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[实用新型]半导体发光元件-CN202321330710.1有效
发明人： 高默然;丘金金;董雪振;李森林 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体发光元件，其从下到上依次包括：衬底、缓冲层、第一型导电层、多量子阱层以及第二型导电层，多量子阱层包括蓝光量子阱层、红光量子阱层和绿光量子阱层，红光量子阱层位于绿光量子阱层靠近第一型导电层的一侧，蓝光量子阱层位于红光量子阱层和绿光量子阱层的两侧。本实用新型中的多量子阱层具有绿光量子阱层、红光量子阱层和蓝光量子阱层，可以直接产生三种发光波长的光，以形成混合白光，相对于激发荧光粉产生的混合白光发光效率更高，相对于采用三种光色LED制造的白光成本更低。
半导体发光元件

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202310958120.1在审
发明人：董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管从下至上依次包括：衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、第四缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，第一缓冲层为AlON层和第一AlGaN层交替生长形成的周期性结构，第二缓冲层为第二AlGaN层，第三缓冲层为第三AlGaN层和第四AlGaN层交替生长形成的周期性结构，第四缓冲层为第五AlGaN层和InGaN层交替生长形成的周期性结构。所述第一缓冲层至第四缓冲层可以缓解衬底与外延层的晶格失配、热失配，缓解应力，改善发光二极管的晶体质量和出光方向，进而提高发光二极管的出光效率和发光亮度。
发光二极管及其制备方法

[实用新型]半导体发光元件-CN202321330736.6有效
发明人： 高默然;丘金金;董雪振;李森林 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体发光元件，其从下到上依次包括：衬底、缓冲层、第一型导电层、多量子阱层以及第二型导电层，多量子阱层包括黄光量子阱层和蓝光量子阱层，且黄光量子阱层位于蓝光量子阱层中间。本实用新型中的多量子阱层具有黄光量子阱层和蓝光量子阱层，可以直接产生两种发光波长，以形成混合白光，相对于蓝光激发荧光粉产生的混合白光，发光效率得到了提高。
半导体发光元件

[实用新型]垂直反极性半导体发光元件-CN202321370593.1有效
发明人：李森林;毕京锋;高默然;董雪振;丘金金 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垂直反极性半导体发光元件，包括从下至上依次堆叠的p型焊盘层、DBR层、p型半导体层、电子阻挡层、多量子阱层、n型半导体层、欧姆接触层、反射镜层、反射镜粘附层、金属粘附层以及n型焊盘层，反射镜粘附层位于反射镜层上并覆盖反射镜层的侧壁。本实用新型通过设置反射镜层能够提高在大电流情况下的半导体发光元件的发光强度和发光效率，同时通过反射镜粘附层的设置能够增加欧姆接触层与反射镜层之间的粘附性，进而能够增加半导体发光元件的可靠性。
垂直极性半导体发光元件

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202310784647.7在审
发明人：董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金;王亚宏;薛龙;廖寅生;赖玉财 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：衬底、底部缓冲层、N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其中发光层为垒层和阱层交替生长形成的周期性结构，每个周期中的所述阱层均包括从下至上依次堆叠的InbGa1‑bN阱层、IncGa1‑cN阱层和GaN阱层，且bc。本发明通过阱层设计可以提高LED的发光效率和亮度。
led 外延结构及其制备方法

[实用新型]一种炭素焙烧炉用密封保温装置-CN202320411157.8有效
发明人：韩艳萍;郝奕森;高默然 -专利权人：山西太谷明兴碳素玛钢有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： F27D1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及炭素加工技术领域，且公开了一种炭素焙烧炉用密封保温装置，包括炉体，炉体的底部固定连接有支架，炉体的顶部活动安装有炉盖，炉盖的顶部固定连接有把手，炉体的外表面设置有密封装置，炉盖的内部设置有智能报警装置，本实用新型在实际使用过程中可以对炉盖和烧炉的连接处进行密封，从而将内部的温度进行隔绝保温，保证焙烧炉对炭素的加工工作稳定，本实用新型还可以在烧炉加工时，对内部进行实时温度检测，如有温度异常情况可第一时间进行警报，提醒工作人员对烧炉进行检查维修。
一种炭素焙烧密封保温装置

