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[发明专利]一种用于安全芯片的防篡改布线结构-CN201510731416.5在审
发明人：陈杰;王良清 -专利权人：深圳国微技术有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于安全芯片的防篡改布线结构，包括：至少一个防篡改基本单元，该防篡改基本单元由自顶向下层叠设置的四层金属结构构成，第一层金属结构和第三层金属结构内设有供电网络线，第二层金属结构和第四层金属结构内设有防篡改屏蔽线。多个所述的防篡改基本单元以最小金属间距进行平铺组合。相邻的防篡改基本单元之间可插入缓冲器。本发明合理又安全的将防篡改网络和供电网络结合在一起，供电网络可以承担大的电流，防篡改网络安全有效的保护整个芯片。
一种用于安全芯片篡改布线结构

[发明专利]一种三维集成芯片结构及其制备方法-CN201510448294.9在审
发明人：胡胜;周玉;孙鹏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及三维集成领域，尤其涉及一种三维集成芯片结构及其制备方法，利用金属屏蔽电磁信号和传热更快更均匀原理，通过在晶圆上增加一层屏蔽层，用以消除相邻晶圆之间的串扰。所述屏蔽层可以将三维集成晶圆之间的串扰屏蔽到最小，并将剩下的部分分散均匀化，工艺简单。
一种三维集成芯片结构及其制备方法

[实用新型]一种蘑菇型人工磁导体结构及偶极子天线和单端电感-CN201520165272.7有效
发明人：韩波;宋有才;刘华明;刘德方;张媛 -专利权人：阜阳师范学院
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蘑菇型人工磁导体结构及偶极子天线和单端电感，包括两条呈十字型交叉、长度相等的中心金属条，两条中心金属条的交叉处通过金属过孔接地，每条中心金属条上还带有若干一端与其所接触的中心金属条垂直的垂直金属条，所述垂直金属条的长度是中心金属条的一半，每条中心金属条上的垂直金属条数量相等，且呈中心对称分布。本实用新型提出的一种蘑菇型人工磁导体结构，该结构能够与CMOS工艺兼容，在片上天线与硅衬底间起到电隔离的作用，并在特定频段内具有抑制表面波的特性，进而提高片上天线辐射效率；本实用新型提出的蘑菇型人工磁导体结构不仅能够提高片上天线辐射效率，而且能够隔离片上螺旋无源元件的漩涡电流，提高片上螺旋无源元件的品质因数。
一种蘑菇人工导体结构偶极子天线电感

[发明专利]电子阵列和芯片封装-CN201510045567.5在审
发明人： V.施特鲁茨;陈志文;H.托伊斯;黄惠婷 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：电子阵列和芯片封装。电子阵列可包括：具有第一操作电压的第一电子部件；具有第二操作电压的第二电子部件，其中第二操作电压不同于第一操作电压，且其中第一电子部件和第二电子部件被布置在彼此之上；在第一电子部件和第二电子部件之间的隔离层，其中隔离层使第一电子部件与第二电子部件电隔离；至少部分地在隔离层和第一电子部件之间或在隔离层和第二电子部件之间形成的至少一个连接层，其中连接层包括第一部分和第二部分，其中第一部分和第二部分均从对应的电子部件延伸到隔离层，其中第一部分包括将隔离层固定到对应的电子部件的电隔离材料，且其中第二部分包括将对应的电子部件电耦合到隔离层的导电材料。
电子阵列芯片封装

[发明专利]一种蘑菇型人工磁导体结构-CN201510130717.2在审
发明人：韩波;宋有才;刘华明;刘德方;刘争艳 -专利权人：阜阳师范学院
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种蘑菇型人工磁导体结构，包括两条呈十字型交叉、长度相等的中心金属条，两条中心金属条的交叉处通过金属过孔接地，每条中心金属条上还带有若干一端与其所接触的中心金属条垂直的垂直金属条，所述垂直金属条的长度是中心金属条的一半，每条中心金属条上的垂直金属条数量相等，且呈中心对称分布。本发明提出的一种蘑菇型人工磁导体结构，该结构能够与CMOS工艺兼容，在片上天线与硅衬底间起到电隔离的作用，并在特定频段内具有抑制表面波的特性，进而提高片上天线辐射效率；本发明提出的蘑菇型人工磁导体结构不仅能够提高片上天线辐射效率，而且能够隔离片上螺旋无源元件的漩涡电流，提高片上螺旋无源元件的品质因数。
一种蘑菇人工导体结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310583045.1在审
发明人：盛亚;姚晓芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的界面区域，所述第一区域用于形成第一电路模块，所述第二区域用于形成第二电路模块；在半导体衬底内的第一区域和第二区域分别形成第一隔离阱和第二隔离阱，所述第一隔离阱和第二隔离阱具有第一电阻率和第二电阻率；以及至少在所述界面区域形成保护区域，所述保护区域具有第三电阻率，所述第三电阻率大于所述第一电阻率，所述第三电阻率大于第二电阻率。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种用于识别焊垫的器件结构-CN201420815870.X有效
发明人：李英伟;高健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于识别焊垫的器件结构，至少包括：金属互连层和位于其上的顶层介质层；该金属互连层由若干相互堆叠的介质层和嵌于每一介质层中的金属组成；位于所述顶层介质层中且穿透其上下表面的顶层金属结构；所述顶层金属结构包括上表面位于同一水平面内的第一、第二金属结构；该第二金属结构位于第一金属结构两侧；所述第二金属结构与位于其下方的介质层中的金属连接；所述顶层介质层之上设有钝化层；所述钝化层设有完全暴露出第一金属结构上表面的凹槽。本实用新型的器件结构中的所述第一金属结构使得金属焊垫在光学显微镜下的亮度提高，并能有效分辨出用于引线的金属焊垫来提高产品的良率。
一种用于识别器件结构

