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[实用新型]半导体元件及半导体装置-CN202320495213.0有效
发明人：苏英阳;高慧芳;李世昌;谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体元件及半导体装置，其中该半导体元件包括：基板；半导体叠层位于基板上；接合结构位于基板及半导体叠层之间；解离层位于接合结构及基板之间且与基板直接接触；以及中介结构，位于解离层和接合结构之间。
半导体元件装置

[发明专利]发光装置、投影仪、显示器和头戴式显示器-CN202310267779.2在审
发明人：高栁贤太郎 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供发光装置、投影仪、显示器和头戴式显示器，能够实现小型化。发光装置具有：第1半导体层，其具有第1导电型；第2半导体层，其设置在第1半导体层与第2电极之间，具有与第1导电型不同的第2导电型；发光层，其设置在第1半导体层与第2半导体层之间；绝缘层，其沿着第1半导体层的侧面设置；以及金属层，其与绝缘层接触，沿着第1半导体层的侧面设置，反射由发光层产生的光，由发光层产生的光从第1电极侧射出，金属层具有从发光层朝向第1半导体层的第1方向上的第1端，第1半导体层具有第1方向上的第2端，在第1方向上，第1端的位置与第2端的位置相同，或者，第1端的位置比第2端的位置靠第1方向侧。
发光装置投影仪显示器头戴式

[发明专利]显示装置-CN202310280733.4在审
发明人：裵城槿;朴章淳;李炫旭;郑多率;崔秀珉;许元亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供了一种显示装置。显示装置包括：第一电极和第二电极，第二电极在第二方向上与第一电极间隔开；发光元件，设置在第一电极和第二电极上；第一绝缘层，设置在发光元件上；第一连接电极，设置在第一电极上并且与发光元件中的每个电接触；以及第二连接电极，设置在第二电极上并且与发光元件中的每个电接触，并且第一绝缘层包括第一部分和第二部分，第二部分的厚度大于第一绝缘层的第一部分的厚度。
显示装置

[发明专利]制造发光器件的方法-CN201880065001.0有效
发明人：清水健太郎;久志増井;D.B.罗伊特曼 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种制造发光器件的方法，该方法具有提高的可靠性和效率。具体地，所公开的方法使用原子层沉积来改进陶瓷板和LED之间的热导率，减少有机污染的量，并提高发光器件的光学输出的效率。
制造发光器件方法

[实用新型]一种LED芯片-CN202321202591.1有效
发明人：王雪峰;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED芯片，包括芯片主体设于所述芯片主体上的切割道，还包括设于所述芯片主体上的防护结构和钝化层，所述防护结构沿所述切割道的边缘延伸成型，所述钝化层覆盖于所述防护结构的表面，且所述防护结构与所述钝化层粘接。通过本申请，加强钝化层的黏附效果，能够改善LED芯片在切割时造成的钝化层破裂、翘起的现象，从而提高了的芯片的抗湿性能，提升了的LED芯片的可靠性以及提升LED芯片的使用寿命。
一种 led 芯片

[发明专利]一种集成封装LED显示模组及制备方法-CN202311026895.1在审
发明人：马新峰;段健楠;郑喜凤 -专利权人：长春希龙显示技术有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种集成封装LED显示模组及制备方法，涉及LED显示领域。解决了显示模组制备过程中显示屏颜色不一致的问题。所述制备方法包括：将LED显示模组放置于加热平台上，表面处理结构薄膜覆盖在所述LED显示模组的表面环氧层；加热辊轮预热；通过固定速度匀速压合表面处理薄膜，使其加热至半固化状态并与LED显示模组的表面环氧层粘合；粘合完成后，将表面处理结构薄膜表面的PET薄膜剥离，使表面处理结构薄膜的胶层、碳层和哑光层粘合在显示模组的环氧层表面；将所述剥离PET薄膜后的显示模组取下，进行光照固胶，完成封装。本发明应用于显示屏大尺寸拼接领域。
一种集成封装 led 显示模组制备方法

[发明专利]一种改善LED芯片切割污染的方法-CN202310634432.7在审
发明人：郑军;邢建国 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善LED芯片切割污染的方法，属于LED芯片切割领域，包括：将掩膜版覆盖在待切割的LED芯片上，掩膜版覆盖在芯片上后单个晶粒漏出，晶粒之间的切割道被覆盖；将覆盖掩膜版的LED芯片表面再涂覆一层保护液，然后去掉掩膜版；将涂覆保护液的芯片正面电极向下，背面电极向上放置在贴膜机台面上进行贴膜，芯片贴附在蓝膜上；将贴膜后的芯片放置在锯片机工作盘上，进行全切透作业；对切割后的芯片进行清洗、扩膜；检验。本发明在芯片切割前涂覆一层水溶性的保护液，通过给芯片增加一层保护膜来改变切割过程中芯片表面的残留碎屑污染的问题，有效保证了切割后芯片表面的外观洁净度，提高了产品后续焊线的牢固度，提升产品良率。
一种改善 led 芯片切割污染方法