[发明专利]半导体发光元件及其制备方法-CN202310776598.2在审
发明人：丘金金;李森林;高默然;董雪振;廖寅生 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件及其制备方法，所述半导体发光元件包括由下至上依次堆叠的衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，所述n型半导体层包括由下至上依次堆叠的第一限制层、第一缓冲层、电极接触层、第二缓冲层与第二限制层，其中，所述第一限制层与所述第二限制层均包括多层高掺杂层与多层低掺杂层，所述高掺杂层的掺杂浓度大于所述低掺杂层的掺杂浓度，所述高掺杂层与所述低掺杂层交替层叠设置。所述第一限制层与所述第二限制层均包括依次层叠设置的高掺杂层与低掺杂层，从而形成多个电容结构，使电流在n型半导体层中进行多次横向扩展，改善电流的横向扩展能力，避免电流拥挤，提高半导体发光元件的发光效率。
半导体发光元件及其制备方法

[实用新型]一种螺旋定位的防脱石墨电极接头-CN202320806237.3有效
发明人：郝奕森;郭俊斌;高默然 -专利权人：山西太谷明兴碳素玛钢有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01R13/622 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种螺旋定位的防脱石墨电极接头，包括连接块、螺旋块、承接块、防转杆和让位槽，所述连接块的两侧外表面固定设置有螺旋块，且螺旋块的外表面连接有承接块，且承接块的一端与电极固定连接，所述螺旋块的内部安装有滑动的防转杆，所述承接块的内部开设有内储液腔和内固定槽。该螺旋定位的防脱石墨电极接头，通过在外储液腔和内储液腔内部填充接头膏的方式，使得电极在使用过程发热时能够将接头膏软化使其流出至限位孔、外固定槽和内固定槽之间，然后在电极温度继续上升时使得接头膏烧结在限位孔、外固定槽和内固定槽内部，从而使得限位孔、外固定槽和内固定槽不会错位，降低电极接头松动的可能。
一种螺旋定位石墨电极接头

[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法-CN202310684422.4在审
发明人：董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金;王亚宏;薛龙;赖玉财;廖寅生 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延结构及其制备方法，LED外延结构包括由下至上依次形成于衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层由下至上依次包括空穴注入层、电流扩展层和欧姆接触层，所述空穴注入层为第一预设周期数的由下至上依次设置的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层交替层叠的周期性结构，所述第一子层和第二子层均为氮极性层，第三子层和第四子层均为镓极性层。本发明通过第一子层和第二子层均为氮极性层利于获得尖锐的掺杂界面，防止P型掺杂原子进入发光层，且所述第二子层可以保护所述第一子层的高浓度掺杂；通过第三子层和第四子层均为镓极性层，可以提高晶体质量。
一种 led 外延结构及其制备方法

[实用新型]一种煅烧炉无烟化进料机构-CN202320806238.8有效
发明人：郝奕森;高默然;董瑞豪 -专利权人：山西太谷明兴碳素玛钢有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： F27D3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种煅烧炉无烟化进料机构，包括：进料箱，其设置为矩形箱体结构，所述进料箱上端卡合连接有盖板，且盖板底端与进料箱上端接触位置对称设置有触点开关，所述触点开关与控制器电连接，且控制器安装在进料箱一侧，所述进料箱内壁上端对称设置有电控升降柱；半导体制热片，其对称安装在所述进料箱的硅胶片内部，所述进料箱中间设置有导向板。该煅烧炉无烟化进料机构，通过装置内部的导向板与电控收缩板配合，使得构成分隔进料箱内部空间的阻隔结构，向煅烧炉内部进料过程当中，与盖板配合，实现对进料箱内部空间的调整，使得进料箱与煅烧炉贯通对接之后，保持煅烧炉内部烟气阻拦，减少烟尘溢出。
一种煅烧无烟进料机构

