光线传输效果和封装器件的使用寿命。
一种 uvc led 封装器件及其制备方法

[实用新型]一种光电芯片导电层结构-CN202321208370.5有效
发明人：王晓波 -专利权人：西安瑞芯光通信息科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开的属于半导体电子信息技术领域，具体为一种光电芯片导电层结构，包括芯片本体，所述芯片本体的下侧设置有封装反射层，所述芯片本体的上侧设置有石墨烯层；所述芯片本体包括外延层、n型电极区、限制层和p型电极区，所述n型电极区位于外延层与限制层之间，所述限制层位于n型电极区与p型电极区之间，本装置基于垂直UVC光电子芯片的基础，应用在垂直UVC光电子芯片上可以极大的提升电流扩展及UVC光的分布和透射，通过垂直芯片结构使得芯片电流可以上下导通，减小电流的堵塞和增大扩展面积，通过加入石墨烯层，可以提升电极的导电和电流扩展均匀性。
一种光电芯片导电结构

[发明专利]一种倒装LED芯片及制备方法-CN202310890249.3在审
发明人：邹燕玲;李文涛;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装LED芯片及制备方法，方法包括提供一衬底，在衬底的上表面生长外延层；在外延层的上表面沉积电流阻挡层以及透明导电层；在透明导电层的上表面分段蒸镀一层第一PD，第一PD依次包括依次层叠的第一反射层、应力消解层及保护层，其中，采用Ag在透明导电层的上表面蒸镀一层第一反射层，并在反射层上蒸镀多层应力消解层；在应力消解层上生长保护层，并在保护层上沉积一层第二反射层，得到第一半成品芯片；对第一半成品芯片进行刻蚀处理暴露第一PD，并在第一PD的上方蒸镀一层第二PD，得到成品倒装LED芯片。本发明能够大幅降低制备成本，在降低成本的同时避免金属膜层翘曲异常的情况，提升倒装LED芯片的可靠性。
一种倒装 led 芯片制备方法

[发明专利]一种倒装Micro-LED芯片及其制造方法-CN202210015865.X有效
发明人：周圣军;孙月昌;施浪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明属于半导体发光器件技术领域，公开了一种倒装Micro‑LED芯片及其制造方法。芯片中的钝化层采用场效应钝化复合层，场效应钝化复合层包括位于外侧的第一材料层和位于内侧并与芯片侧壁接触的第二材料层，芯片侧壁为斜面。场效应钝化复合层用于在本征点缺陷处形成电荷中心，形成覆盖芯片侧壁的电场，通过形成的电场防止自由载流子在芯片侧壁发生非辐射复合；场效应钝化复合层用于降低芯片侧壁的点缺陷密度，减少芯片侧壁发生非辐射复合的几率。本发明能够降低反向漏电流，提高Micro‑LED的发光效率和稳定性。
一种倒装 micro led 芯片及其制造方法

[发明专利]具有轴向三维发光二极管的光电设备-CN202180084186.1在审
发明人：迈赫迪·达努内;杰罗姆·纳皮尔拉;维什努瓦尔坦·库马雷桑;菲力浦·吉莱;玛乔丽·马拉 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本描述涉及一种光电设备(10)，包括轴向发光二极管(LED)的阵列(15)，每个LED包括有源区域(20)，该有源区域被配置为发射电磁辐射，所述电磁辐射的发射光谱在第一波长处包括最大值。该设备还包括用于每个发光二极管包层(23)，所述包层对所述辐射透明，并由第一材料制成，在发光二极管的至少一部分上方包围发光二极管的侧壁，每个包层具有大于10nm的厚度。该设备还包括在包层之间的层(24)，该层对所述辐射透明并由不同于第一材料的第二材料制成，该第二材料是电绝缘的，该阵列形成光子晶体。
具有轴向三维发光二极管光电设备

