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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于集成电路的反篡改屏蔽连接线-CN98107718.8无效
发明人：布兰特·坎德洛尔 -专利权人：通用仪器公司
申请日： 1998-02-24 - 公布日： 1998-12-02 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种用于集成电路(IC)的反篡改屏蔽包括一根通过一防护层,例如是IC中一环氧树脂密封层的连接线。上述连接线传递一个信号,上述连接线被装在上述密封层内,及/或最接近上述密封层处,以便对IC的拆封能引起电子导电部件的断裂,从而使处理器变为不能工作的状态。上述连接线可以以各种结构方式和上述处理器耦合,包括对内部或外部连接焊盘、引线框式触点、及/或直接与装有上述IC的计算机板相连的用法。可将一金属屏蔽层设置在有源器件及密封层的顶部之间,以防止例如是非法侵权者使用电子显微镜来观察有源器件区。
用于集成电路篡改屏蔽连接线

[发明专利]在基片上形成突出部的方法和装置-CN96122850.4无效
发明人：唐纳德·C·阿博特;雷蒙德·A·费雷谢特;加里·D·马什;里查德·M·布鲁克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 1996-10-16 - 公布日： 1997-07-16 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种在基片上形成突出部(73)的方法和装置，包括将掩模(12)定位于基片(13)上，掩模具有开口(15)，在需要形成突出部的位置(17)露出基片。产生一等离子体(57)，将用以形成突出部的颗粒或小粒(69)引入等离子体，通过后者变换为液态或熔融的小滴(64)，并使其喷射或淀积在掩模和基片的外露区域上。允许熔融小滴聚结在基片上形成突出部。然后移去掩模。掩模可由任何合适的材料制成，可选择使其能回收任何过喷的突出部材料。
基片上形成突出方法装置

[发明专利]一种半导体器件静电放电特性的改进方法-CN91103565.6无效
发明人：柳荣益;朴侍弘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1991-05-29 - 公布日： 1992-07-22 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明是关于改善静电放电(E.S.D)特性的方法。尤其是对于改善半导体器件E.S.D特征的方法，本发明不采用E.S.D保护图形，通过使n+区与隔离层之间的实际空间大于n+区与半导体衬底间的实际空间引入纵向击穿，从而可使E.S.D特性提高到2000伏左右。
一种半导体器件静电放电特性改进方法

[发明专利]一种电钝化集成电路的装置-CN88109121.9无效
发明人：弗林曼·阿夫 -专利权人：卡姆斯事业公司
申请日： 1988-10-08 - 公布日： 1991-08-07 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及到利用钝化电容以电钝化IC一电路的一种装置。根据本发明，获得了一个特别简单和有效的对电路的电钝化，用安装，如胶粘一种金属薄片(2)在电路上，通过一短的导体把电路的接地(3)连结到薄片的边缘。并把信号输出(4)和电源导体(5)通过各自焊接的夹片电容(7、8)直接连结到薄片的边缘。
一种钝化集成电路装置

[实用新型]硅平面低温度系数稳压管-CN89218961.4无效
发明人：祝春涛;何书琴;单志刚 -专利权人：锦州市半导体二厂
申请日： 1989-11-04 - 公布日： 1990-09-19 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种硅平面低温度系数稳压管，克服了现有的稳压管稳压值低、功率小、适用温度范围不够广的缺点，特征在于，在管座上分别粘接至少二个芯片，其中一个芯片上制作有稳压结，其它芯片上各制作有与稳压结的温度系数相匹配的补偿结，所说的稳压结与补偿结依次串接在一起，可满足航空、航天及处于环境温度急剧变化、特别是负温条件下设备工作的需要。
平面温度系数稳压

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