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[发明专利]一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法-CN202110700999.0有效
发明人：郭凯;薛建凯;张向鹏;张晓娜;尉尊康;李勇强 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管包括LED外延片和设置在LED外延片上的n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)，在LED外延片的未设置n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)的区域上设有第一透明钝化层(1‑07)，第一透明钝化层(1‑07)上刻蚀有微阵结构(3‑01)，第一透明钝化层(1‑07)上沉积有高反射绝缘材料薄膜(3‑02)且高反射绝缘材料薄膜(3‑02)的厚度大于微阵结构(3‑01)的深度。其能够提高芯片的光提取效率，从而达到提升亮度的效果。
一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]入射增强的超晶格红外探测器及其制备方法-CN202310966805.0在审
发明人：文晋;薛建凯;李斌;冯伟;朱坤;苏莹;张培峰;张晋彪;尉尊康;刘明昊 -专利权人：太原国科半导体光电研究院有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供一种入射增强的超晶格红外探测器及其制备方法，超晶格红外探测器包括：红外材料，红外材料包括衬底和外延材料，所述外延材料设置在所述衬底上；互联结构；读出电路芯片，所述读出电路芯片通过所述互联结构与所述外延材料相连接；以及抗反膜，所述抗反膜设置在所述衬底的与所述外延材料相对的另一侧，所述抗反膜上设置有多个凹陷。根据本发明实施例的入射增强的超晶格红外探测器及其制备方法，通过在抗反膜上设置两种厚度，增强了对于两种波长红外信号的入射效果，以低成本的方式提升了超晶格红外探测器对于红外辐射的吸收量，提升了对于红外信号的检测能力并优化了成像效果。
入射增强晶格红外探测器及其制备方法

[实用新型]一种垂直结构深紫外发光二极管-CN202022524137.0有效
发明人：崔志勇;尉尊康;李勇强;郭凯;薛建凯;张向鹏;张晓娜;王雪 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种垂直结构深紫外发光二极管，其包括自下而上设置的N‑AlGaN层(104)、多量子阱层(105)、P‑AlGaN层(106)和P‑GaN层(107)，所述P‑GaN层(107)的部分区域的全部或一部分被去除掉并在所述P‑GaN层(107)的上表面上沉积有一层反射层(201)，所述反射层(201)的上表面上沉积有一层粘合金属层(202)，所述粘合金属层(202)的上表面上结合有一层导电基板层(301)，所述N‑AlGaN层(104)的部分下表面上制作有电极金属层(401)且所述电极金属层(401)的位置与所述P‑GaN层(107)的所述部分区域相对应。其可以解决现有技术中光提取效率低、电流横向扩展差的问题。
一种垂直结构深紫发光二极管

[发明专利]一种LED芯片的制造方法-CN201911308487.9有效
发明人：郭凯;崔志勇;薛建凯;张向鹏;尉尊康;王雪;张晓娜;李勇强 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本专利公开了一种LED芯片的制造方法，所述方法包括如下步骤：在衬底上生长外延层材料，形成包括多个LED芯片的晶圆模块；在所述衬底上形成多层改质层，包括：在衬底中形成端部改质层，所述端部改质层位于所述衬底内距离衬底厚度方向端部附近；在衬底中形成多个中部改质层,所述中部改质层在所述衬底厚度的方向上比所述端部改质层更接近所述衬底厚度的中心；将所述晶圆模块分裂成多个LED芯片。通过上述技术方案，通过隐形划片形成的改质层，达到衬底侧壁大面积且有规则锯齿形状的粗化效果。通过对衬底侧壁进行粗化，可使部分无法从正面出来的光子，从侧面发出，从而达到提高出光效率。
一种 led 芯片制造方法

[实用新型]一种倒装发光二极管芯片及具有其的倒装发光二极管-CN202022545544.X有效
发明人：白城镇;崔志勇;郭凯;薛建凯;张向鹏;张晓娜;李永强;尉尊康 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种倒装发光二极管芯片，包括衬底(1)，设置在衬底(1)上的N‑GaN层(2)，设置在N‑GaN层(2)的一部分上的多层量子阱层(3)和设置在多层量子阱层(3)上的p‑GaN层(4)，p‑GaN层(4)上设置有电流扩展层(9)，电流扩展层(9)和N‑GaN层(2)的剩余部分上设置有一次钝化层(5)，一次钝化层(5)上设置有DBR层(6)，一次钝化层(5)和DBR层(6)中有两个第一开口，两个第一开口中设置有两个第一电极(10)，DBR层(6)和两个第一电极(10)上设置有二次钝化层(11)，二次钝化层(11)中有两个第二开口，两个第二开口中设置有两个第二电极(12)。其可以极大地提高光提取效率及产品可靠性。
一种倒装发光二极管芯片具有

