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[发明专利]一种Micro-LED芯片的自组装及巨量转移的方法、装置和显示背板-CN202310975987.8在审
发明人：周圣军;施浪;崔思远;孙月昌 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED芯片的自组装及巨量转移的方法、装置和显示背板，所述方法包括提供具有不同形状和电极结构的红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片以及基板，所述基板表面带有与所述红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片的形状和电极匹配的键合孔；将基板置于斜面上，将红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片输送至基板表面，根据键合孔与红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片的形状和电极匹配，将红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片组装至基板上；未键合的红光、绿光、蓝光Micro‑LED芯片从倾斜的基板掉落后重复输送至基板表面，至基板的键合孔组装完全，随后转移基板。本发明利用了斜面、设计了不同形状和电极结构的红绿光蓝Micro‑LED芯片和特制基板实现了自组装，提高了组装效率，降低了转移成本。
一种 micro led 芯片组装巨量转移方法装置显示背板

[发明专利]检测隧道脱空的方法、装置、及电子设备、存储介质-CN202310473703.5有效
发明人：杜义康;罗建利;贺坤;谭新;施浪 -专利权人：中国铁建高新装备股份有限公司;中国铁建重工集团股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本申请实施例涉及检测测量技术领域，提供一种检测隧道脱空的方法、装置、及电子设备、存储介质，该方法包括敲击检测点；控制声音采集装置按照固定采样频率采集敲击检测点发出的声音信号；确定声音信号中激振信号的起始点位置；从起始点位置向后连续提取预定帧数，获得待处理帧；滤除噪声，获得第一去噪帧；确定卓越周期与重心周期；确定检测点的脱空指数。本申请能够自动敲击隧道，并且获取敲击每个检测点的敲击声音，提高了获取检测点声音的自动化程度，并且从声音中提取出激振信号，对激振信号进行滤波，得到质量好的信号样本，根据经过滤波的信号分析得到对应每个检测点的脱空状况的脱空指数，更准确地分析隧道的脱空状况。
检测隧道脱空方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种倒装Micro-LED芯片及其制造方法-CN202210015865.X有效
发明人：周圣军;孙月昌;施浪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明属于半导体发光器件技术领域，公开了一种倒装Micro‑LED芯片及其制造方法。芯片中的钝化层采用场效应钝化复合层，场效应钝化复合层包括位于外侧的第一材料层和位于内侧并与芯片侧壁接触的第二材料层，芯片侧壁为斜面。场效应钝化复合层用于在本征点缺陷处形成电荷中心，形成覆盖芯片侧壁的电场，通过形成的电场防止自由载流子在芯片侧壁发生非辐射复合；场效应钝化复合层用于降低芯片侧壁的点缺陷密度，减少芯片侧壁发生非辐射复合的几率。本发明能够降低反向漏电流，提高Micro‑LED的发光效率和稳定性。
一种倒装 micro led 芯片及其制造方法

[发明专利]用于Micro-LED芯片键合过程的磁力辅助自对准方法-CN202310499328.1在审
发明人：周圣军;施浪;孙月昌 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于Micro‑LED芯片键合过程的磁力辅助自对准方法，在Micro‑LED芯片电极上沉积Fe3O4磁性纳米颗粒，使得Micro‑LED芯片电极能被磁化。在基板上制备具有Fe3O4磁性纳米颗粒的高密度键合凸点阵列，在磁场的作用下，高密度键合凸点产生磁性，在Micro‑LED芯片与键合凸点键合过程中，由于磁场力的相互吸引，实现Micro‑LED电极与键合凸点的高精度自对准，进一步实现高可靠性Micro‑LED芯片键合。
用于 micro led 芯片过程磁力辅助对准方法

[发明专利]micro-LED芯片的衬底剥离与键合方法-CN202310340456.1在审
发明人：周圣军;孙月昌;施浪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种micro‑LED芯片的衬底剥离与键合方法。针对micro‑LED芯片的转移，本发明通过在micro‑LED芯片衬底上刻出一系列沟槽，通过沟槽注入BOE刻蚀溶液，腐蚀掉衬底与外延片之间得二氧化硅阵列，减小衬底与外延之间的结合力后，通过激光剥离等技术将衬底去除掉，实现micro‑LED芯片的衬底剥离。通过移动电路板至晶圆上方，移动电路板对齐晶圆，加热电路板将焊料熔化，施加压力将电路板和晶圆连接在一起，通过上述的衬底剥离技术将衬底剥离，实现芯片的键合以及转移。本发明能够将micro‑LED芯片衬底剥离以及转移至电路板上，具有高效率、高精度的特点。
micro led 芯片衬底剥离方法

