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[发明专利]分析阳极活性材料中残留锂化合物的方法-CN202280018616.4在审
发明人：金庆洛;李东郁;郑珉焕;徐有境 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种分析用于锂二次电池的阳极活性材料中的残留锂化合物的方法，所述分析方法包括以下步骤：使用氧/氮/氢分析仪(ONH分析仪)和卡尔费休分析仪分析阳极活性材料的样品，以确定H组分的量；使用碳/硫分析仪(CS分析仪)分析所述样品以确定C组分和S组分的量；使用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP‑OES)分析所述样品以确定Li组分的量；以及使用H、C和S组分的定量结果计算样品中LiOH、Li2CO3和Li2SO4各自的量，并且使用Li组分的定量结果计算样品中Li2O的量。根据本发明的分析方法，可以分析存在于阳极活性材料中的所有四种残留锂化合物LiOH、Li2CO3、Li2SO4和Li2O的量。
分析阳极活性材料残留化合物方法

[发明专利]存储系统-CN201910294602.5有效
发明人： 李东郁 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储系统，其涉及针对具有高带宽的高带宽存储器(HBM)的技术。该存储系统包括：第一芯片，其被配置为执行第一操作；第二芯片，其被配置为执行第二操作；以及层叠式存储器件，其被配置为包括多个存储器的层叠结构。层叠式存储器件被配置为由第一芯片和第二芯片经由共享总线来访问。
存储系统

[发明专利]外壳的垂直接头结合结构及燃气轮机-CN202310141023.3在审
发明人：梁泳澯;李东郁 -专利权人：斗山恒能有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： F01D25/24 文献下载
摘要：本发明涉及外壳的垂直接头结合结构及燃气轮机。在一个方面中，描述了一种外壳的垂直接头结合结构，其包括：第一外壳，燃气在内部流动；第二外壳，连接到所述第一外壳；垂直接头，安装在所述第二外壳并结合到所述第一外壳；多个螺栓，紧固到所述垂直接头与所述第一外壳；多个顶起螺丝，分解或组装所述第一外壳与第二外壳时插入所述垂直接头而在所述第一外壳与垂直接头之间确保间隙；及，填隙片，插入所述第一外壳与垂直接头之间的间隙。
外壳垂直接头结合结构燃气轮机

[发明专利]包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器-CN201711443369.X有效
发明人：李载昊;申铉振;李东郁;朴晟准;李基荣;李殷奎;赵常玹;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。
包括石墨量子光学传感器图像传感器

[发明专利]硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模-CN201711135559.5有效
发明人：金尚元;薛珉洙;申铉振;李东郁;郑盛骏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括溶剂、2D碳纳米结构(和/或其衍生物)、和0D碳纳米结构(和/或其衍生物)。
模组使用形成图案方法硬掩模

[发明专利]集成电路-CN201811591692.6有效
发明人：朴日光;金支焕;李东郁 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成电路。所述集成电路包括：一个或多个第一区段，在其中与一个命令相对应的第一数据至第N数据通过一条线传送(其中N是等于或大于2的整数)；以及两个或更多个第二区段，在其中所述第一数据至第N数据以1：N被串行至并行地转换并通过N条线传送；其中每当所述命令被施加时，所述第一数据至第N数据在不被反相的情况下被传送或者在所述两个或更多个第二区段之中的至少一个第二区段中被反复反相之后被传送。
集成电路

[发明专利]使用石墨烯量子点的散热结构以及制造该散热结构的方法-CN201710700935.4有效
发明人： 李东郁;金尚元;薛珉洙;郑盛骏;南胜杰;朴晟准;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。
使用石墨量子散热结构以及制造方法

[发明专利]地址和命令发生电路以及半导体系统-CN202310008587.X在审
发明人： 李东郁;金支焕;朴日光 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本发明公开了一种地址和命令发生电路以及半导体系统。所述地址和命令发生电路可以包括列地址发生器，所述列地址发生器被配置为：校正列地址的错误，当所述列地址对应于读取命令时基于未校正的列地址来产生内部列地址，以及当所述列地址对应于写入命令时基于校正的列地址来产生所述内部列地址。
地址命令发生电路以及半导体系统

[发明专利]半导体器件-CN202210634325.X在审
发明人： 李东郁 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03K5/15 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一传送路径，其输出第一预备信号；第二传送路径，其输出第二预备信号；第三传送路径，其输出第三预备信号；第一校准电路，其生成第一校准码，该第一校准码对应于第一传送路径与第一传送路径至第三传送路径之中的具有最大延迟值的被选传送路径之间的延迟值之差；第二校准电路，其生成第二校准码，该第二校准码对应于第二传送路径与被选传送路径之间的延迟值之差；第三校准电路，其生成第三校准码，该第三校准码对应于第三传送路径与被选传送路径之间的延迟值之差；第一延迟控制电路，其生成第一信号；第二延迟控制电路，其生成第二信号；以及，第三延迟控制电路，其生成第三信号。
半导体器件

