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[发明专利]半导体装置和穿通电极测试方法-CN201110037557.9无效
发明人：出羽光明 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-02-14 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置和穿通电极测试方法。该半导体装置包括：半导体基板；集成电路，形成在半导体基板的第一主表面上；穿通电极，在厚度方向上贯通半导体基板，并且其一端电连接到集成电路；凸块电极，形成在半导体基板的第二主表面上，并且电连接到穿通电极的另一端；以及测试焊盘电极，形成在半导体基板的第二主表面上，并且电连接到凸块电极。
半导体装置通电测试方法

[发明专利]分析物传感器、测试设备和制造方法-CN200980138997.4有效
发明人：费江枫;雷安·吉福德;纳拉辛汉·帕拉斯尼斯;塞尔邦·彼得尤;孙海昌;王瑗;伍牧 -专利权人：拜尔健康护理有限责任公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明在一些方面中提供用于检测生物流体样品中的分析物浓度水平的分析物传感器。该分析物传感器可以包括与基体连接的传感器第一构件，其中该传感器第一构件包含半导体材料；与该基体连接的传感器第二构件；以及至少接触该传感器第一构件的活性区。在一些方面中，该传感器第一构件可以是纤维，并且可以具有导电芯部和包围该芯部的半导体包层。在其他方面中，本发明提供制造上述传感器的方法和利用上述传感器的设备。
分析传感器测试设备制造方法

[发明专利]微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构-CN201010102404.3有效
发明人：蒋立飞;吴颜明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构，包括：多个金属层和有源区，多个金属层包括顶金属层，与有源区连接的第1金属层和顶金属层与第1金属层之间的至少一个中间金属层，第1金属层包括一个回路，顶金属层分为四个互不相连的端口顶金属层区域，各区域下的中间金属层区域的范围均在相应端口顶金属层区域的范围内，接地端口顶金属层区域与其下的中间金属层区域和第1金属层的回路逐层连接，至少去除一层位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域，断开信号端口顶金属层区域与第1金属层的连接。根据本发明的结构能够有效清除寄生电容，提高测试结构参数与实际电路参数的一致性。
电容 mos 变容管变容二极管开路测试结构

[发明专利]包含应力松弛间隙以提升芯片封装交互作用的稳定性的半导体设备-CN200980133562.0有效
发明人： M·格里伯格;M·U·莱尔 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：通过将单个芯片区域分为多个独立子区域(以一个或多个应力松弛区280a、280b为基础分为200a、200b、200c)可降低在复杂集成电路运行期间该子区域的各区域中的热诱导应力，从而提升包括低k介电材料或超低介电常数(ULK)材料的复杂金属化系统的总体可靠性。因此，与现有技术相比，本发明可结合半导体芯片(200)横向尺寸的增加使用大量堆迭金属化层。
包含应力松弛间隙提升芯片封装交互作用稳定性半导体设备

[发明专利]具有允许在制造工艺期间进行电性测量的包括芯片内部电性测试结构的半导体装置-CN200980129559.1无效
发明人： M·格里贝格尔;M·莱尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2009-05-30 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：精密半导体装置的管芯区域(210)内可设置测试结构或者暂时作为测试结构的电路元件，同时为了避免过度消耗昂贵的管芯面积，探针垫片(241A、241B)可位在框架(230)中。可通过包含经埋藏部分(245A、246A)的导电路径(245、246)建立该测试结构与该探针垫片(241A、241B)之间的电性连接，该电性连接在管芯密封(220)的下方自该管芯区域(210)延伸进入该框架，藉此维持该管芯密封(220)的电性与力学特性。
具有允许制造工艺期间进行测量包括芯片内部测试结构半导体装置

[发明专利]带有介电层组的半导体元件-CN201010519976.1在审
发明人： W·沃纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：半导体元件具有半导体区域、与该半导体区域相邻的第一导电层、带有第一介电特性的第一介电层和带有第二介电特性的第二介电层。这时，该第一介电特性不同于第二介电特性。第一介电层和第二介电层安排在该半导体区域和该第一导电层之间。第二导电层设置在第一介电层和第二介电层之间。在该第一导电层和半导体区域10之间连接分压器。该第二导电层只与这个分压器电连接。
带有介电层组半导体元件