[发明专利]高可靠性薄膜倒装Micro-LED显示芯片及其制备方法-CN202310017693.4在审
发明人：周圣军;施浪;孙月昌;蒋晶晶 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请公开了高可靠性薄膜倒装Micro‑LED显示芯片及其制备方法。本技术方案中，利用电化学腐蚀技术及机械剥离技术实现对衬底的高效、低成本剥离，采用离子注入技术实现对芯片侧壁悬挂键有效钝化，形成表面电场，抑制电子和空穴在芯片表面的非辐射复合。此外，通过在芯片侧壁沉积复合钝化层进一步钝化薄膜倒装Micro‑LED显示芯片。其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，钝化底层用于接触薄膜倒装Micro‑LED显示芯片表面，钝化顶层采用高介电常数材料，高介电常数材料使得芯片表面能带弯曲，产生大的空穴势垒，抑制空穴向薄膜倒装Micro‑LED显示芯片表面移动，降低薄膜倒装Micro‑LED显示芯片表面复合速率，提高薄膜倒装Micro‑LED显示芯片的可靠性。
可靠性薄膜倒装 micro led 显示芯片及其制备方法

[发明专利]一种电缆隧道缺陷无损快速检测装置及其检测方法-CN201810117996.2有效
发明人：朱福龙;王烽人;施浪;蔺欣欣;潘永军;王淼操;刘肖剑;徐伊昕 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明属于隧道缺陷检测领域，并公开了一种电缆隧道缺陷无损快速检测装置及其检测方法。所述机械臂包括多个连杆和关节点，该机械臂的同时与底盘和云台连接，用于调节云台的高度，云台上设置有红外热像仪和可见光摄像头，二者沿横向或纵向并列排列，拍摄隧道墙面的照片，用于检测隧道墙面是否存在裂纹和渗漏缺陷，该云台绕末端关节点水平旋转和俯仰运动时，使得红外热像仪和可见光摄像头检测位置相应发生变换；控制器设置在底盘上，通过底盘上的无线通信器与远程控制上位机连接，并进行数据的交互。同时本发明还公开了该检测装置的检测方法。通过本发明，实现检测速度快、检测精度高、无损检测和远程操控地对隧道检测。
一种电缆隧道缺陷无损快速检测装置及其方法

[发明专利]三基色micro-LED芯片的可编程转移方法-CN202211630087.1在审
发明人：周圣军;孙月昌;施浪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三基色micro‑LED芯片的可编程转移方法。本发明针对micro‑LED芯片的转移，对芯片衬底进行图形化填充，通过磁力将micro‑LED芯片提起，实现micro‑LED芯片的转移。通过对转移印章进行微结构填充，对微结构选择性通电，使微结构选择性带有电流，选择性将micro‑LED芯片从临时基板上转移至目标基板上，实现单色micro‑LED芯片的可编程转移。然后重复上述步骤，分批次将红色/绿色/蓝色micro‑LED芯片从临时基板上转移至目标基板，实现三基色micro‑LED芯片的转移。本发明能够选择性的将micro‑LED芯片转移至目标基板上，具有高效率、高准确性的特点。
基色 micro led 芯片可编程转移方法

[发明专利]一种岩石钻进响应的预测方法和预测系统-CN202010692453.0有效
发明人：刘飞香;程永亮;秦念稳;张雪荣;杜义康;施浪;李婷婷;王营松 -专利权人：中国铁建重工集团股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种岩石钻进响应的预测方法与预测系统，预测方法包括：获取岩体不同里程的钻进参数，并获取钻进参数与中间变量的关系模型；分析岩体不同里程的岩石饱和抗压强度，得到中间变量与岩石饱和抗压强度的关系；随钻获取岩体不同里程的岩石完整性程度，并以岩石完整性程度与钻进参数修正中间变量；利用软计算获取钻进参数、修正后的中间变量与岩石饱和抗压强度、岩石完整性程度的对应关系；以任一位置的钻进参数和中间变量，获取对应的岩石饱和抗压强度、岩石完整性程度。本申请通过采集样本数据、理论分析，并形成相应的对应关系，以任意钻进数据通过对应关系预测得到对应的岩体信息，使得预测过程简便，具有普遍的适用性。
一种岩石钻进响应预测方法系统

[发明专利]一种盾构TBM姿态偏移预警方法-CN201911266241.X有效
发明人：刘飞香;秦念稳;施浪;杜义康;谭新;张雪荣 -专利权人：中国铁建重工集团股份有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种盾构TBM姿态偏移预警方法。包括以下步骤：S1，对实时采集的盾构TBM姿态参数值进行滑动平均滤波，获取滤波值时间序列X；S2，构建ARMA模型，获取当前时刻趋势变化率Rt；S3，结合当前机身偏移角度与机身纠偏速度，获取机首继续偏移时间trest；S4，结合当前时刻趋势变化率Rt和机首继续偏移时间trest，获取当前趋势值Tt；S5，将当前滤波值Xt+当前趋势值Tt与预设阈值Threshold1进行综合比较，获取当前时刻预警状态值St；S6，根据N步延迟报警策略，获取当前报警状态，更新至盾构TBM操作界面。通过本发明，能够通过分析盾构TBM姿态偏移趋势，实现偏移超限提前捕捉并报警，对实时采集的盾构TBM姿态参数值进行滑动平均滤波，减小噪声及采集误差。
一种盾构 tbm 姿态偏移预警方法