[实用新型]一种能提高亮度的倒装LED芯片结构-CN202320370279.7有效
发明人：黄章挺;郑高林;张帆 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种能提高亮度的倒装LED芯片结构，所述二氧化硅层覆盖ITO层，所述ITO层上方的二氧化硅层上均匀设有多个通孔；所述银镜反射层包括本体、第一连接体和第二连接体；所述本体设置在二氧化硅层上方，所述第一连接体填充通孔，所述本体通过第一连接体连接ITO层，所述本体通过二氧化硅层的侧方的第二连接体连接P层。本实用新型的有益效果在于：二氧化硅层配合ITO层也起到扩散电流的作用；光线在银镜反射层与二氧化硅层上发生反射，更多的光线被更有效地往正确的方向反射，以此提高了使用所述能提高亮度的倒装LED芯片结构形成的完整的倒装LED芯片的发光量。
一种提高亮度倒装 led 芯片结构

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310774872.2在审
发明人：汪恒青;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，该LED芯片的制备方法包括提供一衬底，并在衬底上生长外延层；刻蚀外延层，在外延层上形成P型电极区、N型电极区、隔离槽区；通入预设反应源，以第一预设温度、第一预设压力沉积预设厚度的Al2O3层；在预设功率、预设波长的光照条件下，以第二预设温度进行退火处理预设时间；通过刻蚀液对P型电极区以及N型电极区上的Al2O3层分别进行刻蚀，形成P型电极凹槽和N型电极凹槽；在P型电极凹槽内沉积P型电极，在N型电极凹槽内沉积N型电极，本发明能够解决现有技术中干法刻蚀工艺微型化LED芯片的侧壁，易造成侧壁缺陷，影响器件的性能的技术问题。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]发光元件和包括该发光元件的显示装置-CN202310188555.2在审
发明人：金东均;沈俊辅;柳熙娟;崔贞仁;柳喆锺;李耀闲;张圣爱;赵显敏;车炯来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：公开了发光元件和包括该发光元件的显示装置。所述发光元件包括：芯，包括第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层以及设置在第一半导体层与第二半导体层之间的发射层；以及第一元件绝缘膜，围绕芯的侧表面，其中，第一元件绝缘膜包括绝缘构件和弹性构件的复合体。
发光元件包括显示装置

[发明专利]发光元件和制造发光元件的方法-CN202310194141.0在审
发明人：宋荣振;金鎭完;金相助;李承根 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供了一种发光元件和制造发光元件的方法。所述发光元件能够提高发光效率。所述发光元件包括：第一半导体层，包括凹槽和设置在凹槽周围的突起；发光层，设置在第一半导体层的凹槽上，并且具有与凹槽对应的形状；第二半导体层，设置在发光层上；以及绝缘图案层，设置在第一半导体层的突起上，并且围绕第二半导体层。
发光元件制造方法

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202310440161.1在审
发明人：蔡家豪;晏维云;汪琴;方斌;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管及其制备方法，外延层，所述外延层自下而上依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；透明导电层，设置于所述P型半导体层上，所述透明导电层具有多个空隙，所述空隙内填充有金属层；P型电极，设置于所述透明导电层上，并与P型半导体层之间形成电连接；N型电极，设置于所述N型半导体层上，并与N型半导体层之间形成电连接。本发明在透明导电层上的空隙内填充有金属层，提高出光效率，促进电流扩散，进而降低电压和提高导电能力。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]巨量转移方法-CN202111160521.X有效
发明人：阳宏 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种巨量转移方法，所述巨量转移方法不受衬底上LED芯片之间的间距限制，利用酚羟基聚合物中羟基的强给氢能力(阴离子聚电解质)与叠氮聚合物中叠氮基团的给电子能力(阳离子聚电解质)，使得酚羟基聚合物与叠氮聚合物相互吸引，从而使得具有酚羟基聚合物膜层的LED芯片靶向自组装于叠氮聚合物膜层表面，酚羟基聚合物膜层与叠氮聚合物膜层形成基于氢键的组装膜层，然后通过紫外光照使酚羟基聚合物与叠氮聚合物发生叠氮化反应形成共价键，形成共价联结，从而使得LED芯片可快速准确地转移到基板相应的像素上，提升转移效率和转移精度。
巨量转移方法

[发明专利]LED单面发光实现方法-CN202310796020.3在审
发明人：孙恒阳;罗官 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开的LED单面发光实现方法，包括提供一LED晶圆，在LED晶圆的非发光面表面附着遮光材料形成目标层，形成目标层后使用光刻工艺图案化目标层，再通过显影工艺将电极暴露外置形成遮光层；或者，形成目标层后直接固化目标层，再直接进行气体等离子体轰击将电极暴露外置形成遮光层。本发明的LED单面发光实现方法，在已完成的LED芯片结构上，将非发光面漏光直接通过吸收或全反射方式进行遮挡，从而实现LED单面发光。适配现有LED正装、倒装、垂直结构，避免复杂的工艺流程，操作性强和批量生产快，以极低的成本实现LED单面发光。
led 单面发光实现方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310569099.6在审
发明人：周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，该方法包括：在芯片主体的表面生成钝化层，具体为，在芯片主体的表面涂覆第一厚度的第一PHPS胶层，并于第一温度下对第一PHPS胶层的表层进行水解，以生成多孔层；于第二温度下对剩余第一PHPS胶层进行氧化，以在多孔层的正下方生成钝化层；在多孔层的表面涂覆第二厚度的第二PHPS胶层，对第二PHPS胶层进行紫外光照处理，以形成隔离结构。通过本申请，改善了利用第一PHPS胶层转化成钝化层的过程中氧化硅容易出现梯度分布问题，加快了生成钝化层的时间，以便于厂中大面积生产，同时还有利于提升产品的外量子效率，除此之外，利用隔离结构隔离外界水汽进入到产品中，对产品进行保护。
一种 led 芯片及其制备方法