[发明专利]对切割的集成电路中的破裂的抑制-CN201010219751.4无效
发明人： M·A·巴克曼;J·W·奥森巴赫 -专利权人： LSI公司
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及对切割的集成电路中的破裂的抑制。一种半导体器件具有拆分的管芯，所述拆分的管芯具有基板和管芯边缘。互连电介质层定位在该基板上，并且集成电路具有定位在该互连电介质层内的互连部。沟槽定位在该互连电介质层中并且定位在密封环与该互连电介质层的残余部分之间。该密封环定位在互连电介质层内并且定位在该沟槽与该集成电路之间，并且该互连电介质层的残余部分定位在该沟槽与该管芯的边缘之间。
切割集成电路中的破裂抑制

[发明专利]大输入电压范围零漏电流的输入上拉电路-CN201010107891.2有效
发明人：许刚 -专利权人：上海山景集成电路技术有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：大输入电压范围零漏电流的输入上拉电路，属于微电子领域。现有技术存在漏电流、阻值不易控制等问题，本发明的开关MOS管的电流输出极通过一可控阻值元件与芯片的信号输入电平相连，开关MOS管的栅极为上拉信号输入端，开关MOS管的电流输入极通过一反向截至电路与芯片的最高输入电位相连，当芯片的信号输入电平高于最高输入电位时，该反向截至电路截止。采用动态改变上拉MOS管衬底偏置，并加设二极管的方法，来实现上拉，同时避免在输入电平高于芯片最高电压时的漏电流。
输入电压范围漏电电路

[发明专利]具有多次性开关的基板封装结构-CN200910128598.1无效
发明人：洪志斌;邱基综;洪常瀛;刘升聪 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开一种具有多次性开关的基板封装结构，其包含一基板、至少一芯片、一封装胶体及至少一开关。所述基板承载及电性连接所述至少一芯片。所述至少一开关结合于所述基板上。所述封装胶体封装所述至少一芯片或封装包含所述至少一开关于所述基板上。所述至少一开关可控制所述芯片，因此，所述基板封装结构能利用设于所述基板上的至少一开关来控制所述芯片，使得与所述基板封装结构相连接的一外部电路板不需另外设置电路开关，甚至可省略设置电路板，因而可有效缩小电子产品整体电路组件的体积以应用于小型化之电子产品。
具有多次开关封装结构

[发明专利]背侧层的磁检测-CN200880111860.5有效
发明人：维克托·泽尔恩;罗伯图斯·A·M·沃尔特斯 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括具有第一侧和相对的第二侧的衬底的集成电路。在衬底的第一侧(S1)上设置电路(EC)，其中该电路(EC)包括至少一个磁场传感器(Snsr1，Snsr2，Snsr3，Snsr4)。该集成电路还包括通过采用晶片级类型沉积处理步骤，在衬底(SUB)的第二侧(S2)上设置的可磁化区(MR)。可磁化区(MR)的磁矩配置成用于产生在至少一个磁场传感器(Snsr，Snsr1，Snsr2，Snsr3，Snsr4)的位置可检测的磁场(H1，H2)。本集成电路构成了一个非常简单的结构，并且实现了高度小型化的解决方案，由于缩小了尺寸很适合用于银行卡。尝试从其环境(例如银行卡)去除根据本发明的集成电路会造成可磁化区(MR)损坏(部分去除)或者甚至完全去除。本发明提供了抵御外来攻击的第一级安全。本发明的实施例提供了更高的安全级别。阐述了可以有利地集成在该集成电路中的各种磁场传感器。本发明也涉及设置有这种集成电路的卡。按照本发明的设计的卡更加安全。本发明还涉及初始化这种集成电路的方法以及检验这种集成电路真实性的方法。
背侧层检测