[发明专利]一种高波长均匀性的倒装Micro-LED芯片结构及其制备方法-CN202210875234.5在审
发明人：周圣军;孙月昌;施浪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高波长均匀性的倒装Micro‑LED芯片结构及其制备方法。本发明中在芯片的u‑GaN层中设计了拓扑微腔结构，从而利用拓扑微腔结构和DBR之间的Micro‑LED芯片外延结构产生光耦合现象，以缓解常规Micro‑LED芯片随着注入电流的增大出现发光波长的蓝移现象，从而提高Micro‑LED芯片发光的稳定性；本发明中在蓝宝石衬底中刻蚀形成微通孔，随后向微通孔中注入CdSe/CdZnSe材料，从而通过蓝光激发量子点来产生红光/绿光，以形成红光Micro‑LED芯片或绿光Micro‑LED芯片。
一种波长均匀倒装 micro led 芯片结构及其制备方法

[发明专利]高光线分布均匀的倒装微型LED芯片及其制备方法-CN202210951380.1在审
发明人：周圣军;孙月昌;施浪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光线分布均匀的倒装微型LED芯片。该倒装微型LED(Micro‑LED)芯片从正视和侧视方向观察具有对称的光线分布，能够提升用于显示器的Micro‑LED芯片的显示效果。该Micro‑LED芯片还采用一种具有微结构的反射镜。这种反射镜具有高反射率，能够提高Micro‑LED芯片的光提取效率。还采用了氢气等离子体对p‑GaN侧壁进行了钝化，减少了Micro‑LED芯片的侧壁漏电流，提升了Micro‑LED芯片的光提取效率。本发明能够提高Micro‑LED芯片的光提取效率，改善Micro‑LED芯片的光线分布情况。
光线分布均匀倒装微型 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种三基色Micro-LED芯片的转移方法-CN202210558668.2在审
发明人：周圣军;孙月昌;施浪;万泽洪;雷宇 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明属于半导体显示技术领域，公开了一种三基色Micro‑LED芯片的转移方法。本发明针对单色的Micro‑LED芯片阵列，将芯片阵列从施主基板上转移至临时衬底上，在受主基板上滴加乙醇和盐水的混合物，将受主基板上的驱动电路与芯片阵列精准接触，利用乙醇和盐水的混合物降温后形成的胶体连接受主基板与芯片阵列，将临时衬底从受主基板上揭离，清洗受主基板去除胶体，至此完成单色的芯片阵列转移，然后重复上述方法，分批次完成三种单色的芯片阵列转移，实现三基色Micro‑LED芯片的转移。本发明能够将Micro‑LED芯片大规模、高效率且准确地转印至刚性基板或柔性基板上，实现三基色Micro‑LED芯片的集成。
一种基色 micro led 芯片转移方法

[发明专利]一种红光倒装Micro-LED芯片及其制造方法-CN202210362012.3在审
发明人：周圣军;施浪;孙月昌 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明属于Micro‑LED芯片技术领域，公开了一种红光倒装Micro‑LED芯片及其制造方法。本发明对重掺杂n‑GaAs欧姆接触层进行选择性刻蚀，形成与N型通孔对应的n‑GaAs点接触阵列，能够有效减少GaAs层对红光光子的吸收，显著提升AlGaInP基红光倒装Micro‑LED芯片的光提取效率。本发明采用通孔式双层电极，解决了传统AlGaInP基红光Micro‑LED芯片的p电极及n电极间距很大难以形成倒装结构的问题，且能够提高芯片的电流拓展性能、降低工艺难度。
一种红光倒装 micro led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种TBM的关键参数控制方法、装置、设备及介质-CN202210451714.9在审
发明人：刘飞香;张雪荣;施浪;谭新 -专利权人：中国铁建重工集团股份有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本申请公开了一种TBM的关键参数控制方法，包括：创建TBM的推进速度模型、刀盘转速模型、刀盘转矩模型、推进力模型、围岩分级模型，并确定其在切削单位体积围岩时的目标能量模型；实时采集TBM的目标掘进数据，并对推进速度和刀盘转速进行预测；计算预测推进速度与实际推进速度之间的误差，以及预测刀盘转速与实际刀盘转速之间的误差；若上述误差符合预设条件，则确定目标能量模型中能量消耗值最低所对应的刀盘转速和推进速度，并分别按照上述参数对TBM进行调控；若上述误差不符合预设条件，则分别按照预测推进速度和预测刀盘转速对TBM进行调控。通过该方法不仅能够找到TBM的最佳控制参数，而且，也可以降低其在掘进过程中的能耗量。
一种 tbm 关键参数控制方法装置设备介质

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