[发明专利]全硅化金属栅极有效
| 申请号： | 200580022861.9 | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1981386A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 格伦·A·比利;米切尔·L·斯廷 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/062 | 分类号： | H01L31/062;H01L31/119 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括全硅化金属栅极以及硅化源极和漏极区的先进栅极结构，其中全硅化金属栅极具有大于硅化源/漏极区厚度的厚度。本发明也提供形成该先进栅极结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 全硅化 金属 栅极 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括由第一硅化物金属形成的具有第一厚度的全硅化金属栅极，以及由第二金属形成的具有第二厚度的相邻硅化源极和漏极区，其中所述第二厚度小于第一厚度，并且所述硅化源极和漏极区与至少包括该全硅化金属栅极的栅极区的边缘对准。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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