[发明专利]可移动离子薄膜及铁电场效应晶体管、电容、制备方法在审
| 申请号： | 202210533430.4 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114664940A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;玉虓;韩根全;刘艳;金成吉;陈佳佳 | 申请（专利权）人： | 之江实验室 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01G4/005;H01G4/33 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 310023 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种可移动离子薄膜及铁电场效应晶体管、电容、制备方法。本发明的可移动离子薄膜为绝缘氧化层，总厚度为3‑10nm；绝缘氧化层内含有可移动离子，可移动离子由带正电荷的氧空位和带负电荷的氧离子组成。可移动离子可以下电场作用下发生迁移形成偶极子。本发明的可移动离子薄膜具有类铁电特性，可作为新型铁电栅介质层代替传统钙钛矿结构和HfO |
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| 搜索关键词： | 移动 离子 薄膜 电场 效应 晶体管 电容 制备 方法 | ||
【主权项】：
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