[发明专利]地址和命令发生电路以及半导体系统-CN201811102287.3有效
发明人： 李东郁;金支焕;朴日光 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种地址和命令发生电路以及半导体系统。所述地址和命令发生电路可以包括列地址发生器，所述列地址发生器被配置为：校正列地址的错误，当所述列地址对应于读取命令时基于未校正的列地址来产生内部列地址，以及当所述列地址对应于写入命令时基于校正的列地址来产生所述内部列地址。
地址命令发生电路以及半导体系统

[发明专利]集成电路芯片以及包括其的半导体器件-CN201811609977.8有效
发明人： 李东郁 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成电路芯片和一种半导体器件。集成电路芯片包括：多个参考吸收电路，其适用于分别吸收来自多个参考穿通芯片通孔的电流；导线，其适用于电耦接多个参考穿通芯片通孔；比较电压发生电路，其适用于基于导线的电压而产生多个比较电压；至少一个吸收电路，其适用于吸收来自至少一个正常穿通芯片通孔的电流；以及比较电路，其适用于将正常穿通芯片通孔的电压与多个比较电压作比较。半导体器件包括：第一集成电路芯片；第二集成电路芯片；多个参考穿通芯片通孔，其穿过第一集成电路芯片和第二集成电路芯片而形成；以及至少一个正常穿通芯片通孔，其穿过第一集成电路芯片和第二集成电路芯片而形成。
集成电路芯片以及包括半导体器件

[发明专利]空气净化装置控制方法-CN201980076201.0有效
发明人： 李东郁 -专利权人：优岚株式会社
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： F24F11/70 文献下载
摘要：本发明涉及空气净化装置控制方法，运行执行器，用控制部将密封板和贯通孔之间、第一密封部件和进气孔之间及连接外壳的连通孔和进气孔之间的距离调整为已设定的距离，并且用各个空气温度传感器及灰尘浓度传感器检测进入贯通孔的空气的温度及空气中所含的灰尘浓度，用控制部计算该检测的信号值，再调整密封板和贯通孔之间的距离、第一密封部件和进气孔之间的距离及连接外壳的连通孔和进气孔之间的距离，进而调节进入室内的外气的供气量。根据本发明，为对应于由空气温度传感器检测的空气温度计算值及由灰尘浓度传感器检测的灰尘浓度计算值，调节密封板和贯通孔之间的距离，进而调节进入室内的外气的量，另外为与密封板和贯通孔之间的距离成反比例地调节连接外壳的连通孔和进气孔之间的距离，进而与进入空气净化器的外气的供气量增加或者减少成反比例地减少或者增加进入空气净化器的内气的供气量，同时可保持室内温度及降低污染度，尤其是，控制部计算从空气温度传感器及灰尘浓度传感器接收的信号值，进而具有自动调节密封板和贯通孔之间的距离及连通孔和进气孔之间的距离的优点。
空气净化装置控制方法

[发明专利]空气循环装置-CN202010242949.8有效
发明人： 李东郁 -专利权人：优岚株式会社
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： F24F7/007 文献下载
摘要：本发明涉及一种空气循环装置，其中，在划分部内侧设置有外壳，在外壳内设置有彼此接头连接的前密封板和后密封板，在前密封板与后密封板之间设置有致动器，在外壳后方设置有空气净化装置，通过致动器使后密封板水平移动，使得前密封板和后密封板一体地水平移动，从而外壳的前端和后端同时开放，此时，通过外壳与前密封板之间的间隙流入到外壳中的空气通过后密封板与后密封板之间的间隙排放到空气净化装置，且将此时排放的空气通过空气净化装置净化，以将净化的空气排放到室内。根据本发明，可以同时打开或关闭外壳的前端和后端，以提高外壳的密封力，因此没有外气通过密封的外壳的间隙流入到室内的可能性。
空气循环装置

[发明专利]半导体装置-CN201810175391.9有效
发明人：朴阳光;金支焕;李东郁 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开一种包括多个堆叠芯片的半导体装置。堆叠芯片中的每一个包括以正多边形形状布置的多个通孔。每个芯片的通孔被形成在堆叠方向上的相应位置处。每个芯片的各个通孔电连接到在堆叠方向上相邻的芯片的通孔，使得连接的通孔在基本上相同的方向上彼此间隔开。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201710946069.7有效
发明人：金庚焕;李东郁 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一模式信号生成电路，其适用于响应于命令来生成第一模式信号，在根据第一MOS晶体管的电流特性确定的第一时段比由第一无源元件确定的第二时段更长的情况下，第一模式信号被使能；以及第二模式信号生成电路，其适用于响应于命令来生成第二模式信号，在由第二无源元件确定的第三时段比根据第二MOS晶体管的电流特性确定的第四时段更长的情况下，第二模式信号被使能。
半导体器件

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