[发明专利]低压静电保护环-CN201310424468.9无效
发明人：梁懿 -专利权人：梁懿
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：低压静电保护环，包括第一物理层、第二物理层、连接第一物理层和第二物理层之间的多个孔，其特征在于，在静电保护环拐角处的尖角区域不具备孔。采用本发明所述低压静电保护环，在拐角处减少了孔的数量，使电场线在拐角处被削弱，增强了拐角处的耐压，提高了整个芯片的抗静电等级。
低压静电保护环

[发明专利]照明装置-CN201310168395.1在审
发明人：陈正言;史梅君;史诒君 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种照明装置，包括至少一发光元件以及一透光灯罩。透光灯罩配置于发光元件的一侧且位于发光元件的出光路径上。透光灯罩具有一密闭空间、一第一流体以及一第二流体。第一流体为胶体溶液，且第一流体与第二流体彼此不相互溶解并流动于密闭空间中，以改变发光元件的出光光形。
照明装置

[发明专利]半导体器件及半导体晶片-CN201410063577.7在审
发明人：石井泰之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种可提高经过切割工序所获得的半导体器件的可靠性的技术。在环形区域中的密封圈的外侧设置第一外环，且在所述第一外环的外侧设置有第二外环。由此，在通过划片刀将环形区域的外侧的切割区域进行切断时，便可防止裂痕到达环形区域中的密封圈上。
半导体器件半导体晶片

[发明专利]硅穿孔修补电路-CN201310172891.4无效
发明人：曾珮玲;苏耿立 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种硅穿孔修补电路。硅穿孔修补电路包括：第一及第二传输控制开关以及至少两个传输路径模块。第一及第二传输控制开关依据切换信号或反相切换信号以决定导引第一芯片或第二芯片的输入信号到各个传输路径模块的两端的其中一个。每个传输路径模块包括至少两个数据路径电路及对应的硅穿孔。各个数据路径电路包括：输入驱动电路、短路检测电路以及漏电流消除电路。短路检测电路检测硅穿孔是否与硅基板发生短路，并产生短路检测输出信号。漏电流消除电路依据短路检测输出信号以避免由第一电平电压所产生的漏电流流入硅基板。
穿孔修补电路

[发明专利]一种基于深N阱结构的垮芯片保护环电路-CN201210563690.2有效
发明人：董浩然;崔葛;沈红伟 -专利权人：北京中电华大电子设计有限责任公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深N阱(Deep Nwell)层垮芯片保护环(Sealring)的连接结构，这种连接结构在芯片垮划片槽传输信号的同时避免破坏本芯片的保护环(Sealring)。该器件包括埋于衬底中的深N阱(Deep Nwell)，作为电阻两端的N阱(Nwell)、Ndiff(N+注入)、Metal(金属)。条带状的Deep Nwell通过与之接触的Nwell延伸至衬底表面，Nwell中的Ndi ff与Metal形成欧姆接触，分别接外部信号线。
一种基于结构芯片保护环电路

[发明专利]具有凸块连接方案的集成电路-CN201310175504.2在审
发明人：李东郁;金英住;宋根洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路，所述集成电路包括：第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘用第一间隙彼此间隔开，被配置成接收用于正常操作的差分信号；以及至少一个冗余凸块焊盘，所述至少一个冗余凸块焊盘用比第一间隙更小的第二间隙与第一凸块焊盘间隔开，被配置成接收用于修复差分信号的信号。
具有连接方案集成电路

[发明专利]用于三维集成电路的装置和方法-CN201310067840.5有效
发明人：吴胜郁;蔡佩君;张志鸿;郭庭豪;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了用于三维集成电路的装置和方法，其中，一种结构包括：衬底，包括位于衬底上的多条线；多个连接件，形成在半导体管芯的顶面上，半导体管芯形成在衬底上并通过多个连接件和形成在衬底顶面的角部处的伪金属结构连接至衬底，伪金属结构具有两个不连续部分。
用于三维集成电路装置方法

[发明专利]一种用于智能卡的有源防护装置-CN201210404611.3有效
发明人：岳超;黄金煌;陈冈;霍俊杰;朱万才;邰晓鹏;黄钧;宋翌;丁义民 -专利权人：北京同方微电子有限公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种用于智能卡的有源防护装置，涉及集成电路领域。本发明包括有源信号发送模块、有源信号接收模块、金属线层和有源信号判决模块，其结构特点是，所述有源信号发送模块、有源信号接收模块和有源信号判决模块的数量以及金属线层的层数为两个或者两个以上。有源信号发送模块、有源信号接收模块和有源信号判决模块的数量与金属线层的层数相一致并此乃古城独立的多层结构。同现有技术相比，本发明能有效避免对智能卡的入侵式或者半入侵式攻击，具有结构简单、可靠性高的特点。
一种用于智能卡有源防护装置