[发明专利]微型发光二极管及其制造方法-CN202310372461.0在审
发明人：李森林;王亚宏;毕京锋;廖寅生;薛龙;董雪振;丘金金;高默然;赖玉财;谢岚驰 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：公开了一种微型发光二极管及其制造方法，微型发光二极管包括：衬底；缓冲结构，位于衬底上；外延层，位于缓冲结构上，外延层包括由下向上依次设置的第一发光结构、第一绝缘结构、第二发光结构、第二绝缘结构和第三发光结构；第一发光结构和第二发光结构通过第一绝缘结构隔离；第二发光结构和第三发光结构通过第二绝缘结构隔离；第一绝缘结构包括第一DBR反射层，第二绝缘结构包括第二DBR反射层；第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第五电极和第六电极，位于外延层上，分别将第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构中的半导体层引出，第一电极至第六电极的表面齐平。
微型发光二极管及其制造方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202310450614.9在审
发明人：董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金;薛龙;王亚宏;廖寅生;赖玉财 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂层、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，其中P型半导体层包括依次堆叠的第一P型半导体层、第二P型半导体层和第三P型半导体层，P型半导体层中的至少部分结构层掺杂有Mg，且第二P型半导体层的Mg掺杂浓度第一P型半导体层的Mg掺杂浓度第三P型半导体层的Mg掺杂浓度。本发明通过设置“U”字型掺杂的P型半导体层，能够增强电流扩展能力，提高LED的抗静电能力，改善LED的漏电问题，进而提高LED的可靠性。
led 外延结构及其制备方法

[发明专利]石墨盘的清洗方法-CN202110649489.5有效
发明人： 高默然;虞鑫达;郑锦坚;毕京锋;操晓敏;范伟宏;邬元杰;张成军;曾家明;房延振 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨盘的清洗方法，包括：提供一石墨盘，所述石墨盘的表面具有待去除的沉积物，所述沉积物包括高Al组分的化合物；以及，采用碱性溶液清洗、Cl2氛围下高温烘烤、HCl氛围下高温烘烤以及H2氛围下高温烘烤的方法中的至少两种去除所述沉积物。本发明的技术方案能够有效去除石墨盘表面的包括高Al组分的化合物的沉积物，避免影响后续生长的外延质量，进而避免影响发光二极管的性能。
石墨清洗方法

[实用新型]一种发光二极管的外延结构及发光二极管-CN202220891455.7有效
发明人：郑锦坚;王曼;常亮;高默然;毕京锋 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管的外延结构及发光二极管，包括：衬底；碳掺杂和硅掺杂的第一半导体层，位于所述衬底上；碳掺杂和硅掺杂的抗ESD层，位于所述第一半导体层上；多量子阱层，位于所述抗ESD层上；以及第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反；其中，所述抗ESD层包括至少一层的碳掺杂和硅掺杂的氮化物层。本实用新型的发光二极管的外延结构及发光二极管，在所述第一半导体层和所述多量子阱层之间增设碳掺杂和硅掺杂的抗ESD层，以提高发光二极管的抗静电能力以及发光效率。
一种发光二极管外延结构

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN202211091653.6在审
发明人：郑锦坚;丘金金;高默然;邬元杰;常亮;毕京锋 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括自下向上的衬底、n型半导体层、量子阱层、空穴注入层和p型半导体层，所述空穴注入层包含p型掺杂元素和n型非故意掺杂元素，所述p型掺杂元素的浓度与所述n型非故意掺杂元素的浓度之比a≥80。本发明的技术方案使得量子阱层中的电子和空穴浓度差异明显减小，进而使得发光二极管的光电转换效率得到明显提高。
发光二极管及其制造方法

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