[发明专利]安全芯片-CN200880105557.4有效
发明人： J·沃克;T·博斯维尔 -专利权人： NDS有限公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开一种安全芯片。所述安全芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的集成电路，所述集成电路包括电路元件、将所述电路元件连接到一起的电路互连层，以及支撑所述电路互连层的层间触点；至少部分屏蔽所述集成电路的屏蔽件；以及位于所述屏蔽件和所述集成电路中的至少一个进光孔，其中，每一进光孔具有由所述电路互连层和层间触点的一部分形成的闭合形状，其中，在所述电路互连层和层间触点的所述一部分上不能测量可利用的电压，并且其中，每一进光孔形成光穿透至所述衬底的路径，防止所述光到达所述电路元件。本发明还公开了相关的装置和方法。
安全芯片

[发明专利]用于具有保护涂层的装置的感测电路-CN200880003372.2有效
发明人：约翰内斯·A·J·范格洛文;罗伯特斯·A·M·沃尔特斯;宁克·费尔哈格 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-01-28 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种集成电路，其具有不均匀的保护层或涂层和感测电路(80)，不均匀的保护层或涂层位于要被保护的电路上，感测电路被用来感测与位于集成电路上的参考阻抗(CO)相比的保护涂层的一部分的第一阻抗。感测电路能够测量例如由改动引起的第一阻抗的变化。感测电路包括具有反馈回路的放大器(OTA)，使得正被感测的阻抗位于反馈回路中。可以在振荡器电路(OTA，Comp)中并入感测电路，使得频率取决于阻抗。在阻抗是电容的情况下，临近保护层或涂层的感测电极形成了这个电容。这些电极可以被布置为可选择的交叉梳状结构，使得保护层或涂层在梳状结构的齿间延伸。
用于具有保护涂层装置电路

[发明专利]用于防止微机械系统中抗粘连的优先沉积润滑剂-CN200780049134.0有效
发明人：东敏·陈;福林·熊;威廉·斯潘塞·沃利三世 -专利权人：明锐有限公司
申请日： 2007-11-01 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及用于防止微机械系统中抗粘连的优先沉积润滑剂。本发明的实施例大体设计由于存在润滑剂而改善了可用寿命的器件，该润滑剂减小了机电器件中的各个运动部件之间发生粘连的可能性。本发明的实施例还大体包括器件及形成器件的方法，该器件具有一个或多个表面或区域，所述表面或区域上布置有某体积的润滑剂，用作“新鲜”润滑剂的现成供应以防止器件内的相互作用元件之间发生粘连。在一个方面，该体积的润滑剂内的成分形成气相或蒸气相，降低了所形成的器件中与粘连相关的失效的几率。在一种示例中，本发明的各方面特别有利于制造和使用微机械器件，例如MEMS器件、NEMS器件或其他类似的热学或流体器件。
用于防止微机系统粘连优先沉积润滑剂

[实用新型]一种芯片的保护圈-CN200820175261.7有效
发明人：任丙振;张进刚 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种芯片的保护圈，该保护圈是由导体材料制成的环状物，位于要保护的芯片外围以将芯片围在保护圈之中，该保护圈具有多条槽使得保护圈的外围与内边贯通，使保护圈绕环行方向呈分离间断的不连续形状。采用本实用新型可以降低IC芯片制造过程中蛇纹缺陷发生的几率，从而提高晶片的合格率。
一种芯片保护

[发明专利]具有底部源极的横向式扩散金属氧化物场效应晶体管的结构及其方法-CN200780026838.6有效
发明人：弗兰茨娃·赫尔伯特 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2007-07-28 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体(BS-LDMOS)器件。该器件包括一源极区域(160)，其横向的设置在漏极区域(125)的对面，该漏极区域靠近半导体衬底(105)的上表面，在该半导体衬底上的位于源极区域和漏极区域之间设有一栅极(140)。本BS-LDMOS器件更包括一组合式深井-沟道区域(115)，其位于半导体衬底(105)的一定深度处，并在整个本体区域(150)之下，且本体区域与靠近上表面的源极区域(160)相邻，其中组合式深井-沟道区域是作为一埋藏式源极-本体接触，用于电性连接本体区域(150)、源极区域(160)至作为源极电极的半导体衬底(105)的底部。一漂移区域(125)设置在靠近上表面的栅极(140)下方，且远离源极区域(160)，并延伸且环绕漏极区域(125)。
具有底部横向扩散金属氧化物场效应晶体管结构及其方法