[发明专利]一种显示灯板、LED芯片及其加工方法-CN202310322078.4在审
发明人：谢成林;张红贵;彭友;李泉涌 -专利权人：安徽芯瑞达科技股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片的加工方法，包括以下步骤：制备下衬底层；制备上倒装层；将下衬底层和上倒装层键合加工形成加工初胚；去除加工初胚上的临时衬底层和截止层；将N极金属层和P极金属层布置在加工初胚上；对加工初胚进行切割处理，以形成若干个单体的LED芯片，通过在三氧化二铝层底面上蒸镀设置黑色薄膜层，可以降低三氧化二铝层底面的通透反光，通过牺牲部分的出光亮度，从而可以降低像素颗粒感，解决了三氧化二铝衬底的高透光性导致出光观感较差的问题。
一种显示 led 芯片及其加工方法

[发明专利]高可靠性发光二极管芯片及其制造方法-CN202110728944.0有效
发明人：兰叶;陶羽宇;吴志浩;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种高可靠性发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片的绝缘层上开设有延伸至N型电极的第一导电孔和延伸至P型电极的第二导电孔，焊点包括第一焊点和第二焊点。第一焊点位于第一导电孔内以及绝缘层表面，与对应的N型电极电连接，第二焊点位于第二导电孔内以及绝缘层表面，与对应的P型电极电连接，第一导电孔和第二导电孔均为锥形孔，且沿芯片的层叠方向，锥形孔的内径逐渐增大。采用该结构的发光二极管芯片，可以减少LED芯片制造过程中空腔的产生，提高发光二极管芯片的可靠性。
可靠性发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法-CN202310579390.1有效
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;熊露;熊珊 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法，包括：在GaAs衬底上，生长出具有氧化层结构的外延片；依次蒸镀镜面层和第一键合层；在Si衬底上蒸镀第二键合层；将外延片和Si衬底键合在一起，并去掉GaAs衬底；在外延片表面制作N标记电极以及环形电极，在环形电极外侧蚀刻出隔离槽，得到圆形台柱；制作氧化孔；以及N焊线电极、P电极；完成后续工序，得到LED芯片。本发明通过对常规LED芯片的结构进行改进，可有效解决现有技术中无法调节光强弱、常规工艺的大出光角度以及封装焊线难的问题，适用性得到大大提高。
具有氧化结构极性圆孔发光 led 芯片及其制作方法

[实用新型]一种新型的提升MINI LED直显底部填充良率的结构-CN202320476768.0有效
发明人：曹聪;宋奥奇 -专利权人：郑州华思光电技术有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的提升MINI LED直显底部填充良率的结构，涉及MINI LED直显技术领域，具体为包括底板和芯片，所述芯片位于底板的上方，所述底板的上表面设置有黑色环氧树脂胶，所述芯片的上表面固定连接有背光膜片本体，所述背光膜片本体的上表面固定连接有光扩散胶层，所述光扩散胶层的上表面固定连接有UV硬化透明层。该新型的提升MINI LED直显底部填充良率的结构，通过反射膜层、滤光膜层和增亮膜层的配合使用，从而提高背光膜片本体在使用时光源的亮度，然后通过阻温层、耐磨膜、耐磨涂层和透气孔的配合使用增强了背光膜片本体整体强度，能够进一步提高背光膜片本体的使用寿命，减少外部磨损对其造成的伤害。
一种新型提升 mini led 底部填充结构

[发明专利]一种微型发光二极管的制备方法-CN202310759388.2在审
发明人：许嘉巡;连水养;罗海龙;岳新翔 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种微型发光二极管的制备方法，包括：图案蓝宝石衬底上制备n‑GaN/多量子阱MQW/p‑GaN层；台面图案化，蚀刻进行台面蚀刻以暴露n‑GaN；沉积SiO2层作为阻挡层；在SiO2阻挡层上溅射氧化铟锡ITO层；在p和n‑GaN区域分别蒸镀包含Al/Pt/Ti多层膜的第一金属层FML；沉积ALDAl2O3薄层作为内部防潮层，覆盖PECVDSiO2层和包含SiO2和Ti3O5叠层的布拉格反射器DBR；对DBR、SiO2和Al2O3层进行图案化和干法蚀刻，直到露出下面的FML；沉积Ti/Al/Ti/Au第二金属层SML作为p和n金属焊盘。本发明在miniLED内部利用原子层沉积致密、超薄的防潮薄膜，并同时提升光输出量。
一种微型发光二极管制备方法