[实用新型]一种LED芯片-CN202021265683.0有效
发明人：郭凯;崔志勇;薛建凯;张向鹏;尉尊康;张小娜;王雪;李勇强 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本专利公开了一种LED芯片，其包括：采用高导热衬底，所述高导热衬底可选钼、铜钼、硅衬底等材料；电流阻挡层，设置在N电极下方；绝缘钝化层，设置在所述高导热衬底上；反射镜层，所述反射镜层包括，分别设置在N电极下方、衬底绝缘钝化层上方的P面反射镜层，N电极反射层区域做提前粗化处理；电流扩散层，所述电流扩散层设置P面反射镜层上；外延层结构，所述外延层结构包括自下而上设置的P型半导体材料层、量子阱层、N型半导体材料层。采用上述结构的LED芯片能够提高光输出效率，并提高散热效果，增加器件寿命。
一种 led 芯片

[发明专利]具有自体光子晶体结构的紫外发光二极管芯片的制备方法-CN202011623915.X在审
发明人： 尉尊康;崔志勇;曾一平 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有自体光子晶体结构的紫外发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)、在一次衬底(100)上生长外延结构(110)；(2)、在外延结构(110)顶层上表面沉积金属层(120)；(3)、在金属层(120)上沉积键合金属层(130)；(4)、在键合金属层(130)上键合二次衬底(140)；(5)、去除掉一次衬底(100)，裸露出外延结构(110)底层界面，然后对其进行蚀刻，形成接入电极的半导体层；(6)、采用激光辐照的方式在半导体层上制作由自体GaN与空气构成的自体光子晶体结构；(7)、在半导体层的具有自体光子晶体结构的出光面上沉积电极(150)。其加工简单、局限性小、成本低且光子晶体损结构伤小。
具有光子晶体结构紫外发光二极管芯片制备方法

[发明专利]一种垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法-CN202011216444.0在审
发明人：崔志勇;尉尊康;李勇强;郭凯;薛建凯;张向鹏;张晓娜;王雪 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)、去除掉深紫外发光二极管的外延结构的P‑GaN层(107)的部分区域的全部或一部分；(2)、在P‑GaN层(107)的表面沉积一层反射层(201)；(3)、在反射层(201)的表面沉积一层粘合金属层(202)；(4)、在粘合金属层(202)上结合一层导电基板层(301)；(5)、去除掉深紫外发光二极管的外延结构的N‑AlGaN层(104)下面的所有层，使N‑AlGaN层(104)裸露在最外层；(6)、在N‑AlGaN层(104)的部分表面上制作电极金属层(401)且使电极金属层(401)的位置与P‑GaN层(107)的所述部分区域相对应。其可以解决现有技术中光提取效率低、电流横向扩展差的问题。
一种垂直结构深紫发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种LED芯片-CN202021098254.9有效
发明人：薛建凯;崔志勇;郭凯;张向鹏;尉尊康;李勇强;王雪;张晓娜 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本专利公开了一种LED芯片，其特征在于，包括衬底，外延层，设置在所述衬底上，包括P型半导体材料层、N型半导体材料层、有源层；图案单元，设置在所述外延层中至少一层的侧边；所述图案单元包括在所述衬底侧边上形成的起伏图案，所述起伏图案的直径小于10微米，所述图案单元在所述侧边重复设置。该方式对芯片侧壁进行调整可以避免侧壁出光时的全反射，同时增加侧壁出光面积，从而有效提高芯片的出光效率，同时此改进可适用于各种有刻蚀工艺的芯片，以及全波段的芯片的使用。
一种 led 芯片

[发明专利]一种垂直近紫外发光二极管及其制备方法-CN202010475530.7在审
发明人： 尉尊康;崔志勇;郭凯;薛建凯 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本专利公开了一种垂直发光二极管，包括：金属衬底，所述金属衬底设置在底部；发光层，设置在金属衬底上方，所述发光层包括自下而上设置的P型半导体材料层、量子阱层、N型半导体材料层；ITO层，设置在N型半导体材料层上表面，所述所述ITO层上均匀设置有具有固定间隔周期的贯穿孔，所述ITO层以及所述贯穿孔的高度均为所述发光二极管发光波长的四分之一；在所述贯穿孔中固定设置第一金属材料电极；在所述ITO层的上表面设置有与所述ITO层以及所述第一金属材料电极接触的第二金属材料电极。通过上述方案提高了发光二极管的出光效率。
一种垂直紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种倒装LED芯片的制作方法-CN201911300430.4在审
发明人：崔志勇;薛建凯;郭凯;张向鹏;文晋;尉尊康;李勇强;王雪;张晓娜 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本专利公开了一种倒装LED芯片的制作方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、制作倒装半导体LED芯片；步骤二、对衬底进行初切，在衬底中间形成改质区域；所述改质区域包括多条碎片裂痕；步骤三、将所述衬底上表面粗化，并在所述倒装LED芯片的衬底上表面制作纳米图案；步骤四、用表面切割的方式在所述衬底上表面进行第二次切割，在所述衬底上形成槽，槽深接近改质区域的位置；步骤五、用裂片机芯片进行裂片，获得单独的芯粒。本专利通过粗化衬底和纳米图案的提高LED芯片透光率，并通过预先设置改质层解决粗化和纳米化衬底的批量切割问题。
一种倒装 led 芯片制作方法

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