[发明专利]反极性发光二极管及其制备方法-CN202310533186.6在审
发明人：杭伟;石时曼;赵秀梅;王江波 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种反极性发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、透明导电层、介质层、外延层和第一电极，所述透明导电层、所述介质层和所述外延层依次层叠在所述衬底上，所述第一电极位于所述外延层上远离所述衬底的表面；所述介质层远离所述衬底的表面具有露出所述透明导电层的第一通孔，所述透明导电层的至少部分位于所述第一通孔内，且与所述外延层相连；所述第一电极在所述衬底上的正投影与所述第一通孔在所述衬底上的正投影至少部分重合。本公开实施例能改善介质膜与外延层容易脱落的问题，提升发光二极管的可靠性。
极性发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN202310825884.3在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的复合插入层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型GaN层；所述复合插入层包含SiO2插入层、InxSi1‑xN插入层、InN插入层、AlyIn1‑yN插入层；其中，x的取值范围为0.01～0.5，y的取值范围为0.05～0.9。本发明提供的发光二极管外延片能够有效降低外延层位错密度，抑制穿透位错的延伸，提高GaN晶体质量，提高辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种芯片结构及其制备方法-CN202310709646.6在审
发明人：请求不公布姓名;唐如梦;张鹏辉;吴东东;闻娟 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片结构及其制备方法，包括：基板、第一半导体层、第二半导体层以及有源层，有源层位于所述第一半导体层和第二半导体层之间，基板上依次生长第一半导体层、有源层以及第二半导体层，与所述第二半导体层形成欧姆接触的导电层一，与所述导电层一形成电连接的反射层，与所述反射层形成电连接的导电层二，导电层二包含多层金属结构。本发明通过对绝缘层一成分进行调整，改变绝缘层一不同层次的蚀刻率，从而得到更佳的蚀刻导角，可以有效的改善芯片器件内部应力，减少尖端放电现象，提高芯片器件稳定性，以及通过对绝缘层一成分进行调整，改变绝缘层一不同层次的折射率，从而增加光学膜的反射，提高芯片器件光效。
一种芯片结构及其制备方法

[发明专利]发光元件、发光组件及发光组件的制备方法-CN202210099965.5在审
发明人：吕冲 -专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光元件、发光组件及发光组件的制备方法，发光元件包括基底、外延结构、电极和涂层。外延结构设置于所述基底上；电极设置于所述外延结构上；涂层设置于所述外延结构未被所述电极覆盖的区域且所述涂层的粘性低于所述外延结构的粘性。或者，本申请的发光二极管发光元件的第一电极覆盖整个所述第一台阶面。通过涂层覆盖于外延结构未被电极覆盖的区域上，同时由于涂层与临时基板的有机胶层之间的粘性更低，可以防止有机胶层与外延结构过度粘连，防止在批量转移中拾取良率较低的问题。
发光元件组件制备方法

[发明专利]发光二极管-CN201810883448.0有效
发明人：崔喆铉;李炫植;全爀祥 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供了一种发光二极管。所述发光二极管包括：第一电极；第二电极，与第一电极叠置；发射层，设置在第一电极和第二电极之间；第一盖层，设置在第一电极上，其中，第一盖层包括LiF、MgF2、AlF3、NaF和AlOx中的至少一种，x为1至5，并且第一盖层的厚度为30nm至40nm。
发光二极管